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基于氧缺陷和Ni 2+ 摻雜BiVO 4 光電陽極制備及光電催化性能研究

發(fā)布時間:2021-11-18 04:18
  過去的幾十年間,各國為實現(xiàn)經(jīng)濟快速發(fā)展,對化石能源過度開采和使用,這不僅讓能源短缺成為影響如今社會發(fā)展的重大問題,而且?guī)砹藝乐氐沫h(huán)境破壞。將太陽能應(yīng)用于光電化學(xué)(PEC)水分解是一種有潛力的儲存可持續(xù)能源的方法,同時可以減少人類對化石燃料的依賴。在催化劑表面構(gòu)建氧缺陷或摻雜金屬離子是兩種有效的光電催化劑改性方式。本文通過循環(huán)電沉積的方式合成了氧缺陷型BiVO4并探索其作用機理,并通過Ni2+摻雜進一步提高了催化劑的光電活性。首先采用循環(huán)電沉積及高溫退火法合成了氧缺陷多層BiVO4薄膜。BiVO4薄膜具有單斜白鎢礦結(jié)構(gòu),隨著層數(shù)增加,其形態(tài)由致密膜轉(zhuǎn)變?yōu)楹>d網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),然后形成塊狀結(jié)構(gòu)。X射線光電子能譜(XPS)顯示在多層BiVO4(尤其是3層)中存在大量的氧空位和V4+。在所有樣品的可見光PEC性能中,3層BiVO4表現(xiàn)最優(yōu):光照強度為100 mW/cm2時,在1.23 V vs RHE處亞硫酸鹽氧化電流密度為5... 

【文章來源】:天津大學(xué)天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:68 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

基于氧缺陷和Ni 2+ 摻雜BiVO 4 光電陽極制備及光電催化性能研究


不同半導(dǎo)體在pH=0時的氧化還原電勢第二,半導(dǎo)體光電催化劑載流子的有效分離以及運輸至關(guān)重要

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本文編號:3502190

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