高品質(zhì)、低損耗PZT基多組元壓電陶瓷材料的研究
【學(xué)位授予單位】:貴州大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TQ174.75
【圖文】:
1.1.1 壓電效應(yīng)壓電陶瓷是一種具有機(jī)械能和電能相互轉(zhuǎn)換的多晶體材料,已成為 21 世紀(jì)重要的信息功能材料之一[1-3]。19 世紀(jì) 80 年代初居里兄弟通過對電氣石以及石英施加應(yīng)力時(shí),產(chǎn)生了電荷,進(jìn)而發(fā)現(xiàn)了壓電性。隨后,他們又發(fā)現(xiàn)了逆壓電效應(yīng)。當(dāng)對壓電陶瓷施加外應(yīng)力時(shí),其表面會發(fā)生收縮形變現(xiàn)象,使得壓電陶瓷內(nèi)部的剩余極化強(qiáng)度降低,內(nèi)部表面束縛電荷減少,多余的自由電荷出現(xiàn)在壓電陶瓷的兩端,就會出現(xiàn)放電現(xiàn)象[4],如圖 1-1(a)所示。這種由“壓”產(chǎn)生“電”的效應(yīng)稱作正壓電效應(yīng),即機(jī)械能向電能的轉(zhuǎn)化。當(dāng)對壓電陶瓷施加一個(gè)沿極化方向的電場時(shí),陶瓷的剩余極化強(qiáng)度會出現(xiàn)相應(yīng)的變化,其表面產(chǎn)生伸縮形變,如圖 1-1(b)所示。這種由“電”產(chǎn)生“伸縮”的效應(yīng)稱作逆壓電效應(yīng),即電能向機(jī)械能的轉(zhuǎn)化[5]。
NN-PZT 體系[25-28]具有較高的彌散系數(shù)值,陶瓷的介電弛豫程鐵電體來說,彌散系數(shù) γ 值可通過修正的居里-外斯(Curie-擬合得出:1 1 =( ) , T ≥ Tm, 1 ≤ γ ≤ 2 (1-8),m為介電常數(shù)的最大值;Tm為m所對應(yīng)的溫度,單位用℃-Weiss 常數(shù)。(P-E 曲線)強(qiáng)的交變電場作用下,鐵電體的極化強(qiáng)度 P 隨外電場呈非線性度范圍內(nèi),極化強(qiáng)度(P)表現(xiàn)為電場(E)的雙值函數(shù),并表個(gè) P-E 曲線被稱之為電滯回線,如圖 1-2 所示。從電滯回線能電體的自發(fā)極化強(qiáng)度(Ps),剩余極化強(qiáng)度(Pr)以及矯頑場小。
第一章 緒論鉛壓電陶瓷壓電陶瓷中最具代表性的是鋯鈦酸鉛壓電陶瓷,化學(xué))O3(簡稱 PZT),在 20 世紀(jì) 50 年代,被美國學(xué)者所發(fā)現(xiàn)、介電、熱釋電及鐵電性能而廣泛應(yīng)用在生產(chǎn)生活中各個(gè)體 PbTiO3以及反鐵電體 PbZrO3結(jié)合形成的二元固溶體。典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)壓電陶瓷,其通式為 ABO3,如圖 1-3 BO3結(jié)構(gòu)中的 A 位,Zr4+和 Ti4+共同占據(jù)在 B 位上。
【參考文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 袁真;張少鵬;靳常青;王曉慧;;PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3陶瓷的高壓拉曼光譜研究[J];高壓物理學(xué)報(bào);2015年02期
2 張金婭;王巖;劉淑君;;壓電點(diǎn)火器應(yīng)用于無線控制器的可行性研究[J];科技視界;2013年19期
3 李瑛娟;陳清明;;過量Pb對PZT壓電陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和介電性能的影響[J];熱加工工藝;2012年20期
4 武麗明;劉泳;呂會芹;遲慶斌;王淑婷;陳倩;初瑞清;徐志軍;;鉍層狀無鉛壓電陶瓷的研究進(jìn)展[J];聊城大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2012年03期
5 呂會芹;武麗明;王淑婷;遲慶斌;劉泳;初瑞清;徐志軍;;KNN基無鉛壓電陶瓷的研究進(jìn)展[J];聊城大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2012年02期
6 軒敏杰;劉心宇;馬家峰;袁昌來;崔業(yè)讓;;CuO/CeO_2共摻雜Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3無鉛壓電陶瓷性能研究[J];電子元件與材料;2012年05期
7 李建華;;Sr摻雜四元系壓電陶瓷壓電性能研究[J];壓電與聲光;2011年06期
8 沈宗洋;李敬鋒;;(Na,K)NbO_3基無鉛壓電陶瓷的研究進(jìn)展[J];硅酸鹽學(xué)報(bào);2010年03期
9 陳燕;江向平;鄭雪娟;涂娜;馮子義;陳超;李月明;;Co_2O_3摻雜對鈮酸鉀鈉無鉛壓電陶瓷性能的影響[J];稀有金屬材料與工程;2009年S2期
10 陳燕;江向平;涂娜;馮子義;陳超;李月明;;K_4CuNb_8O_(23)摻雜對K_(0.44)Na_(0.52)Li_(0.04)Nb_(0.86)Ta_(0.10)Sb_(0.04)O_3壓電陶瓷性能的影響[J];人工晶體學(xué)報(bào);2009年05期
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條
1 吳濤;PMS-PZT三元系壓電陶瓷摻雜改性及其低溫?zé)Y(jié)性能研究[D];天津大學(xué);2012年
2 劉冰;BNT基無鉛壓電陶瓷材料的制備與電性能的研究[D];陜西師范大學(xué);2007年
本文編號:2746544
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxuehuagong/2746544.html