銀納米結(jié)構(gòu)力學(xué)和氧化行為的原位透射電鏡研究
發(fā)布時(shí)間:2021-03-05 06:06
金屬銀(Ag)作為一種我們生活中常見的貴金屬材料,具有很高的科研價(jià)值和廣闊的工業(yè)應(yīng)用空間。近年來,Ag微納結(jié)構(gòu)材料在微機(jī)電系統(tǒng)、電子器件、催化等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,其在服役過程中必然經(jīng)歷各種力、電、熱等各種載荷的作用,從而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)變化和損傷,因此有必要對(duì)Ag微納結(jié)構(gòu)材料在外場(chǎng)作用下的結(jié)構(gòu)演化開展研究。微納機(jī)電設(shè)備的優(yōu)化設(shè)計(jì)需要調(diào)整其納米材料的尺寸,尺寸不僅包括材料的直徑也包括材料的長(zhǎng)度,然而先前大量的研究大量集中在直徑對(duì)力學(xué)性能的影響上,而長(zhǎng)度對(duì)于小尺寸晶體的力學(xué)性能影響仍知之甚少。利用無定型碳沉積的方法,在透射電子顯微鏡中研究了相同直徑但長(zhǎng)度不同的Ag納米線的力學(xué)變形行為。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示在Ag納米線的變形行為中存在顯著的長(zhǎng)度效應(yīng),即納米線的強(qiáng)度和延展性都會(huì)隨長(zhǎng)度的減小而增加。長(zhǎng)度效應(yīng)引起納米線塑性差異的原因是滑移模式的變化;而長(zhǎng)度效應(yīng)引起的納米線強(qiáng)度差異是由納米線表面不穩(wěn)定缺陷的數(shù)量造成的。對(duì)不同金屬晶體的定量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明,由于不同的變形機(jī)制,納米金屬的強(qiáng)度隨長(zhǎng)徑比的減少呈現(xiàn)兩個(gè)完全相反的趨勢(shì)。具體來說,當(dāng)直徑恒定時(shí),強(qiáng)度隨長(zhǎng)徑比的減小而增大;而當(dāng)長(zhǎng)度恒定時(shí),強(qiáng)度隨長(zhǎng)徑比的減小而減小。...
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.3塊體金屬納米材料中歸一化的屈服強(qiáng)度和延伸率的關(guān)系@1
除了上述的理論外,還有一種解釋尺寸效應(yīng)的經(jīng)典理論,“位錯(cuò)源控制”理??論。Volkert等人[43]對(duì)小尺寸的Au單晶柱進(jìn)行了壓縮變形實(shí)驗(yàn),得到的直徑與屈??服強(qiáng)度、應(yīng)變硬化率的關(guān)系如圖1.6所示,可以看到屈服強(qiáng)度和應(yīng)變硬化率都隨??著直徑的增大呈線性下降的趨勢(shì)。他們認(rèn)為變形行為是由位錯(cuò)源的激活控制的,??在遵循Hall-Petch關(guān)系的前提下,大的位錯(cuò)密度(例如位錯(cuò)堆積)將導(dǎo)致很大的??內(nèi)應(yīng)力去激活位錯(cuò)源。微米柱晶體內(nèi)部初始存在的位錯(cuò)源隨著微米柱半徑減小而??減少,即小的納米柱中的位錯(cuò)源密度越小,因而在小納米柱中位錯(cuò)想要形核就十??分困難,需要更高的應(yīng)力作用才能發(fā)生塑性變形。在此基礎(chǔ)上,Parthasarath等人??[44]對(duì)位錯(cuò)源的臂長(zhǎng)進(jìn)行了分析,如圖1.7所示,他們發(fā)現(xiàn)與宏觀塊體材料中的??Frank-Read位錯(cuò)源主導(dǎo)的變形機(jī)制不同,在納米柱中存在可以一端固定在內(nèi)部,??另一端位于自由表面的單臂位錯(cuò)源(Single-armdislocationsources),這些位錯(cuò)源??可以在內(nèi)部自由滑移
diameter?(^m)?diameter?(jim)??圖1.6?(a)?5%塑性應(yīng)變下的屈服應(yīng)力和(b)所有測(cè)試柱的應(yīng)變硬化率:晶粒A?(黑色菱??形),晶粒B?(空心三角形)和晶粒C?(灰色圓形)。實(shí)線顯示最佳擬合數(shù)據(jù),斜率為(a)??-0.61?和(b)?-1.07t43】。??Figurel.6?(a)?Yield?stress?at?5%?plastic?strain?and?(b)?strain?hardening?rate?for?all?columns?tested:??Grain?A?(black?diamonds),?Grain?B?(open?triangles),?and?Grain?C?(grey?circles).?The?solid?lines??show?best?fits?to?the?data?with?slopes?of?(a)?—0.61?and?(b)?-1.07[43】.??a??輪^??^????圖1.7?(a)?Frank-Read源在有限維樣本中快速成為單邊源的示意圖。(b)關(guān)鍵配置中有限??圓柱形樣品中單邊源示意圖,其中從銷到自由表面的距離最短。可用來源中最長(zhǎng)的臂(在??這種情況下為藍(lán)色)決定了臨界剪切應(yīng)力。因此,有限尺寸樣品中的銷的統(tǒng)計(jì)數(shù)量決定了??樣品的屈服強(qiáng)度[44]。??Figure?1.7?(a)?A?schematic?sketch?of?how?double-pinned?Frank-Read?sources?quickly?become??single-ended?sources?in?samples?of?finite?dimensions
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金屬高溫氧化和熱腐蝕[J]. 腐蝕科學(xué)與防護(hù)技術(shù). 2003(03)
本文編號(hào):3064709
【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:80 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.3塊體金屬納米材料中歸一化的屈服強(qiáng)度和延伸率的關(guān)系@1
除了上述的理論外,還有一種解釋尺寸效應(yīng)的經(jīng)典理論,“位錯(cuò)源控制”理??論。Volkert等人[43]對(duì)小尺寸的Au單晶柱進(jìn)行了壓縮變形實(shí)驗(yàn),得到的直徑與屈??服強(qiáng)度、應(yīng)變硬化率的關(guān)系如圖1.6所示,可以看到屈服強(qiáng)度和應(yīng)變硬化率都隨??著直徑的增大呈線性下降的趨勢(shì)。他們認(rèn)為變形行為是由位錯(cuò)源的激活控制的,??在遵循Hall-Petch關(guān)系的前提下,大的位錯(cuò)密度(例如位錯(cuò)堆積)將導(dǎo)致很大的??內(nèi)應(yīng)力去激活位錯(cuò)源。微米柱晶體內(nèi)部初始存在的位錯(cuò)源隨著微米柱半徑減小而??減少,即小的納米柱中的位錯(cuò)源密度越小,因而在小納米柱中位錯(cuò)想要形核就十??分困難,需要更高的應(yīng)力作用才能發(fā)生塑性變形。在此基礎(chǔ)上,Parthasarath等人??[44]對(duì)位錯(cuò)源的臂長(zhǎng)進(jìn)行了分析,如圖1.7所示,他們發(fā)現(xiàn)與宏觀塊體材料中的??Frank-Read位錯(cuò)源主導(dǎo)的變形機(jī)制不同,在納米柱中存在可以一端固定在內(nèi)部,??另一端位于自由表面的單臂位錯(cuò)源(Single-armdislocationsources),這些位錯(cuò)源??可以在內(nèi)部自由滑移
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]金屬高溫氧化和熱腐蝕[J]. 腐蝕科學(xué)與防護(hù)技術(shù). 2003(03)
本文編號(hào):3064709
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