發(fā)布時(shí)間：2018-01-02 04:17

  本文關(guān)鍵詞：高純超薄氧化鋁制備　出處：《無機(jī)鹽工業(yè)》2016年11期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：隨著科學(xué)技術(shù)的迅猛發(fā)展以及各行業(yè)要求的不斷提升,薄膜類Al2O3開始受到矚目,其需求不斷增長。選擇價(jià)廉易得的無機(jī)鹽AlCl_3為鋁前驅(qū)體,利用其與水共同作用通過ALD技術(shù)沉積制備得到的Al_2O_3薄膜。該方法沉積溫度范圍廣,在50~400℃均能得到致密均一的薄膜(通過SEM表征),相應(yīng)的沉積速率為0.03~0.11 nm/次,能夠滿足各種不同工藝需求。通過XPS對薄膜成分進(jìn)行分析,經(jīng)過刻蝕之后,各沉積溫度下Al與O的原子百分?jǐn)?shù)之比為2∶(2.89~3.2),與Al_2O_3十分吻合。所得薄膜雜質(zhì)總含量小,最低可達(dá)1.3%(原子百分?jǐn)?shù)),純度高。
[Abstract]:With the rapid development of science and technology and the requirements of the industry continues to improve, the film Al2O3 began to attract attention, the growing demand. Choose cheap inorganic salt AlCl_3 for aluminum precursor, with the water through the combined action of Al_2O_3 thin films prepared by deposition of ALD technology. The deposition temperature range, thin film get all the dense and uniform 50~400 C (measured by SEM), the deposition rate is 0.03~0.11 nm/, can meet the various needs of different process. Through the XPS component of the films was analyzed, after etching after the deposition temperature of Al and O atomic ratio is 2: (2.89~3.2), very agree with Al_2O_3. The total content of impurities in the films, the minimum to 1.3% (atom percent), high purity.

【作者單位】： 江南大學(xué);
【分類號】：TQ133.1;TB383.2
【正文快照】： 1研究背景氧化鋁(Al2O3)因其自身優(yōu)良的性質(zhì)可廣泛用于傳感器制備、航空航天、電子設(shè)備屏幕制作、精密儀器制造以及集成電路等諸多領(lǐng)域[1-2]。此外,Al2O3材料有較高的相對介電常數(shù),并且高帶隙(8.7 e V)、高勢壘導(dǎo)致其隧穿電流小。在室溫下Al2O3的介電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中的幾率小

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1 肖勇;袁定勝;劉應(yīng)亮;張靜嫻;米遠(yuǎn)祝;程立強(qiáng);孫廣輝;;溶劑熱還原法制備棒狀LaNiC_2[J];稀土;2007年02期

2 ;[J];;年期

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本文編號：1367640