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還原氧化多孔石墨烯材料的制備與分析及其應(yīng)用于超級電容器

發(fā)布時(shí)間:2021-04-13 21:42
  因?yàn)樯鐣?huì)環(huán)境污染的問題研究日益引起人們的關(guān)注,鼎力推行使用清潔,可再生能源已成為社會(huì)發(fā)展的一個(gè)重要方向。與此同時(shí),能源的存儲(chǔ)成為清潔能源能否廣泛被運(yùn)用的關(guān)鍵所在,如何提高能源儲(chǔ)蓄能力,成為科學(xué)家面臨的難題。超級電容器、鋰離子動(dòng)力電池技術(shù)作為一種新型儲(chǔ)能器件,在儲(chǔ)能領(lǐng)域的作用可謂舉足輕重。眾所周知,鋰電池的能量密度高,具備很強(qiáng)的儲(chǔ)能能力,但功率輸出受自身特點(diǎn)限制,無法高功率輸出所存儲(chǔ)的電能,限制了其發(fā)展應(yīng)用。超級電容器可以快速充放電的特點(diǎn)造就了其功率密度高的優(yōu)勢,彌補(bǔ)了鋰電池方面的不足。不過,與鋰電池比較,超級電容器的能量密度仍然很小。進(jìn)一步提高超級電容器的存儲(chǔ)容量,是科研工作者需要努力的方向。本實(shí)驗(yàn)以合成還原氧化多孔石墨烯為目標(biāo),通過加入模板劑(MgO、ZnO),避免石墨烯片層的堆疊及改變石墨烯片層結(jié)構(gòu),來達(dá)到這一目的。不同模板劑的加入,是為了研究不同的模板劑在改變石墨烯結(jié)構(gòu)上的不同效果,以及在電化學(xué)測試上的不同表現(xiàn)。本論文的具體工作內(nèi)容如下:(1)在參考Hummer法的基礎(chǔ)上,通過向合成過程中加入模板劑,來改變石墨烯片層形貌,成功地制備出表面呈曲折形貌的石墨烯。在孔徑分布圖中也可以看... 

【文章來源】:北京化工大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:76 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

還原氧化多孔石墨烯材料的制備與分析及其應(yīng)用于超級電容器


圖1-6合成預(yù)防堆疊的石墨烯流程圖[15]??Fig.1-6?Flow?chart?for?synthesis?of?graphene?to?prevent?stacking^151.??

電鏡圖,氧化石墨,模板劑,接觸角


?作測試用。??2.3.5接觸角測定儀??接觸角測定儀,是測量滴在材料上的液體與其表面的接觸角,其實(shí)也是對固??體表面液體的浸潤性,可以測定多種液體對選定的材料的之間接觸角。本實(shí)驗(yàn)選??用型號為DSA-X?PLUS的接觸角測試儀。需將材料壓成薄片狀,以作測試用。??2.4結(jié)果與討論??2.4.1形貌表征??在相同的合成條件,分別制備了不加入模板劑的還原氧化石墨烯,和加入??不同模板劑(MgO、ZnO)得到的還原氧化多孔石墨烯。其中不加入模板劑制??得的還原氧化石墨烯形貌表征如圖2-1?(a-c),從電鏡圖可以看到,材料具有層??狀結(jié)構(gòu),但層與層的堆疊狀況較為嚴(yán)重,在單層的表面,出現(xiàn)了較為明顯的褶??皺形貌。??mm?1??圖2-1未加入模板劑制得的還原氧化石墨烯的掃描電鏡圖(a)丨0?um,(b)l?um,(c)250nm??Fig?2-1?SEM?of?reduced?graphene?oxide?prepared?without?adding?template?(a)?10?um,?(b)?1?um,??(c)?250nm??當(dāng)加入不同模板劑(MgO、ZnO)后,制得的還原氧化多孔石墨烯的形貌如??圖2-2?(a-b),從電鏡圖可以看到,當(dāng)加入的模板劑未較大粒徑的MgO時(shí),所制??得的還原氧化多孔石墨烯材料層與層之間的空隙較大,同時(shí)由于模板留下的凹陷??形成了孔道結(jié)構(gòu),孔道結(jié)構(gòu)的孔徑也受模板的影響,具有較大的尺寸。而當(dāng)使用??ZnO作為模板時(shí),由于所使用的ZnO的粒徑較小,制備的還原氧化多孔石墨烯??的層間距也相對較小,模板留下的凹陷形成的孔道結(jié)構(gòu)尺寸也較校??32??

電鏡圖,石墨,結(jié)構(gòu)表征,模板劑


?第二章模板法多孔石墨烯的制備與表征???國??圖2-2加入不同模板劑制得的還原氧化多孔石墨烯的掃描電鏡圖(a)M-rGO,(b)Z-rGO??Fig?2-2?SEM?of?reduced?oxidized?porous?graphene?prepared?by?adding?different?template?agents??(a)?M-rGO,?(b)?Z-rGO??2.4.2結(jié)構(gòu)表征??如圖2-3所示,為制備的不同還原氧化多孔石墨烯的Raman圖,從圖中可以看??至IJ,出現(xiàn)兩個(gè)特征峰,分別出現(xiàn)在了?1596cm-1處和1346cm-1處,這兩個(gè)峰各自??對應(yīng)著材料的G特征峰和D特征峰。無序結(jié)構(gòu)振動(dòng)引起的D特征峰的顯示了出??D-band??JG-band??M-rGO???Z-rGO??I?—??^?卜I".??500?1000?1500?2000?2500?3000?3500??Raman?Shift(cm*1)??圖2-3制備不同還原氧化多孔石墨條的Raman圖??Fig.2-3?Raman?diagrams?of?different?reduced-oxidized?porous?graphene??33??


本文編號:3136056

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