發(fā)布時(shí)間：2021-11-02 07:19

　　由于多晶硅片表面在不同晶粒之間的晶格取向、絨面特性,反射率等方面都存在較大差別,因此在多晶硅片表面制備的SiNx膜的均勻性較差。研究微波板式PECVD設(shè)備相關(guān)配件對(duì)其在多晶硅片表面鍍膜時(shí)膜層均勻性的影響。結(jié)果顯示,石英管、耐高溫膠帶廠家的差異,氣路的氣孔個(gè)數(shù)差異,加熱板、導(dǎo)波器的完好程度差異均會(huì)對(duì)微波板式PECVD設(shè)備在多晶硅片表面鍍膜時(shí)的均勻性產(chǎn)生較大影響。 

【文章來(lái)源】：太陽(yáng)能. 2020,(12)

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

橢偏儀的工作原理示意圖

將每個(gè)批次的800片硅片均分放置在石墨框內(nèi)沉積鍍膜，每個(gè)石墨框內(nèi)一次可給50片硅片鍍膜，4個(gè)石墨框(編號(hào)為K1～K4)循環(huán)使用4次(相當(dāng)于將800片硅片均分在16個(gè)石墨框內(nèi))為完成1個(gè)批次的鍍膜過(guò)程。收集每個(gè)石墨框內(nèi)如圖2所示區(qū)域的硅片，測(cè)試序號(hào)1～10位置的硅片的折射率，并將序號(hào)1～5位置的硅片的折射率求折射率方差，再將序號(hào)6～10位置的硅片的折射率求折射率方差，然后求這2個(gè)折射率方差的平均值，用于表征鍍膜的均勻性。按照上述方法，以每個(gè)批次的16個(gè)石墨框中對(duì)應(yīng)序號(hào)位置的硅片的折射率求得的折射率方差平均值表征批次間的鍍膜均勻性；而以每個(gè)批次內(nèi)4個(gè)石墨框循環(huán)使用4次時(shí)相同編號(hào)石墨框的硅片所測(cè)得的折射率方差平均值表征批次內(nèi)的均勻性；實(shí)驗(yàn)期間不斷對(duì)設(shè)備進(jìn)行重復(fù)性驗(yàn)證。

由于實(shí)驗(yàn)中石英管和耐高溫膠帶分別采用的是2個(gè)不同廠家的產(chǎn)品，因此針對(duì)廠家差異對(duì)4個(gè)批次的鍍膜均勻性的影響進(jìn)行分析。廠家不同時(shí)4個(gè)批次的批次間和批次內(nèi)的折射率方差平均值情況如圖3、圖4所示。對(duì)比圖3和圖4可以發(fā)現(xiàn)，批次a～批次d這4個(gè)批次的批次間和批次內(nèi)的折射率方差平均值的變化趨勢(shì)相同，這表明這4個(gè)批次的批次間和批次內(nèi)的鍍膜均勻性呈現(xiàn)出相同的規(guī)律。

【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]SiOxNy光學(xué)薄膜折射率漸變特性研究[D]. 李松曉.西安工業(yè)大學(xué) 2018



本文編號(hào)：3471586