本文關(guān)鍵詞：Ar環(huán)境下氫化非晶鍺硅的制備與特性研究

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【摘要】：采用RF-PECVD法在氬環(huán)境下制備了Ge摻雜a-Si∶H。將樣品通過臺(tái)階儀、傅里葉紅外光譜儀、紫外可見光分光光度計(jì)以及Keithley高阻儀進(jìn)行分析測試,研究了不同摻雜比例對(duì)非晶硅薄膜沉積速率、結(jié)構(gòu)因子、光學(xué)帶隙及光暗電導(dǎo)率的影響。實(shí)驗(yàn)表明:薄膜沉積速率隨摻雜量的增大而增大;薄膜結(jié)構(gòu)因子隨摻雜量的增大而減小;薄膜對(duì)可見光的吸收隨摻雜量的增大出現(xiàn)紅移,光學(xué)帶隙減小;摻雜比例較低時(shí),薄膜光暗電導(dǎo)率變化不明顯,當(dāng)GeH4量達(dá)20cm3/min時(shí),薄膜暗電導(dǎo)明顯增大,光暗電導(dǎo)比減小。
【作者單位】： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 氫化非晶硅 鍺摻雜 PECVD 氬環(huán)境
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51372032)
【分類號(hào)】：TQ127.2
【正文快照】： 0引言氫化非晶硅(a-Si∶H)作為光敏材料,具有較高的光吸收系數(shù)、較強(qiáng)的明暗電導(dǎo)比、光學(xué)帶隙可調(diào)控以及制備工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)。a-Si∶H的光電特性使其在紅外傳感器、光調(diào)制器以及薄膜太陽電池等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[1-2]。為了改善a-Si∶H的性能,使其能更好地應(yīng)用于各種特定的場，

本文編號(hào)：562482