【摘要】：利用無掩模反應(yīng)離子刻蝕法制備黑硅,研究了黑硅微結(jié)構(gòu)密度和高度對其光學特性的影響。采用場發(fā)射掃描電子顯微鏡和帶積分球的紫外-可見-近紅外分光光度計分別表征黑硅微結(jié)構(gòu)形貌和光學特性。研究結(jié)果表明,黑硅微結(jié)構(gòu)密度增大和高度增加,則黑硅吸收率增大,高度較大的微結(jié)構(gòu)更加有利于增強黑硅近紅外光吸收。無掩模反應(yīng)離子刻蝕法制備的黑硅的吸收率在高溫退火過程中保持穩(wěn)定。
[Abstract]:Black silicon was prepared by mask free reactive ion etching. The effects of density and height of black silicon microstructure on its optical properties were studied. The microstructure and optical properties of black silicon were characterized by field emission scanning electron microscope (SEM) and UV-Vis / NIR spectrophotometer with integral sphere respectively. The results show that the absorption rate of black silicon increases with the increase of the density and height of the black silicon microstructure, and the larger microstructure is more favorable to enhance the near infrared absorption of black silicon. The absorptivity of black silicon prepared by mask free reaction ion etching is stable during high temperature annealing.
【作者單位】： 重慶光電技術(shù)研究所;中國人民解放軍駐重慶氣體壓縮機廠軍事代表室;
【分類號】：TQ127.2

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本文編號：2259371