信息化程度是衡量社會現(xiàn)代化水平的標(biāo)志之一。信息技術(shù)自然被各國爭相發(fā)展,因?yàn)樗瑫r也是提升綜合國力的關(guān)鍵技術(shù)。信息技術(shù)催生出來的大數(shù)據(jù)服務(wù)不僅為人們生產(chǎn)生活提供便利,同時也對信息存取技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)。尋求擁有更高存儲密度和更快存儲速度的新型存儲介質(zhì)成為信息存儲技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)研究領(lǐng)域。自旋電子學(xué)理論的發(fā)展以及Heusler合金的發(fā)現(xiàn)為新型存儲介質(zhì)的研發(fā)提供了可能。目前,基于磁隧道結(jié)的磁存儲介質(zhì)有望突破信息存儲密度和速度的瓶頸。錳鋁Hesuler合金具有半金屬性和完全補(bǔ)償亞鐵磁性,被認(rèn)為是合成低能耗和高靈敏度磁隧道結(jié)的最佳候選電極材料之一。然而,有關(guān)表面界面效應(yīng)對二元MnAl合金電學(xué)和磁學(xué)特性的影響尚不明確。針對二元MnAl合金幾何構(gòu)型的多樣性,我們考慮了D0₃型、D0₂₂型和L1₀型三種不同晶體結(jié)構(gòu)的MnAl合金,并且構(gòu)建了D0₃-Mn₃Al、D0₂₂-Mn₃Al和L1₀-MnAl合金對應(yīng)的塊體模型、表面模型以及D... 

【文章來源】：西南大學(xué)重慶市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

三種自旋閥結(jié)構(gòu)

這種具備巨大應(yīng)用潛力的磁隧道結(jié)又一次激起了各國學(xué)者們的研究浪潮。圖 1.2 電子在磁隧道結(jié)中的輸運(yùn)示意圖1.2 自旋電子學(xué)的應(yīng)用隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，自旋電子學(xué)器件在各個科技領(lǐng)域都有舉足輕重的作用。接下來，我們重點(diǎn)介紹其在磁傳感器、磁頭、隨機(jī)存儲器這三個方向的應(yīng)用。(1)磁傳感器固體元件中的磁性物理量在外界因素（磁場、溫度、光等）的影響下發(fā)生改變進(jìn)而引起電信號的改變，這樣的器件叫做磁傳感器。磁傳感器不管是在國防建設(shè)、醫(yī)療衛(wèi)生還是在環(huán)境保護(hù)、生物工程等領(lǐng)域都有著廣闊的應(yīng)用前景。1967 年，Honeywell 公司的科研人員第一次在單片芯上實(shí)現(xiàn)了基于磁傳感器的集成電路。1975 年，科學(xué)家通過研究磁性材料的磁化程度和其導(dǎo)電性能的聯(lián)系，首次研發(fā)出磁電阻傳感器。其相關(guān)的物理機(jī)制就是各向異性磁電阻效應(yīng)，進(jìn)而集成電路就被性能更加優(yōu)越的 AMR 技術(shù)所取代。并

緒 論化學(xué)式分別被表示為 X2YZ 和 XYZ，相應(yīng)的原子組成比例分別是 2:1:1 和 1:1:1。如圖1.3 所示，X 和 Y 往往是表示過渡金屬原子，而 Z 就為主族原子。然而通常情況下，人們往往會根據(jù)實(shí)際需要來對 Heusler 合金的組成原子進(jìn)行調(diào)控，使得合金的種類更加豐富。當(dāng) Full-Heusler 合金中的 X 和 Y 原子為同一種過渡金屬元素時，那么就構(gòu)成了 D0型的 Heusler 合金[17]，即 X3Z。由于 D03型合金和 Full-Heusler 合金相比，只是 Y 原子替換為了 X 原子，而晶體結(jié)構(gòu)都沒有發(fā)生變化，所以它倆具有相同的空間對稱群（F43M，225）。


本文編號：3414814