Zn 0.8 Cd 0.2 S-乙二胺納米片的改性及其光催化制氫性能的研究
發(fā)布時間:2021-11-18 00:14
利用太陽光進行光解水制氫氣已成為近年來新能源(氫能)制備的研究熱點,Zn0.8Cd0.2S固溶體因具有適宜的能帶結(jié)構(gòu)被研究者廣泛應(yīng)用。本論文在Zn0.8Cd0.2S-乙二胺(En)納米片的基礎(chǔ)上,通過WS2的負載以及Ce3+、Ni2+、Co2+離子摻雜對其進行改性,深入研究改性對光催化材料的結(jié)構(gòu)、光吸收性能、電化學(xué)性質(zhì)和光催化產(chǎn)氫性能的影響。分別采用一步水熱法和光沉積法制備出了不同硫化鎢負載量的Zn0.8Cd0.2S-En納米片,采用SEM、TEM、XRD、FT-IR、PL、UV-vis等分析方法對其進行了表征,探討了光催化劑的形貌、組成結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)對光催化性能的影響。研究結(jié)果表明,通過水熱法和光沉積法負載WS2均可以增強Zn0.8Cd0.2S-En納米片對可見光的吸收能力,二者之間形成的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)有效...
【文章來源】:天津大學(xué)天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
半導(dǎo)體材料水分解制氫氣的過程圖
圖 1-2 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)與水分解氧化還原電勢的關(guān)系圖Fig.1-2 Band structures of semiconductors and redox potentials of water圖 1-3 半導(dǎo)體材料水分解制氫氣的機理圖
3圖 1-3 半導(dǎo)體材料水分解制氫氣的機理圖Fig.1-3 Mechanism of Semiconductor Materials for Hydrogen Decompositio催化水分解的步驟:(1)當有能量大于或者等于半導(dǎo)體禁帶寬度的體材料時,處于半導(dǎo)體價帶(VB)的基態(tài)電子吸收光子的能量,導(dǎo)帶(CB),形成自由電子(e-),同時在價帶留下帶相應(yīng)的空穴(h+流子向半導(dǎo)體表面進行遷移,使得電子躍遷產(chǎn)生的電子-空穴對進伴隨著光生電子與空穴的再復(fù)合現(xiàn)象,包括分離遷移過程中發(fā)生在合,以及遷移到半導(dǎo)體表面時發(fā)生的復(fù)合。(3)具有強還原能力的能力的空穴轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體表面的活性位點上,在其表面發(fā)生氧化還
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Co2+摻雜對Bi2WO6結(jié)構(gòu)與光催化活性的影響[J]. 陳穎,王旭,谷國棟,朱葛,梁宏寶. 硅酸鹽通報. 2014(10)
[2]CoS薄膜的制備和介電性質(zhì)的研究[J]. 高友祿. 化工時刊. 2006(08)
[3]可見光響應(yīng)光催化劑研究進展[J]. 陳崧哲,張彭義,祝萬鵬,劉福東. 化學(xué)進展. 2004(04)
[4]太陽能光解水制氫的研究進展[J]. 上官文峰. 無機化學(xué)學(xué)報. 2001(05)
碩士論文
[1](ZnS1-x-0.5yOx(OH)y-ZnO)固溶體的NiS改性及其在海水體系中的光催化性能研究[D]. 林仕儀.南昌大學(xué) 2013
[2]碳納米管修飾金屬硫化物固溶體復(fù)合材料制備及性能研究[D]. 楊斌.武漢理工大學(xué) 2012
本文編號:3501850
【文章來源】:天津大學(xué)天津市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
半導(dǎo)體材料水分解制氫氣的過程圖
圖 1-2 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)與水分解氧化還原電勢的關(guān)系圖Fig.1-2 Band structures of semiconductors and redox potentials of water圖 1-3 半導(dǎo)體材料水分解制氫氣的機理圖
3圖 1-3 半導(dǎo)體材料水分解制氫氣的機理圖Fig.1-3 Mechanism of Semiconductor Materials for Hydrogen Decompositio催化水分解的步驟:(1)當有能量大于或者等于半導(dǎo)體禁帶寬度的體材料時,處于半導(dǎo)體價帶(VB)的基態(tài)電子吸收光子的能量,導(dǎo)帶(CB),形成自由電子(e-),同時在價帶留下帶相應(yīng)的空穴(h+流子向半導(dǎo)體表面進行遷移,使得電子躍遷產(chǎn)生的電子-空穴對進伴隨著光生電子與空穴的再復(fù)合現(xiàn)象,包括分離遷移過程中發(fā)生在合,以及遷移到半導(dǎo)體表面時發(fā)生的復(fù)合。(3)具有強還原能力的能力的空穴轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體表面的活性位點上,在其表面發(fā)生氧化還
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Co2+摻雜對Bi2WO6結(jié)構(gòu)與光催化活性的影響[J]. 陳穎,王旭,谷國棟,朱葛,梁宏寶. 硅酸鹽通報. 2014(10)
[2]CoS薄膜的制備和介電性質(zhì)的研究[J]. 高友祿. 化工時刊. 2006(08)
[3]可見光響應(yīng)光催化劑研究進展[J]. 陳崧哲,張彭義,祝萬鵬,劉福東. 化學(xué)進展. 2004(04)
[4]太陽能光解水制氫的研究進展[J]. 上官文峰. 無機化學(xué)學(xué)報. 2001(05)
碩士論文
[1](ZnS1-x-0.5yOx(OH)y-ZnO)固溶體的NiS改性及其在海水體系中的光催化性能研究[D]. 林仕儀.南昌大學(xué) 2013
[2]碳納米管修飾金屬硫化物固溶體復(fù)合材料制備及性能研究[D]. 楊斌.武漢理工大學(xué) 2012
本文編號:3501850
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