隨著時代的變遷與持續(xù)發(fā)展,人類現(xiàn)在已經(jīng)全面步入互聯(lián)網(wǎng)新型發(fā)展的階段,新型半導體納米材料已經(jīng)應(yīng)用于諸多新興領(lǐng)域。ZnO是一種典型的寬禁帶半導體材料,由于其獨特的電學、光學以及壓電性能,使其近年來得到了迅速的發(fā)展。ZnO還擁有多樣的納米結(jié)構(gòu),一維ZnO納米材料可以作為一種很好的光敏材料,對紫外光的響應(yīng)靈敏度特別高,在室溫下?lián)碛休^高的紫外光發(fā)射效率,可用來制做光電探測器或者光學開關(guān)。而且可作為工作電極應(yīng)用于太陽能電池,提高激子的有效分離效率,抑制電子和空穴對發(fā)生復(fù)合,從而使納米晶粒之間的電子在跳躍傳輸過程中被俘獲的幾率明顯降低。本文以一維ZnO納米線作為研究對象,通過脈沖激光沉積（PLD）法和水熱法兩步法來制備ZnO納米線,研究了ZnO納米線的形貌、晶體結(jié)晶狀況、以及光發(fā)射等特性。首先,研究影響脈沖激光沉積鍍膜的因素,然后在不同沉積時間、水熱反應(yīng)時間以及溫度下,對一維ZnO納米線形貌、結(jié)構(gòu)以及性能進行探索。并且在室溫下,測試退火對發(fā)光性能的影響。本論文的主要工作包括三個部分。第一部分探究影響脈沖激光沉積ZnO薄膜生長的幾種因素,包括襯底溫度與脈沖能量。通過對ZnO薄膜表面形貌的觀察、晶體結(jié)構(gòu)... 

【文章來源】：北京郵電大學北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：50 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１制作金屬觸點的步驟示意圖說明〇三個樣品㈦電壓特＆?（ｆ）正向偏壓的光強度與電流關(guān)系圖［２２］??哈佛大學的Ｂａｏ組以ｐ－Ｓｉ為襯底并使用聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）作為負阻劑??

Ｐｒｉｓｔｉｎｅ?〇＾�。颍蓿�??圖１．２?（ａ）聚隹吩改性ＺｎＯ納米線基板的結(jié)構(gòu)示意圖；（ｂ）溶液相制備樣品干燥后粉末狀圖［２３］??Ｌ．?Ｂｒｉｓｅｎｏ組通過將功能化的低聚物和聚噻吩接枝到ＺｎＯ納米線上，制備ｐ－ｎ異質(zhì)??結(jié)納米線，完成了對單個有機／無機混合納米線太陽能電池的基本操作圖（ａ）是用紫??外－可見吸收測量的聚噻吩改性ＺｎＯ納米線基板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖（ｂ）是溶液相制備ＺｎＯ??納米線、ＺｎＯ／ＱＴ和ＺｎＯ／Ｐ３ＨＴ及它們干燥后粉末狀圖。對于太陽能電池，所制備的結(jié)??構(gòu)經(jīng)過分析發(fā)現(xiàn)能夠在納米結(jié)構(gòu)陣列和異質(zhì)結(jié)器件等難以研宄的領(lǐng)域產(chǎn)生影響，證明所??制備ｐ－ｎ異質(zhì)結(jié)納米線具有理想的特性［２３Ｌ??丨：??ＬＪ?Ａ－：：?．?１??Ｊ?…??，?Ｍ?＾＿一?Ｉ．?－??圖１．３各種樣品不同方位的ＳＥＭ圖［２５］??３??

圖１．２?（ａ）聚隹吩改性ＺｎＯ納米線基板的結(jié)構(gòu)示意圖；（ｂ）溶液相制備樣品干燥后粉末狀圖［２３］??－


本文編號：3134501