基于固態(tài)碳源的石墨烯低溫制備與應(yīng)用研究
發(fā)布時(shí)間:2021-06-26 11:38
石墨烯以其杰出的電學(xué)性質(zhì)、優(yōu)異的熱力學(xué)穩(wěn)定性和良好的機(jī)械強(qiáng)度,引起了學(xué)術(shù)界、工業(yè)界的廣泛關(guān)注。近年來,納米復(fù)合材料、儲(chǔ)能器件和智能傳感器的快速發(fā)展,給石墨烯的制備應(yīng)用研究帶來了極大的推動(dòng)力。將氧化石墨烯還原制備得到石墨烯是一種工藝簡單且成本低的石墨烯制備方法,是很有希望成為工業(yè)化制備石墨烯的路徑之一。與此同時(shí),從固態(tài)碳源中提取的非晶碳的重新排列,為石墨烯的生長提供了另一種途徑。本文主要研究了基于固態(tài)碳源的石墨烯低溫制備方法,利用基于磁控濺射法沉積非晶碳的結(jié)構(gòu)重排和氧化石墨烯的等離子體還原來制備石墨烯。優(yōu)化了相關(guān)制備工藝,揭示了石墨烯生長的內(nèi)在機(jī)理,探討基于還原氧化石墨烯的應(yīng)力傳感器件應(yīng)用。本文第一部分利用磁控濺射方法沉積非晶碳作為石墨烯的生長碳源,探究了退火溫度對(duì)石墨烯生長及質(zhì)量的影響,通過對(duì)比發(fā)現(xiàn),Ni在利用非晶碳制備石墨烯過程中起至關(guān)重要的作用。制備得到的石墨烯的質(zhì)量并非隨溫度的升高而提高,在550?C的退火溫度下,ID/IG值為0.5,石墨烯的缺陷較少。溫度過高(>600?C)時(shí),石墨烯會(huì)發(fā)生逆溶解現(xiàn)象,600?C時(shí)石墨烯的三個(gè)特...
【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:70 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
結(jié)構(gòu)示意圖
利用固態(tài)PMMA膜合成單層石墨烯
利用FVAS沉積的非晶碳制備石墨烯
本文編號(hào):3251271
【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:70 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
結(jié)構(gòu)示意圖
利用固態(tài)PMMA膜合成單層石墨烯
利用FVAS沉積的非晶碳制備石墨烯
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