功能化修飾的石墨相氮化碳納米片的抗癌應(yīng)用研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-28 11:49
氮化碳(C3N4)是一種由碳元素和氮元素組成的材料。而石墨相氮化碳(g-C3N4)是C3N4中的一種類石墨烯的二維材料。由于其具有優(yōu)異的光電性能,在可見光照射下顯示出良好的光催化活性,因此g-C3N4被廣泛應(yīng)用于催化領(lǐng)域。同時(shí),g-C3N4在水中溶解性良好,比表面積大,生物毒性低,所以g-C3N4也逐漸在生物檢測、生物載體等方面得以應(yīng)用。利用加熱煅燒富氮前體可以得到塊狀g-C3N4,隨后通過超聲機(jī)械剝離或者超聲輔助液相剝離等手段可以得到納米級別的g-C3N4。g-C3N4可以借助π-π堆積作用、靜電作用等方式吸附所需要修飾的化合物或者藥物分子。此外,通過不同的剝離手段,可以將不同的原子修飾到g-C...
【文章來源】:上海師范大學(xué)上海市
【文章頁數(shù)】:76 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)g-C3N4的三嗪結(jié)構(gòu);(b)g-C3N4的七嗪結(jié)構(gòu)
論文 氰胺[8]、硫脲[9]、脲[10]或其混合物[11]。X 射碳氮化物的相。g-C3N4的 XRD 圖譜具有 1-3a)。對于石墨材料,前者可以被指數(shù)為且后者可以被指數(shù)為對應(yīng)于晶面間分離量用于研究 g-C3N4中碳(圖 1-3b)和氮的 sp2鍵合碳(約 284.6 eV)和 N-C = N( 398.7 eV),N-(C)3基團(tuán)中的氮(約 400C-N-H,約 401.4eV)的存在。因此,元素分例如 C 和 N 百分比和 C/N 比。UV-vis 漫反隙(Eg)。粗略地,可以通過使用以下簡 λ (nm)是給定樣本的吸收帶邊緣。[9]
材料的元素含量,例如 C 和 N 百分比和 C/N 比。UV-vis 漫反射光譜通常用于評估 g-C3N4樣品的帶隙(Eg)。粗略地,可以通過使用以下簡單等式來估計(jì) Eg:Eg = 1240 /λ,其中 λ (nm)是給定樣本的吸收帶邊緣。[9]圖 1-2 氰胺、雙氰胺、三聚氰胺、硫脲和尿素縮合合成 g-C3N4的主要途徑示意圖。化學(xué)結(jié)構(gòu)示意圖中的顏色表示:C,黑色;N,紅色; H,藍(lán)色;S,紫色;O,白色[3]
本文編號(hào):3105506
【文章來源】:上海師范大學(xué)上海市
【文章頁數(shù)】:76 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
(a)g-C3N4的三嗪結(jié)構(gòu);(b)g-C3N4的七嗪結(jié)構(gòu)
論文 氰胺[8]、硫脲[9]、脲[10]或其混合物[11]。X 射碳氮化物的相。g-C3N4的 XRD 圖譜具有 1-3a)。對于石墨材料,前者可以被指數(shù)為且后者可以被指數(shù)為對應(yīng)于晶面間分離量用于研究 g-C3N4中碳(圖 1-3b)和氮的 sp2鍵合碳(約 284.6 eV)和 N-C = N( 398.7 eV),N-(C)3基團(tuán)中的氮(約 400C-N-H,約 401.4eV)的存在。因此,元素分例如 C 和 N 百分比和 C/N 比。UV-vis 漫反隙(Eg)。粗略地,可以通過使用以下簡 λ (nm)是給定樣本的吸收帶邊緣。[9]
材料的元素含量,例如 C 和 N 百分比和 C/N 比。UV-vis 漫反射光譜通常用于評估 g-C3N4樣品的帶隙(Eg)。粗略地,可以通過使用以下簡單等式來估計(jì) Eg:Eg = 1240 /λ,其中 λ (nm)是給定樣本的吸收帶邊緣。[9]圖 1-2 氰胺、雙氰胺、三聚氰胺、硫脲和尿素縮合合成 g-C3N4的主要途徑示意圖。化學(xué)結(jié)構(gòu)示意圖中的顏色表示:C,黑色;N,紅色; H,藍(lán)色;S,紫色;O,白色[3]
本文編號(hào):3105506
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