鋁-氧化鋁混合粉末氮化反應(yīng)研究
發(fā)布時(shí)間:2021-08-06 08:53
在Ⅲ/Ⅴ氮化物中,氮化鋁(AlN)被認(rèn)為是一種現(xiàn)代新型的功能陶瓷材料,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、陶瓷以及基體材料等領(lǐng)域。商業(yè)AlN粉末主要有兩種方法工業(yè)化合成,即:直接氮化法和碳熱還原法。然而直接氮化法得到的氮化鋁易團(tuán)聚為塊狀;氧化鋁碳熱還原法需要的溫度高、反應(yīng)時(shí)間長(zhǎng);趦煞N傳統(tǒng)的氮化鋁粉末工業(yè)化生產(chǎn)制備的方法,在微正壓條件下,本文系統(tǒng)地探究了氧化鋁-鋁粉氮化反應(yīng)、鋁-氧化鋁碳熱還原氮化反應(yīng)這兩種不同反應(yīng)類型的氮化實(shí)驗(yàn)。試圖將直接氮化法和碳熱還原法結(jié)合起來以達(dá)到改善氮化鋁產(chǎn)物的團(tuán)聚且降低反應(yīng)溫度、縮短反應(yīng)時(shí)間的目的。氮化反應(yīng)研究在微正壓下、氮?dú)饬魉?.5L/min的條件下進(jìn)行。采用鋁粉、氧化鋁粉和石墨粉為原料,改變?cè)吓浔、保溫時(shí)間、反應(yīng)溫度等一系列實(shí)驗(yàn)條件探究其對(duì)氮化產(chǎn)物的物相和微觀形態(tài)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,鋁粉的添加有利于提高氧化鋁的活性,鋁-氧化鋁混合粉末在1500℃下通入氮?dú)?0min以上,完全轉(zhuǎn)化為AlON和AlN。隨著混合粉末中氧化鋁的配比增加,鋁粉直接氮化法出現(xiàn)燒結(jié)成塊的現(xiàn)象減輕。在鋁-氧化鋁混合粉末中添加石墨粉,明顯可以促進(jìn)氧化鋁的氮化反應(yīng)并改善氮化鋁產(chǎn)物的分散性。石墨、...
【文章來源】:昆明理工大學(xué)云南省
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
氣氛爐的裝置圖
昆明理工大學(xué)碩士學(xué)位論文231500℃、保溫時(shí)間為30min,從圖4(a)、(b)、(c)、(d)可見,原料配比分別為0:4、1:1、1:2、1:4時(shí),氮化產(chǎn)物表面形態(tài)差異明顯。原料配比為0:4,即純鋁時(shí)氮化產(chǎn)物燒結(jié)成為一整塊見圖(a),表面出現(xiàn)大量的氣孔,凹凸不平。原料配比為1:4見圖(b)氮化產(chǎn)物表面形態(tài)同樣凹凸不平而且出現(xiàn)大量的空穴,和鋁粉直接氮化獲得的產(chǎn)物表面形態(tài)相似。當(dāng)原料配比為1:2時(shí)見圖(c)氮化產(chǎn)物表面有少量的空穴,空穴數(shù)量明顯減少,同時(shí)孔徑由大變小,表面蓬松,表面呈現(xiàn)細(xì)小均勻顆粒狀,同原料配比為1:4時(shí)氮化產(chǎn)物的表面形態(tài)存在明顯不同;原料配比為1:1見圖(d)氮化產(chǎn)物表面空穴消失,氮化產(chǎn)物表面細(xì)化整體呈現(xiàn)顆粒狀形態(tài)。對(duì)比四種不同原料配比SEM圖像發(fā)現(xiàn),隨著原料中鋁粉配比減少,氮化產(chǎn)物表面空穴逐漸減少,而且孔徑也呈現(xiàn)由大到小的趨勢(shì),同時(shí)產(chǎn)物表面從因燒結(jié)而成塊且多孔的表面形態(tài)變化為顆粒狀蓬松細(xì)化的外觀形態(tài)。表明氧化鋁粉配比越高,越有利于形成分散性良好的氮化產(chǎn)物。圖4不同原料配比下的SEM圖像(保溫時(shí)間30min)Fig.4SEMimagesofdifferentmaterialratios(holdingtime30min)
昆明理工大學(xué)碩士學(xué)位論文26以通過實(shí)驗(yàn)探索合適的溫度和保溫時(shí)間,原料配比為1:4時(shí),氮化產(chǎn)物可以實(shí)現(xiàn)晶體化進(jìn)而改善氮化產(chǎn)物的分散性見圖(d)。相比溫度為1500℃、保溫時(shí)間30min時(shí)進(jìn)行反應(yīng)獲得的SEM圖像,延長(zhǎng)保溫時(shí)間到60min時(shí),獲得的氮化產(chǎn)物同一配比下晶體化更加明顯,并且延長(zhǎng)燒結(jié)時(shí)間后,獲得氮化產(chǎn)物表面的氣孔率明顯下降。表面顆粒化程度明顯比溫度為1500℃、保溫時(shí)間30min時(shí)進(jìn)行反應(yīng)獲得氮化產(chǎn)物提高。因此,可知,延長(zhǎng)保溫時(shí)間對(duì)氮化產(chǎn)物顆;潭扔兴纳啤D6不同原料配比下的SEM圖(保溫時(shí)間60min)Fig.6SEMimagesofdifferentmaterialratios(holdingtime60min)2.2.2反應(yīng)溫度對(duì)氧化鋁-鋁粉氮化反應(yīng)的影響氧化鋁與鋁粉的質(zhì)量配比為1:4、反應(yīng)時(shí)間為60min時(shí),研究反應(yīng)溫度對(duì)氧化鋁-鋁混合粉末氮化反應(yīng)的影響,反應(yīng)溫度分別為1400℃、1500℃和1600℃下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]片狀交聯(lián)結(jié)構(gòu)氧化鋁/鋁復(fù)合粉體的制備研究[J]. 侯海蘭,馮月斌,字富庭,楊保民. 硅酸鹽通報(bào). 2019(01)
[2]Al2O歧化法制備微細(xì)Al2O3/Al復(fù)合粉體[J]. 張笑,馮月斌,陳陣,楊保民. 硅酸鹽通報(bào). 2017(08)
[3]氮化鋁基陶瓷覆銅板的制作及其應(yīng)用[J]. 李磊,吳濟(jì)鈞,李國(guó)剛,許立菊. 真空電子技術(shù). 2015(06)
[4]滑石用量對(duì)鋁質(zhì)瓷性能的影響[J]. 余輝,羅凌虹,石紀(jì)軍,程亮,孫良良. 陶瓷學(xué)報(bào). 2014(04)
[5]碳熱還原反應(yīng)合成氮化鋁粉體的研究[J]. 許珂洲,宋勝東,張穎,周倩,陳加森,唐竹興. 硅酸鹽通報(bào). 2014(02)
[6]復(fù)合軟模板法可控制備紅毛丹狀A(yù)lOOH/Al2O3納米材料[J]. 許靜,強(qiáng)金鳳,王瑞娟,牛文軍,沈明. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2013(10)
[7]自蔓延高溫合成法合成金屬陶瓷功能梯度材料研究進(jìn)展[J]. 譚俊,張勇,吳迪,趙軍軍. 材料導(dǎo)報(bào). 2013(17)
[8]固態(tài)氧化鋁碳熱還原反應(yīng)研究進(jìn)展[J]. 馮月斌,楊斌,戴永年. 中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2013(03)
[9]高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷研究進(jìn)展[J]. 燕東明,高曉菊,劉國(guó)璽,常永威,喬光利,牟曉明,趙斌. 硅酸鹽通報(bào). 2011(03)
[10]微波碳熱還原法制備氮化鋁粉末的工藝研究[J]. 肖勁,周峰,陳燕彬. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2009(04)
碩士論文
[1]氮化鋁陶瓷直接覆銅基板的制備及性能研究[D]. 蔣盼.湖南大學(xué) 2015
[2]氮化鋁粉末的制備研究[D]. 姜珩.北京有色金屬研究總院 2012
[3]AlN陶瓷表面多層金屬化薄膜設(shè)計(jì)、制備及性能研究[D]. 占玙娟.湖南大學(xué) 2010
本文編號(hào):3325470
【文章來源】:昆明理工大學(xué)云南省
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
氣氛爐的裝置圖
昆明理工大學(xué)碩士學(xué)位論文231500℃、保溫時(shí)間為30min,從圖4(a)、(b)、(c)、(d)可見,原料配比分別為0:4、1:1、1:2、1:4時(shí),氮化產(chǎn)物表面形態(tài)差異明顯。原料配比為0:4,即純鋁時(shí)氮化產(chǎn)物燒結(jié)成為一整塊見圖(a),表面出現(xiàn)大量的氣孔,凹凸不平。原料配比為1:4見圖(b)氮化產(chǎn)物表面形態(tài)同樣凹凸不平而且出現(xiàn)大量的空穴,和鋁粉直接氮化獲得的產(chǎn)物表面形態(tài)相似。當(dāng)原料配比為1:2時(shí)見圖(c)氮化產(chǎn)物表面有少量的空穴,空穴數(shù)量明顯減少,同時(shí)孔徑由大變小,表面蓬松,表面呈現(xiàn)細(xì)小均勻顆粒狀,同原料配比為1:4時(shí)氮化產(chǎn)物的表面形態(tài)存在明顯不同;原料配比為1:1見圖(d)氮化產(chǎn)物表面空穴消失,氮化產(chǎn)物表面細(xì)化整體呈現(xiàn)顆粒狀形態(tài)。對(duì)比四種不同原料配比SEM圖像發(fā)現(xiàn),隨著原料中鋁粉配比減少,氮化產(chǎn)物表面空穴逐漸減少,而且孔徑也呈現(xiàn)由大到小的趨勢(shì),同時(shí)產(chǎn)物表面從因燒結(jié)而成塊且多孔的表面形態(tài)變化為顆粒狀蓬松細(xì)化的外觀形態(tài)。表明氧化鋁粉配比越高,越有利于形成分散性良好的氮化產(chǎn)物。圖4不同原料配比下的SEM圖像(保溫時(shí)間30min)Fig.4SEMimagesofdifferentmaterialratios(holdingtime30min)
昆明理工大學(xué)碩士學(xué)位論文26以通過實(shí)驗(yàn)探索合適的溫度和保溫時(shí)間,原料配比為1:4時(shí),氮化產(chǎn)物可以實(shí)現(xiàn)晶體化進(jìn)而改善氮化產(chǎn)物的分散性見圖(d)。相比溫度為1500℃、保溫時(shí)間30min時(shí)進(jìn)行反應(yīng)獲得的SEM圖像,延長(zhǎng)保溫時(shí)間到60min時(shí),獲得的氮化產(chǎn)物同一配比下晶體化更加明顯,并且延長(zhǎng)燒結(jié)時(shí)間后,獲得氮化產(chǎn)物表面的氣孔率明顯下降。表面顆粒化程度明顯比溫度為1500℃、保溫時(shí)間30min時(shí)進(jìn)行反應(yīng)獲得氮化產(chǎn)物提高。因此,可知,延長(zhǎng)保溫時(shí)間對(duì)氮化產(chǎn)物顆;潭扔兴纳啤D6不同原料配比下的SEM圖(保溫時(shí)間60min)Fig.6SEMimagesofdifferentmaterialratios(holdingtime60min)2.2.2反應(yīng)溫度對(duì)氧化鋁-鋁粉氮化反應(yīng)的影響氧化鋁與鋁粉的質(zhì)量配比為1:4、反應(yīng)時(shí)間為60min時(shí),研究反應(yīng)溫度對(duì)氧化鋁-鋁混合粉末氮化反應(yīng)的影響,反應(yīng)溫度分別為1400℃、1500℃和1600℃下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]片狀交聯(lián)結(jié)構(gòu)氧化鋁/鋁復(fù)合粉體的制備研究[J]. 侯海蘭,馮月斌,字富庭,楊保民. 硅酸鹽通報(bào). 2019(01)
[2]Al2O歧化法制備微細(xì)Al2O3/Al復(fù)合粉體[J]. 張笑,馮月斌,陳陣,楊保民. 硅酸鹽通報(bào). 2017(08)
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[4]滑石用量對(duì)鋁質(zhì)瓷性能的影響[J]. 余輝,羅凌虹,石紀(jì)軍,程亮,孫良良. 陶瓷學(xué)報(bào). 2014(04)
[5]碳熱還原反應(yīng)合成氮化鋁粉體的研究[J]. 許珂洲,宋勝東,張穎,周倩,陳加森,唐竹興. 硅酸鹽通報(bào). 2014(02)
[6]復(fù)合軟模板法可控制備紅毛丹狀A(yù)lOOH/Al2O3納米材料[J]. 許靜,強(qiáng)金鳳,王瑞娟,牛文軍,沈明. 物理化學(xué)學(xué)報(bào). 2013(10)
[7]自蔓延高溫合成法合成金屬陶瓷功能梯度材料研究進(jìn)展[J]. 譚俊,張勇,吳迪,趙軍軍. 材料導(dǎo)報(bào). 2013(17)
[8]固態(tài)氧化鋁碳熱還原反應(yīng)研究進(jìn)展[J]. 馮月斌,楊斌,戴永年. 中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào). 2013(03)
[9]高熱導(dǎo)率氮化鋁陶瓷研究進(jìn)展[J]. 燕東明,高曉菊,劉國(guó)璽,常永威,喬光利,牟曉明,趙斌. 硅酸鹽通報(bào). 2011(03)
[10]微波碳熱還原法制備氮化鋁粉末的工藝研究[J]. 肖勁,周峰,陳燕彬. 無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2009(04)
碩士論文
[1]氮化鋁陶瓷直接覆銅基板的制備及性能研究[D]. 蔣盼.湖南大學(xué) 2015
[2]氮化鋁粉末的制備研究[D]. 姜珩.北京有色金屬研究總院 2012
[3]AlN陶瓷表面多層金屬化薄膜設(shè)計(jì)、制備及性能研究[D]. 占玙娟.湖南大學(xué) 2010
本文編號(hào):3325470
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