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Au-20Sn釬料薄帶制備及界面組織研究

發(fā)布時(shí)間:2025-03-18 01:50
  隨著信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和電子封裝技術(shù)的進(jìn)步,高性能無鉛釬料的研發(fā)及應(yīng)用受到越來越廣泛的關(guān)注。Au-20Sn共晶釬料具有熱導(dǎo)率高、強(qiáng)度大、抗氧化性、抗熱疲勞和蠕變性好等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于光電子和高功率電子器件的封裝。Au-20Sn釬料合金脆性較大,難以通過傳統(tǒng)方法制備成封裝所需的焊片和焊環(huán)等產(chǎn)品。利用快速凝固技術(shù)制備Au-20Sn釬料,系統(tǒng)研究釬焊性能,具有非常重要的意義。本文以Au-20Sn共晶釬料為研究對象。采用單輥裝置制備快速凝固釬料薄帶,利用OM、XRD、EPMA和MTS陶瓷試驗(yàn)系統(tǒng)等測試方法,研究退火工藝對薄帶的影響,研究不同釬焊工藝和時(shí)效處理對Au-20Sn/Ni(Cu)焊點(diǎn)組織及性能的影響,探討金屬間化合物(IMC)層的生長?焖倌题F料薄帶退火時(shí),組織為(ζ'-Au5Sn+δ-AuSn)共晶。隨退火時(shí)間的延長,δ-AuSn相不斷長大,體積分?jǐn)?shù)升高,但增長速率下降;當(dāng)退火溫度升高時(shí),δ-AuSn相增長粗化速率加快。200°C退火8h時(shí),薄帶韌性較高,斷裂應(yīng)變值達(dá)3.07%。Ni/Au-20Sn/Ni焊點(diǎn)釬焊時(shí),釬料中形成固溶有Ni的(Au5

【文章頁數(shù)】:89 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 電子封裝技術(shù)
        1.1.1 電子封裝技術(shù)的發(fā)展
        1.1.2 電子封裝互連釬料
    1.2 無鉛釬料的發(fā)展
        1.2.1 無鉛化挑戰(zhàn)
        1.2.2 Sn基釬料
        1.2.3 Au基釬料
    1.3 Au-20Sn釬料的制備及釬焊
        1.3.1 基本性能
        1.3.2 制備工藝
        1.3.3 釬焊技術(shù)
        1.3.4 界面反應(yīng)
    1.4 無鉛焊點(diǎn)可靠性
        1.4.1 焊點(diǎn)失效模式
        1.4.2 可靠性影響因素
        1.4.3 可靠性測試方法
    1.5 研究意義和內(nèi)容
        1.5.1 研究意義
        1.5.2 研究內(nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)方法
    2.1 焊片制備
    2.2 焊點(diǎn)制備
    2.3 組織性能分析
        2.3.1 金相制備及觀察
        2.3.2 X射線衍射分析(XRD)
        2.3.3 電子探針分析(EPMA)
        2.3.4 薄帶退火組織中δ相測量
        2.3.5 薄帶韌性測試
        2.3.6 界面IMC層厚度測量
第3章 快速凝固Au-20Sn薄帶制備及韌化退火
    3.1 實(shí)驗(yàn)裝置及工藝參數(shù)
        3.1.1 實(shí)驗(yàn)裝置
        3.1.2 工藝參數(shù)
    3.2 韌化退火
        3.2.1 薄帶組織
        3.2.2 XRD物相分析
        3.2.3 電子探針
        3.2.4 韌性測試
    3.3 本章小結(jié)
第4章 Ni/Au-20Sn/Ni焊點(diǎn)界面組織
    4.1 釬焊工藝對焊點(diǎn)界面組織的影響
    4.2 時(shí)效處理對焊點(diǎn)界面組織及IMC層生長的影響
        4.2.1 焊點(diǎn)界面組織
        4.2.2 IMC層的生長
    4.3 本章小結(jié)
第5章 Cu/Au-20Sn/Ni焊點(diǎn)界面組織
    5.1 釬焊工藝對焊點(diǎn)界面組織的影響
    5.2 時(shí)效處理對焊點(diǎn)界面組織及IMC層生長的影響
        5.2.1 焊點(diǎn)界面組織
        5.2.2 IMC層的生長
    5.3 本章小結(jié)
第6章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間獲得與論文相關(guān)的科研成果



本文編號:4035809

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