隨著時(shí)代的變遷與持續(xù)發(fā)展,人類(lèi)現(xiàn)在已經(jīng)全面步入互聯(lián)網(wǎng)新型發(fā)展的階段,新型半導(dǎo)體納米材料已經(jīng)應(yīng)用于諸多新興領(lǐng)域。ZnO是一種典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)以及壓電性能,使其近年來(lái)得到了迅速的發(fā)展。ZnO還擁有多樣的納米結(jié)構(gòu),一維ZnO納米材料可以作為一種很好的光敏材料,對(duì)紫外光的響應(yīng)靈敏度特別高,在室溫下?lián)碛休^高的紫外光發(fā)射效率,可用來(lái)制做光電探測(cè)器或者光學(xué)開(kāi)關(guān)。而且可作為工作電極應(yīng)用于太陽(yáng)能電池,提高激子的有效分離效率,抑制電子和空穴對(duì)發(fā)生復(fù)合,從而使納米晶粒之間的電子在跳躍傳輸過(guò)程中被俘獲的幾率明顯降低。本文以一維ZnO納米線(xiàn)作為研究對(duì)象,通過(guò)脈沖激光沉積（PLD）法和水熱法兩步法來(lái)制備ZnO納米線(xiàn),研究了ZnO納米線(xiàn)的形貌、晶體結(jié)晶狀況、以及光發(fā)射等特性。首先,研究影響脈沖激光沉積鍍膜的因素,然后在不同沉積時(shí)間、水熱反應(yīng)時(shí)間以及溫度下,對(duì)一維ZnO納米線(xiàn)形貌、結(jié)構(gòu)以及性能進(jìn)行探索。并且在室溫下,測(cè)試退火對(duì)發(fā)光性能的影響。本論文的主要工作包括三個(gè)部分。第一部分探究影響脈沖激光沉積ZnO薄膜生長(zhǎng)的幾種因素,包括襯底溫度與脈沖能量。通過(guò)對(duì)ZnO薄膜表面形貌的觀察、晶體結(jié)構(gòu)... 

【文章來(lái)源】：北京郵電大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：50 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１制作金屬觸點(diǎn)的步驟示意圖說(shuō)明〇三個(gè)樣品㈦電壓特＆?（ｆ）正向偏壓的光強(qiáng)度與電流關(guān)系圖［２２］??哈佛大學(xué)的Ｂａｏ組以ｐ－Ｓｉ為襯底并使用聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）作為負(fù)阻劑??

Ｐｒｉｓｔｉｎｅ?〇＾！ｒ＾？??圖１．２?（ａ）聚隹吩改性ＺｎＯ納米線(xiàn)基板的結(jié)構(gòu)示意圖；（ｂ）溶液相制備樣品干燥后粉末狀圖［２３］??Ｌ．?Ｂｒｉｓｅｎｏ組通過(guò)將功能化的低聚物和聚噻吩接枝到ＺｎＯ納米線(xiàn)上，制備ｐ－ｎ異質(zhì)??結(jié)納米線(xiàn)，完成了對(duì)單個(gè)有機(jī)／無(wú)機(jī)混合納米線(xiàn)太陽(yáng)能電池的基本操作圖（ａ）是用紫??外－可見(jiàn)吸收測(cè)量的聚噻吩改性ＺｎＯ納米線(xiàn)基板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖（ｂ）是溶液相制備ＺｎＯ??納米線(xiàn)、ＺｎＯ／ＱＴ和ＺｎＯ／Ｐ３ＨＴ及它們干燥后粉末狀圖。對(duì)于太陽(yáng)能電池，所制備的結(jié)??構(gòu)經(jīng)過(guò)分析發(fā)現(xiàn)能夠在納米結(jié)構(gòu)陣列和異質(zhì)結(jié)器件等難以研宄的領(lǐng)域產(chǎn)生影響，證明所??制備ｐ－ｎ異質(zhì)結(jié)納米線(xiàn)具有理想的特性［２３Ｌ??丨：??ＬＪ?Ａ－：：?．?１??Ｊ?…??，?Ｍ?＾＿一?Ｉ．?－??圖１．３各種樣品不同方位的ＳＥＭ圖［２５］??３??

圖１．２?（ａ）聚隹吩改性ＺｎＯ納米線(xiàn)基板的結(jié)構(gòu)示意圖；（ｂ）溶液相制備樣品干燥后粉末狀圖［２３］??－


本文編號(hào)：3134501