作為電子器件的關(guān)鍵部件之一,銅納米線透明導(dǎo)電薄膜在航天、軍事、制造業(yè)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。但是,目前銅納米線在墨水中分散性低,導(dǎo)致利用其制備的透明導(dǎo)電薄膜的均勻性較差,阻礙了銅納米線的實(shí)際應(yīng)用。針對該瓶頸性問題,本論文提出了一種銅納米線分散機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了銅納米線在水中的高分散,研究了銅納米線表面電荷和水中分散電荷對銅納米線分散的影響,并在銅納米線透明導(dǎo)電薄膜制備方面取得了突破,利用薄膜實(shí)現(xiàn)了在有機(jī)太陽能電池和有機(jī)發(fā)光二極管（Organic light-emitting diode,OLED）兩種有機(jī)光電子器件的應(yīng)用。研究工作從以下3個方面著手:1、首先研究了銅納米線的制備工藝,實(shí)現(xiàn)了直徑為60 nm、長度為50μm的銅納米線的批量制備。在此基礎(chǔ)上,探討了電荷調(diào)節(jié)劑與銅納米線之間的鍵合強(qiáng)度、單位電荷調(diào)節(jié)劑的電荷量、電荷調(diào)節(jié)劑的數(shù)量的改變對墨水中電荷分布和電荷量的影響,研究了墨水中電荷分布和電荷量對銅納米線分散的影響,提出了銅納米線的弱電場平衡分散機(jī)制。結(jié)果表明,銅納米線的分散是由表面電荷（驅(qū)動力）和水中電荷（阻力）協(xié)同決定的,適量的表面電荷能夠提供足夠的銅納米線分散力,從而提... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

ITO的微觀結(jié)構(gòu)

圖 1-2 碳納米管的微觀結(jié)構(gòu)[25]000oC）下生長出的石墨烯具有與 ITO 透明導(dǎo)電薄膜相備過程是，首先利用化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝在銅后在不破壞原子薄層的情況下將薄膜整體轉(zhuǎn)印到透明�？傮w而言，這種工藝繁瑣，生產(chǎn)出的透明導(dǎo)電薄膜成替代品。研究人員也嘗試采用溶液法生產(chǎn)石墨烯導(dǎo)電薄膜。但這些薄膜的性能較差（80%的透過率，3 kΩ/石墨烯薄片較低的長徑比以及石墨烯層與層之間較大能否利用溶液法制備出與 ITO 薄膜性能相當(dāng)?shù)氖?

然后在不破壞原子薄層的情況下將薄膜整體轉(zhuǎn)印到透明基底上（如圖1-3 所示）[28]。總體而言，這種工藝繁瑣，生產(chǎn)出的透明導(dǎo)電薄膜成本高昂，不適合作為 ITO 的替代品。研究人員也嘗試采用溶液法生產(chǎn)石墨烯導(dǎo)電薄膜，如利用去角質(zhì)石墨烯薄膜。但這些薄膜的性能較差（80%的透過率，3 kΩ/□的表面電阻）[29]。這可能是石墨烯薄片較低的長徑比以及石墨烯層與層之間較大的接觸電阻導(dǎo)致的。目前，能否利用溶液法制備出與 ITO 薄膜性能相當(dāng)?shù)氖┩该鲗?dǎo)電薄膜還未有定論。圖 1-3 氧化石墨烯的微觀結(jié)構(gòu)[28]


本文編號：3356051