應(yīng)力作用下單層黑磷與邊緣化學(xué)修飾作用下C 3 N輸運(yùn)性質(zhì)的研究
發(fā)布時(shí)間:2021-10-31 16:50
隨著納米電子學(xué)與分子電子學(xué)的飛速發(fā)展,由納米電子器件組成的納米級(jí)電路也向著電路體積更小、集成度更高、效率更高的方向發(fā)展,所以對(duì)二維納米材料的性質(zhì)提出了更高的要求。由于傳統(tǒng)的硅材料并不能突破“物理極限”,硅材料已經(jīng)不跟滿足電子器件更高的要求。2004年石墨烯被成功制備出來,以其獨(dú)特的物理、化學(xué)性質(zhì)引起了凝聚態(tài)物理和計(jì)算化學(xué)領(lǐng)域的高度關(guān)注,石墨烯也一度被認(rèn)為是可以替代傳統(tǒng)硅材料在未來成為制備納米器件的首選材料。但是由于本征石墨烯的帶隙為零,極大的限制了石墨烯在電子器件制備方面的應(yīng)用。近幾年,更多的二維納米材料被發(fā)現(xiàn),并且被成功制備出來,如黑磷、C3N等。本征黑磷有一個(gè)約為1.52eV的直接帶隙,彌補(bǔ)了石墨烯在納米器件制備方面的不足,但是黑磷在空氣中或浸泡在水中會(huì)被氧化,在光的作用下會(huì)被降解。本征C3N有一個(gè)約為0.39eV的直接帶隙,并且C3N有比較好的穩(wěn)定性。本文研究了單層黑磷和單層C3N的能帶結(jié)構(gòu)和電子輸運(yùn)性質(zhì)。首先,我們從兩個(gè)方面研究了彈道電子的古斯-漢欣位移(GH位移)效應(yīng),(i)彈道電子在一個(gè)階梯狀不均勻的應(yīng)力下進(jìn)行反射,(ii)彈道電子在一個(gè)正向應(yīng)力區(qū)域和兩個(gè)無應(yīng)力區(qū)域組成的單...
【文章來源】:長(zhǎng)沙理工大學(xué)湖南省
【文章頁數(shù)】:58 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?(a)石墨烯的晶格結(jié)構(gòu),(b)古斯-漢欣位移示意圖??1.2.2黑磷、C3N研究綜述??繼石墨烯、二硫化鉬之后,由復(fù)旦大學(xué)物理系的張遠(yuǎn)波教授課題組又發(fā)現(xiàn)了黑磷這??
由于黑磷施加面內(nèi)應(yīng)力對(duì)其能帶隙的修飾效果為面內(nèi)x方向和面內(nèi)y方向修??飾效果的代數(shù)和,故在接下來的研究中,我們只討論了對(duì)黑磷施加面內(nèi)x方向應(yīng)力的情??況。單層黑磷能帶隙的增長(zhǎng)(降低)隨施加正向(負(fù)項(xiàng))應(yīng)力的變化圖如圖2.1?(b)所??/K〇??20??
.2.?(a)無應(yīng)力區(qū)域和正向應(yīng)力區(qū)域組成黑磷結(jié)的臨界角隨應(yīng)力變化圖。紅色實(shí)色點(diǎn)虛線分別對(duì)應(yīng)的入射能為E=0.6eV、0.7eV、0.8eV。(b)負(fù)向應(yīng)力區(qū)域和無結(jié)的臨界角隨應(yīng)力變化圖。紅色實(shí)線、綠色虛線和藍(lán)色點(diǎn)虛線分別對(duì)應(yīng)的、0.6eV、0.8eV。??如單層黑磷入射電子的波函數(shù)和反射電子的波函數(shù)寫為以下形式???水-夂〇Vi,r+’V?說),,?(2.11)??/??Wr(x,y)?=?j_m?rf{ky?-?ky0y,Kx+lkyv?^?dky?,?(2.12)??-〇〇?'?y??的《,?和%是根據(jù)公式(2.5)定義的參量,是根據(jù)我們假定央波矢附近展開的角頻譜分布。對(duì)于一束準(zhǔn)平行入射的電子束來說,
本文編號(hào):3468499
【文章來源】:長(zhǎng)沙理工大學(xué)湖南省
【文章頁數(shù)】:58 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1?(a)石墨烯的晶格結(jié)構(gòu),(b)古斯-漢欣位移示意圖??1.2.2黑磷、C3N研究綜述??繼石墨烯、二硫化鉬之后,由復(fù)旦大學(xué)物理系的張遠(yuǎn)波教授課題組又發(fā)現(xiàn)了黑磷這??
由于黑磷施加面內(nèi)應(yīng)力對(duì)其能帶隙的修飾效果為面內(nèi)x方向和面內(nèi)y方向修??飾效果的代數(shù)和,故在接下來的研究中,我們只討論了對(duì)黑磷施加面內(nèi)x方向應(yīng)力的情??況。單層黑磷能帶隙的增長(zhǎng)(降低)隨施加正向(負(fù)項(xiàng))應(yīng)力的變化圖如圖2.1?(b)所??/K〇??20??
.2.?(a)無應(yīng)力區(qū)域和正向應(yīng)力區(qū)域組成黑磷結(jié)的臨界角隨應(yīng)力變化圖。紅色實(shí)色點(diǎn)虛線分別對(duì)應(yīng)的入射能為E=0.6eV、0.7eV、0.8eV。(b)負(fù)向應(yīng)力區(qū)域和無結(jié)的臨界角隨應(yīng)力變化圖。紅色實(shí)線、綠色虛線和藍(lán)色點(diǎn)虛線分別對(duì)應(yīng)的、0.6eV、0.8eV。??如單層黑磷入射電子的波函數(shù)和反射電子的波函數(shù)寫為以下形式???水-夂〇Vi,r+’V?說),,?(2.11)??/??Wr(x,y)?=?j_m?rf{ky?-?ky0y,Kx+lkyv?^?dky?,?(2.12)??-〇〇?'?y??的《,?和%是根據(jù)公式(2.5)定義的參量,是根據(jù)我們假定央波矢附近展開的角頻譜分布。對(duì)于一束準(zhǔn)平行入射的電子束來說,
本文編號(hào):3468499
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