利用太陽光進行光解水制氫氣已成為近年來新能源（氫能）制備的研究熱點,Zn_0.8Cd_0.2S固溶體因具有適宜的能帶結構被研究者廣泛應用。本論文在Zn_0.8Cd_0.2S-乙二胺（En）納米片的基礎上,通過WS₂的負載以及Ce³⁺、Ni²⁺、Co²⁺離子摻雜對其進行改性,深入研究改性對光催化材料的結構、光吸收性能、電化學性質和光催化產氫性能的影響。分別采用一步水熱法和光沉積法制備出了不同硫化鎢負載量的Zn_0.8Cd_0.2S-En納米片,采用SEM、TEM、XRD、FT-IR、PL、UV-vis等分析方法對其進行了表征,探討了光催化劑的形貌、組成結構、能帶結構對光催化性能的影響。研究結果表明,通過水熱法和光沉積法負載WS₂均可以增強Zn_0.8Cd_0.2S-En納米片對可見光的吸收能力,二者之間形成的異質結結構有效... 

【文章來源】：天津大學天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：84 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

半導體材料水分解制氫氣的過程圖

圖 1-2 半導體能帶結構與水分解氧化還原電勢的關系圖Fig.1-2 Band structures of semiconductors and redox potentials of water圖 1-3 半導體材料水分解制氫氣的機理圖

3圖 1-3 半導體材料水分解制氫氣的機理圖Fig.1-3 Mechanism of Semiconductor Materials for Hydrogen Decompositio催化水分解的步驟：(1)當有能量大于或者等于半導體禁帶寬度的體材料時，處于半導體價帶（VB）的基態(tài)電子吸收光子的能量，導帶（CB），形成自由電子（e-），同時在價帶留下帶相應的空穴（h+流子向半導體表面進行遷移，使得電子躍遷產生的電子-空穴對進伴隨著光生電子與空穴的再復合現象，包括分離遷移過程中發(fā)生在合，以及遷移到半導體表面時發(fā)生的復合。（3）具有強還原能力的能力的空穴轉移到半導體表面的活性位點上，在其表面發(fā)生氧化還

【參考文獻】：
期刊論文
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[2]CoS薄膜的制備和介電性質的研究[J]. 高友祿.  化工時刊. 2006(08)
[3]可見光響應光催化劑研究進展[J]. 陳崧哲,張彭義,祝萬鵬,劉福東.  化學進展. 2004(04)
[4]太陽能光解水制氫的研究進展[J]. 上官文峰.  無機化學學報. 2001(05)

碩士論文
[1](ZnS1-x-0.5yOx（OH）y-ZnO)固溶體的NiS改性及其在海水體系中的光催化性能研究[D]. 林仕儀.南昌大學 2013
[2]碳納米管修飾金屬硫化物固溶體復合材料制備及性能研究[D]. 楊斌.武漢理工大學 2012



本文編號：3501850