【摘要】：通過電磁懸浮(EML)熔煉設(shè)備對Al-70%Si合金進(jìn)行深過冷處理,利用高速攝影儀(HSC)和SEM分別對凝固過程和凝固后的組織進(jìn)行了觀測,研究了不同過冷度下初生Si的生長規(guī)律.結(jié)果表明,過冷度對初生Si的生長有很大影響.當(dāng)過冷度較小時,初生Si為粗大的長條狀,有特殊的邊和面,且具有明顯的孿晶痕跡,表現(xiàn)出小平面生長的特征;當(dāng)過冷度較大時,初生Si為細(xì)小的枝晶和球狀晶,表面光滑,表現(xiàn)出非小平面生長的特征;當(dāng)過冷度居于中間時,初生Si為粗大的塊狀和規(guī)則排列的枝晶狀,塊狀有特殊的邊和面,枝晶表面光滑,表現(xiàn)出小平面和非小平面混合生長的特征.隨著過冷度的增加,初生Si的生長方式由小平面生長轉(zhuǎn)變?yōu)橹虚g方式生長,再由中間方式生長轉(zhuǎn)變?yōu)榉切∑矫嫔L,生長方式間發(fā)生轉(zhuǎn)變的臨界過冷度分別為122和230 K.
[Abstract]:The supercooling treatment of Al-70%Si alloy was carried out by means of electromagnetic suspension (EML) melting equipment. The solidification process and microstructure after solidification were observed by high speed photography (HSC) and SEM, respectively. The growth law of primary Si under different undercooling was studied. The results showed that undercooling had a great effect on the growth of primary Si. When the undercooling degree is small, the primary Si is a coarse strip with special edges and surfaces, and has obvious twin trace, which shows the characteristics of small plane growth. When the undercooling degree is high, the primary Si is fine dendrite and globular crystal, and the surface is smooth, showing the characteristics of non-small plane growth. When the undercooling degree is in the middle, the primary Si is coarse block and regular arrangement dendrite. The block has special edge and surface, and the dendritic surface is smooth, showing the characteristics of small plane and non-small plane mixed growth. With the increase of undercooling degree, the growth mode of primary Si changed from small plane growth to intermediate growth mode, and then from intermediate mode to non-small plane growth. The critical undercooling degree of transformation between growth modes was 122and 230K, respectively.
【作者單位】： 西安工業(yè)大學(xué)陜西省光電功能材料與器件重點實驗室;
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃項目2011CB610403 國家自然科學(xué)基金項目51171136、51301125、51401156和51371133資助~~
【分類號】：TG146.21;TG156.91

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本文編號：2393267