本文選題：NBT-KBT-KNN陶瓷　切入點(diǎn)：固相法　出處：《武漢理工大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：隨著電力電子系統(tǒng)的集成化及小型化的快速發(fā)展,對(duì)在脈沖功率系統(tǒng)儲(chǔ)能介質(zhì)陶瓷電容器的儲(chǔ)能密度及儲(chǔ)能效率提出了更高的要求。一般來(lái)說(shuō),反鐵電儲(chǔ)能材料由于其獨(dú)特的雙電滯回線而擁有更大的儲(chǔ)能密度,但是目前所研究的大部分反鐵電儲(chǔ)能材料以鉛基為主,因此開(kāi)發(fā)出無(wú)鉛反鐵電儲(chǔ)能介質(zhì)陶瓷材料以適應(yīng)全球無(wú)鉛化的發(fā)展趨勢(shì)十分重要。Na1/2Bi1/2TiO3(簡(jiǎn)稱NBT)陶瓷由于在200~320℃之間存在雙電滯回線而有利于獲得較大的儲(chǔ)能密度,但是其雙電滯回線存在的溫度較高限制了其實(shí)際應(yīng)用。本文以NBT為研究對(duì)象,通過(guò)固溶K1/2Bi1/2TiO3(簡(jiǎn)稱KBT)及摻雜K0.5Na0.5NbO3(簡(jiǎn)稱KNN)形成(1-x)(Na1-yKy)0.5Bi0.5TiO3-xKNN體系,以降低NBT的退極化溫度Td,使陶瓷材料在室溫下獲得較大的儲(chǔ)能密度及儲(chǔ)能效率并兼顧良好的寬溫穩(wěn)定性。本文主要開(kāi)展了以下兩個(gè)部分的研究工作:采用高溫固相法制備(1-x)(Na0.80K0.20)0.5Bi0.5TiO3-xKNN(x=0,0.03,0.06,0.09,0.12,0.15)無(wú)鉛儲(chǔ)能介質(zhì)陶瓷材料,研究KNN摻量對(duì)該體系材料結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能的影響。研究結(jié)果表明KNN的摻入能減小陶瓷顯微結(jié)構(gòu)中的大尺寸晶粒,使晶粒尺寸變得均勻;KNN的摻入降低該材料體系的退極化溫度Td,且能壓低居里峰改善其介電常數(shù)的溫度穩(wěn)定性;且KNN能削弱該體系材料的鐵電性從而改善其儲(chǔ)能性能;當(dāng)x=0.09時(shí),在室溫及高溫150℃下所能獲得的最大的儲(chǔ)能密度及儲(chǔ)能效率分別為1.51 J/cm3、65.0%及1.45 J/cm3、82.0%;且獲得良好的介電常數(shù)及儲(chǔ)能密度溫度穩(wěn)定性,介電常數(shù)滿足?C/C150℃≤±15%的溫度范圍61~393℃、介電常數(shù)為2320、損耗為0.0037,儲(chǔ)能密度在20~150℃間滿足?W/W100℃≤±20%;該體系材料在KNN摻量為0.09時(shí)獲得最佳綜合儲(chǔ)能性能。采用固相法制備0.91(Na1-yKy)1/2Bi1/2TiO3-0.09KNN(y=0.14,0.16,0.18,0.20,0.22)無(wú)鉛儲(chǔ)能介質(zhì)陶瓷材料,研究KBT固溶量對(duì)該體系材料結(jié)構(gòu)及儲(chǔ)能性能的影響。研究結(jié)果表明KBT固溶量超過(guò)0.16后,陶瓷樣品晶體結(jié)構(gòu)開(kāi)始由正交-四方相轉(zhuǎn)變;介電常數(shù)隨著KBT的增加,先增加后減小在0.16處獲得最大值,且當(dāng)KBT固溶量為0.16時(shí),該組分陶瓷樣品儲(chǔ)能密度隨電場(chǎng)強(qiáng)度的變化的斜率高達(dá)0.148,在室溫下的擊穿強(qiáng)度為11.80 kV/mm,儲(chǔ)能密度及儲(chǔ)能效率分別為1.58J/cm3及67.4%,儲(chǔ)能性能最佳。說(shuō)明0.91(Na0.84K0.16)1/2Bi1/2TiO3-0.09KNN無(wú)鉛儲(chǔ)能陶瓷擁有儲(chǔ)能密度大、儲(chǔ)能效率高、介電常數(shù)及儲(chǔ)能密度穩(wěn)定穩(wěn)定性優(yōu)異等一系列優(yōu)點(diǎn),適合作為無(wú)鉛寬溫高穩(wěn)定性高儲(chǔ)能密度的儲(chǔ)能介質(zhì)陶瓷材料使用。
[Abstract]:With the rapid development of integration and miniaturization of power electronic systems, higher energy storage density and energy storage efficiency of dielectric ceramic capacitors in pulse power systems are required. Antiferroelectric energy storage materials have higher energy storage density due to their unique double hysteresis loops, but most of the antiferroelectric energy storage materials studied at present are lead-based. Therefore, it is very important to develop lead-free antiferroelectric dielectric ceramic materials to adapt to the development trend of global lead-free. Na _ 1 / 2Bi _ 1 / 2TiO _ 3 (abbreviated as NBTs) ceramics are advantageous to obtain higher energy storage density due to the existence of double hysteresis loops between 200 鈩，

本文編號(hào)：1570563