作為電子器件的關(guān)鍵部件之一,銅納米線透明導(dǎo)電薄膜在航天、軍事、制造業(yè)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。但是,目前銅納米線在墨水中分散性低,導(dǎo)致利用其制備的透明導(dǎo)電薄膜的均勻性較差,阻礙了銅納米線的實(shí)際應(yīng)用。針對(duì)該瓶頸性問(wèn)題,本論文提出了一種銅納米線分散機(jī)制,實(shí)現(xiàn)了銅納米線在水中的高分散,研究了銅納米線表面電荷和水中分散電荷對(duì)銅納米線分散的影響,并在銅納米線透明導(dǎo)電薄膜制備方面取得了突破,利用薄膜實(shí)現(xiàn)了在有機(jī)太陽(yáng)能電池和有機(jī)發(fā)光二極管（Organic light-emitting diode,OLED）兩種有機(jī)光電子器件的應(yīng)用。研究工作從以下3個(gè)方面著手:1、首先研究了銅納米線的制備工藝,實(shí)現(xiàn)了直徑為60 nm、長(zhǎng)度為50μm的銅納米線的批量制備。在此基礎(chǔ)上,探討了電荷調(diào)節(jié)劑與銅納米線之間的鍵合強(qiáng)度、單位電荷調(diào)節(jié)劑的電荷量、電荷調(diào)節(jié)劑的數(shù)量的改變對(duì)墨水中電荷分布和電荷量的影響,研究了墨水中電荷分布和電荷量對(duì)銅納米線分散的影響,提出了銅納米線的弱電場(chǎng)平衡分散機(jī)制。結(jié)果表明,銅納米線的分散是由表面電荷（驅(qū)動(dòng)力）和水中電荷（阻力）協(xié)同決定的,適量的表面電荷能夠提供足夠的銅納米線分散力,從而提... 

【文章來(lái)源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

ITO的微觀結(jié)構(gòu)

圖 1-2 碳納米管的微觀結(jié)構(gòu)[25]000oC）下生長(zhǎng)出的石墨烯具有與 ITO 透明導(dǎo)電薄膜相備過(guò)程是，首先利用化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝在銅后在不破壞原子薄層的情況下將薄膜整體轉(zhuǎn)印到透明�？傮w而言，這種工藝繁瑣，生產(chǎn)出的透明導(dǎo)電薄膜成替代品。研究人員也嘗試采用溶液法生產(chǎn)石墨烯導(dǎo)電薄膜。但這些薄膜的性能較差（80%的透過(guò)率，3 kΩ/石墨烯薄片較低的長(zhǎng)徑比以及石墨烯層與層之間較大能否利用溶液法制備出與 ITO 薄膜性能相當(dāng)?shù)氖?

然后在不破壞原子薄層的情況下將薄膜整體轉(zhuǎn)印到透明基底上（如圖1-3 所示）[28]�？傮w而言，這種工藝繁瑣，生產(chǎn)出的透明導(dǎo)電薄膜成本高昂，不適合作為 ITO 的替代品。研究人員也嘗試采用溶液法生產(chǎn)石墨烯導(dǎo)電薄膜，如利用去角質(zhì)石墨烯薄膜。但這些薄膜的性能較差（80%的透過(guò)率，3 kΩ/□的表面電阻）[29]。這可能是石墨烯薄片較低的長(zhǎng)徑比以及石墨烯層與層之間較大的接觸電阻導(dǎo)致的。目前，能否利用溶液法制備出與 ITO 薄膜性能相當(dāng)?shù)氖┩该鲗?dǎo)電薄膜還未有定論。圖 1-3 氧化石墨烯的微觀結(jié)構(gòu)[28]


本文編號(hào)：3356051