單晶氧化鎵（β-Ga₂O₃）是具有超寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和深紫外波段透射率高等優(yōu)良物化特性的半導(dǎo)體材料,在高頻、高效率、大功率微電子器件和高壓設(shè)備領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。單晶氧化鎵材料的加工技術(shù)包括晶體生長(zhǎng)、切片、研磨、拋光等,尤其是研磨、拋光加工是決定晶片表面加工質(zhì)量的關(guān)鍵加工工序。由于其自身的解理屬性,在傳統(tǒng)研磨加工過(guò)程中容易出現(xiàn)解理裂紋、解理舌、解理坑等缺陷,后期拋光過(guò)程中難以進(jìn)行去除,嚴(yán)重影響晶片表面質(zhì)量,制約其推廣應(yīng)用。本文主要研究?jī)?nèi)容如下:（1）制備粘彈性氧化鎵用研磨墊�；谡硰椥圆牧狭W(xué)行為的變形理論制備了粘彈性氧化鎵用研磨墊,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究確定了其組成成分,結(jié)果表明:彈性層為布基、研磨層由質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%-10%金剛石微粉、25%-40%樹(shù)脂膠、30%-40%水溶性研磨助劑和去離子水組成。（2）研究粘彈性研磨墊對(duì)氧化鎵研磨效果的影響。采用傳統(tǒng)錫盤(pán)、砂紙和粘彈性研磨墊對(duì)氧化鎵進(jìn)行研磨對(duì)比實(shí)驗(yàn)研究,結(jié)果表明:當(dāng)研磨壓力為50g/cm²,轉(zhuǎn)速為120rpm,采用錫盤(pán)和砂紙研磨時(shí),參與有效去除的磨粒數(shù)目多,磨�？焖偾腥�... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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（a）β-Ga2O3場(chǎng)效應(yīng)晶體管橫截面（b）光學(xué)顯微鏡俯視圖

江 蘇 大 學(xué) 專 業(yè) 碩 士 學(xué) 位 論 文aN制造相同結(jié)構(gòu)的器件時(shí)，通常難以達(dá)到同樣的指體器件的研發(fā)方面具有很大的成本優(yōu)勢(shì)[20]。 1.3（a）β-Ga2O3場(chǎng)效應(yīng)晶體管橫截面 （b）光學(xué)顯微鏡俯oss section of β-Ga2O3field effect transistor (b) Optical micro

圖 2.1 導(dǎo)模法生長(zhǎng)單晶氧化鎵過(guò)程示意圖Fig.2.1 The schematic diagram of β-Ga2O3by EF法Floating Zone Technique, FZ）是目前生長(zhǎng)單方法采用四燈加熱技術(shù)，其生長(zhǎng)原理示意化鎵粉末放入橡膠管中，經(jīng)壓縮并在高溫紅外成像爐中通過(guò)大功率光學(xué)設(shè)備進(jìn)行加

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]聚氨酯拋光墊機(jī)械拋光釓鎵石榴石晶片[J]. 張浩然,金洙吉,王紫光,韓曉龍.  金剛石與磨料磨具工程. 2017(02)
[2]我國(guó)節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)[J]. 吳琦.  中國(guó)國(guó)情國(guó)力. 2017(03)
[3]“十三五”節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃[J].   有色冶金節(jié)能. 2017(01)
[4]聚氨酯/無(wú)紡布復(fù)合拋光墊的微結(jié)構(gòu)控制及透水性能改進(jìn)[J]. 張曉丹,成惠民,曹新宇,張京楠,馬永梅.  塑料. 2016(01)
[5]寬禁帶半導(dǎo)體β-Ga2O3單晶的研究進(jìn)展[J]. 張宏哲,王林軍,夏長(zhǎng)泰,賽青林,肖海林.  人工晶體學(xué)報(bào). 2015(11)
[6]剪切增稠拋光磨料液的制備及其拋光特性[J]. 李敏,袁巨龍,呂冰海.  光學(xué)精密工程. 2015(09)
[7]CMP過(guò)程中拋光墊表面溝槽對(duì)液膜厚度影響研究[J]. 鐘靜,魏昕,謝小柱,楊向東.  制造技術(shù)與機(jī)床. 2015(05)
[8]鈦酸鋇陶瓷基片的雙面研拋加工研究[J]. 李國(guó)明,閻秋生,潘繼生.  金剛石與磨料磨具工程. 2015(01)
[9]單面研磨6H-SiC單晶片的加工表面性能分析[J]. 潘繼生,閻秋生,李偉.  金剛石與磨料磨具工程. 2014(06)
[10]粘彈性磁性磨具的細(xì)觀力學(xué)數(shù)值模擬及實(shí)驗(yàn)研究[J]. 范文開(kāi),李秀紅,李文輝.  現(xiàn)代制造工程. 2014(11)

博士論文
[1]氧化鎵光電探測(cè)與信息存儲(chǔ)器件研究[D]. 郭道友.北京郵電大學(xué) 2016
[2]Beta-氧化鎵異質(zhì)外延薄膜的制備及特性研究[D]. 弭偉.山東大學(xué) 2014
[3]金剛石線鋸切割半導(dǎo)體陶瓷的機(jī)理與工藝研究[D]. 趙禮剛.南京航空航天大學(xué) 2010
[4]紫外光固化金剛石線鋸制造技術(shù)研究[D]. 劉福慶.浙江工業(yè)大學(xué) 2009

碩士論文
[1]氧化鎵異質(zhì)外延薄膜結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系研究[D]. 夏勇.電子科技大學(xué) 2016
[2]黏彈性阻尼隨機(jī)系統(tǒng)最優(yōu)有界控制及瞬態(tài)響應(yīng)[D]. 桑超.廈門大學(xué) 2014
[3]大口徑KDP晶體切片專用線鋸床設(shè)計(jì)[D]. 趙慶超.山東大學(xué) 2012
[4]木復(fù)合材料熱粘彈性本構(gòu)研究與熱成形模擬[D]. 劉雪.上海交通大學(xué) 2012



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