本文選題：預(yù)氧化 + 聚碳硅烷　； 參考：《功能材料》2017年02期

【摘要】：通過聚碳硅烷(PCS)預(yù)氧化后在800~1 200℃熱解制備了SiC陶瓷,采用傅里葉轉(zhuǎn)化紅外光譜(FTIR)與拉曼光譜分別對(duì)不同溫度交聯(lián)后PCS及裂解產(chǎn)物進(jìn)行了表征。并用矩形波導(dǎo)法測(cè)試了SiC陶瓷在8.2~12.4GHz(X波段)頻段的復(fù)介電常數(shù),利用傳輸線理論計(jì)算了試樣的反射率。結(jié)果表明,氧化交聯(lián)過程中PCS通過Si—H鍵和Si—CH_3鍵與氧反應(yīng)形成Si—OH鍵。SiC陶瓷中自由碳有序度隨著熱解溫度的升高而增加,導(dǎo)致復(fù)介電常數(shù)實(shí)部及虛部增加。170℃交聯(lián),1 200℃熱解,試樣厚度為3.5 mm的SiC陶瓷,吸收峰值為-18dB,X全波段反射率低于-10dB,呈現(xiàn)出較好的吸波性能。
[Abstract]:SiC ceramics were prepared by pre-oxidation of polycarbosilane and pyrolyzed at 800 鈩，

本文編號(hào)：1841155