層狀黑磷材料的缺陷表征和基于電子束的新結(jié)構(gòu)加工
【圖文】:
由于受到制備技術(shù)等諸多因素的限制,有關(guān)石墨烯材料的研究并沒有取得顯著逡逑的進(jìn)展,2004年,Konstantin邋Novoselov和Andre邋Geim等丨2<)]人首次在實(shí)驗(yàn)上通逡逑過機(jī)械剝離的方法獲得了大面積的獨(dú)立石墨烯材料,如圖1.2所示,并發(fā)現(xiàn)該材逡逑料具有優(yōu)良的電學(xué)性能,至此,大量理論與實(shí)驗(yàn)的研究不斷涌現(xiàn),開創(chuàng)了石墨逡逑烯研究的新篇章。逡逑^邐E逡逑I邐:一]逡逑I逡逑圖1.2機(jī)械剝離制備的大面積石墨烯及其電學(xué)測(cè)試器件[2QJ。逡逑Figure邋1.2邋Few邋layer邋Graphene邋obtained邋by邋mechanical邋exfoliation邋and邋corresopinding邋electronic逡逑test邋devicel20J.逡逑如圖1.3所示,以單層石墨烯為例,其晶體結(jié)構(gòu)為蜂窩狀六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu),層逡逑內(nèi)所有C原子集中在一個(gè)二維平面內(nèi),每個(gè)C原子的外層的三個(gè)電子以sp2雜逡逑化的形式與周圍的三個(gè)碳原子形成平面內(nèi)的cr鍵,C-C鍵長(zhǎng)約為0.142邋nm,同時(shí)逡逑剩余的p軌道電子在垂直于平面的方向形成大7T共軛結(jié)構(gòu)。對(duì)于石墨烯材料,逡逑層與層之間主要靠范德瓦耳斯作用力結(jié)合,層間距約為0.335邋nm。對(duì)于理想的逡逑石墨烯材料,價(jià)帶頂與導(dǎo)帶底只在狄拉克點(diǎn)相交,因此是零帶隙的半金屬材料。逡逑在第一布里淵區(qū)內(nèi)
由于受到制備技術(shù)等諸多因素的限制,有關(guān)石墨烯材料的研究并沒有取得顯著逡逑的進(jìn)展,2004年,Konstantin邋Novoselov和Andre邋Geim等丨2<)]人首次在實(shí)驗(yàn)上通逡逑過機(jī)械剝離的方法獲得了大面積的獨(dú)立石墨烯材料,如圖1.2所示,并發(fā)現(xiàn)該材逡逑料具有優(yōu)良的電學(xué)性能,至此,大量理論與實(shí)驗(yàn)的研究不斷涌現(xiàn),開創(chuàng)了石墨逡逑烯研究的新篇章。逡逑^邐E逡逑I邐:一]逡逑I逡逑圖1.2機(jī)械剝離制備的大面積石墨烯及其電學(xué)測(cè)試器件[2QJ。逡逑Figure邋1.2邋Few邋layer邋Graphene邋obtained邋by邋mechanical邋exfoliation邋and邋corresopinding邋electronic逡逑test邋devicel20J.逡逑如圖1.3所示,以單層石墨烯為例,其晶體結(jié)構(gòu)為蜂窩狀六方點(diǎn)陣結(jié)構(gòu),層逡逑內(nèi)所有C原子集中在一個(gè)二維平面內(nèi),每個(gè)C原子的外層的三個(gè)電子以sp2雜逡逑化的形式與周圍的三個(gè)碳原子形成平面內(nèi)的cr鍵,,C-C鍵長(zhǎng)約為0.142邋nm,同時(shí)逡逑剩余的p軌道電子在垂直于平面的方向形成大7T共軛結(jié)構(gòu)。對(duì)于石墨烯材料,逡逑層與層之間主要靠范德瓦耳斯作用力結(jié)合,層間距約為0.335邋nm。對(duì)于理想的逡逑石墨烯材料,價(jià)帶頂與導(dǎo)帶底只在狄拉克點(diǎn)相交,因此是零帶隙的半金屬材料。逡逑在第一布里淵區(qū)內(nèi)
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TQ126.31
【相似文獻(xiàn)】
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