本文關(guān)鍵詞：Ar環(huán)境下氫化非晶鍺硅的制備與特性研究

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【摘要】：采用RF-PECVD法在氬環(huán)境下制備了Ge摻雜a-Si∶H。將樣品通過臺階儀、傅里葉紅外光譜儀、紫外可見光分光光度計以及Keithley高阻儀進行分析測試,研究了不同摻雜比例對非晶硅薄膜沉積速率、結(jié)構(gòu)因子、光學帶隙及光暗電導率的影響。實驗表明:薄膜沉積速率隨摻雜量的增大而增大;薄膜結(jié)構(gòu)因子隨摻雜量的增大而減小;薄膜對可見光的吸收隨摻雜量的增大出現(xiàn)紅移,光學帶隙減小;摻雜比例較低時,薄膜光暗電導率變化不明顯,當GeH4量達20cm3/min時,薄膜暗電導明顯增大,光暗電導比減小。
【作者單位】： 電子科技大學光電信息學院;
【關(guān)鍵詞】： 氫化非晶硅 鍺摻雜 PECVD 氬環(huán)境
【基金】：國家自然科學基金項目(51372032)
【分類號】：TQ127.2
【正文快照】： 0引言氫化非晶硅(a-Si∶H)作為光敏材料,具有較高的光吸收系數(shù)、較強的明暗電導比、光學帶隙可調(diào)控以及制備工藝簡單等優(yōu)點。a-Si∶H的光電特性使其在紅外傳感器、光調(diào)制器以及薄膜太陽電池等領(lǐng)域得到了廣泛應用[1-2]。為了改善a-Si∶H的性能,使其能更好地應用于各種特定的場，

本文編號：562482