隨著納米電子學(xué)與分子電子學(xué)的飛速發(fā)展,由納米電子器件組成的納米級(jí)電路也向著電路體積更小、集成度更高、效率更高的方向發(fā)展,所以對(duì)二維納米材料的性質(zhì)提出了更高的要求。由于傳統(tǒng)的硅材料并不能突破“物理極限”,硅材料已經(jīng)不跟滿足電子器件更高的要求。2004年石墨烯被成功制備出來,以其獨(dú)特的物理、化學(xué)性質(zhì)引起了凝聚態(tài)物理和計(jì)算化學(xué)領(lǐng)域的高度關(guān)注,石墨烯也一度被認(rèn)為是可以替代傳統(tǒng)硅材料在未來成為制備納米器件的首選材料。但是由于本征石墨烯的帶隙為零,極大的限制了石墨烯在電子器件制備方面的應(yīng)用。近幾年,更多的二維納米材料被發(fā)現(xiàn),并且被成功制備出來,如黑磷、C3N等。本征黑磷有一個(gè)約為1.52eV的直接帶隙,彌補(bǔ)了石墨烯在納米器件制備方面的不足,但是黑磷在空氣中或浸泡在水中會(huì)被氧化,在光的作用下會(huì)被降解。本征C3N有一個(gè)約為0.39eV的直接帶隙,并且C3N有比較好的穩(wěn)定性。本文研究了單層黑磷和單層C3N的能帶結(jié)構(gòu)和電子輸運(yùn)性質(zhì)。首先,我們從兩個(gè)方面研究了彈道電子的古斯-漢欣位移（GH位移）效應(yīng),（i）彈道電子在一個(gè)階梯狀不均勻的應(yīng)力下進(jìn)行反射,（ii）彈道電子在一個(gè)正向應(yīng)力區(qū)域和兩個(gè)無應(yīng)力區(qū)域組成的單... 

【文章來源】：長(zhǎng)沙理工大學(xué)湖南省

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１?（ａ）石墨烯的晶格結(jié)構(gòu)，（ｂ）古斯－漢欣位移示意圖??１．２．２黑磷、Ｃ３Ｎ研究綜述??繼石墨烯、二硫化鉬之后，由復(fù)旦大學(xué)物理系的張遠(yuǎn)波教授課題組又發(fā)現(xiàn)了黑磷這??

由于黑磷施加面內(nèi)應(yīng)力對(duì)其能帶隙的修飾效果為面內(nèi)ｘ方向和面內(nèi)ｙ方向修??飾效果的代數(shù)和，故在接下來的研究中，我們只討論了對(duì)黑磷施加面內(nèi)ｘ方向應(yīng)力的情??況。單層黑磷能帶隙的增長(zhǎng)（降低）隨施加正向（負(fù)項(xiàng)）應(yīng)力的變化圖如圖２．１?（ｂ）所??／Ｋ〇??２０??

．２．?（ａ）無應(yīng)力區(qū)域和正向應(yīng)力區(qū)域組成黑磷結(jié)的臨界角隨應(yīng)力變化圖。紅色實(shí)色點(diǎn)虛線分別對(duì)應(yīng)的入射能為Ｅ＝０．６ｅＶ、０．７ｅＶ、０．８ｅＶ。（ｂ）負(fù)向應(yīng)力區(qū)域和無結(jié)的臨界角隨應(yīng)力變化圖。紅色實(shí)線、綠色虛線和藍(lán)色點(diǎn)虛線分別對(duì)應(yīng)的、０．６ｅＶ、０．８ｅＶ。??如單層黑磷入射電子的波函數(shù)和反射電子的波函數(shù)寫為以下形式??？水－夂〇Ｖｉ，ｒ＋’Ｖ?說），，?（２．１１）??／??Ｗｒ（ｘ，ｙ）?＝?ｊ＿ｍ?ｒｆ｛ｋｙ?－?ｋｙ０ｙ，Ｋｘ＋ｌｋｙｖ?＾?ｄｋｙ?，?（２．１２）??－〇〇?＇?ｙ??的《，？和％是根據(jù)公式（２．５）定義的參量，是根據(jù)我們假定央波矢附近展開的角頻譜分布。對(duì)于一束準(zhǔn)平行入射的電子束來說，


本文編號(hào)：3468499