本文關(guān)鍵詞：西門子法鐘罩爐內(nèi)三氯氫硅氫還原CVD宏觀動力學(xué)模型　出處：《中國有色金屬學(xué)報》2016年09期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在已導(dǎo)出西門子法三氯氫硅氫還原生成Si-CVD過程本征動力學(xué)模型基礎(chǔ)上,結(jié)合鐘罩還原爐內(nèi)氣相物料的基本流動特征和傳遞-反應(yīng)-CVD過程,采用反應(yīng)工程學(xué)經(jīng)典方法,對關(guān)鍵組分在圓柱狀硅芯表面CVD層的濃度分布進行分析,導(dǎo)出濃度分布微分方程(零階貝塞爾方程)和積分方程(零階貝塞爾函數(shù)),建立了Si的沉積速率模型,即考慮CVD層濃度分布時的平均沉積厚度模型和沉積質(zhì)量模型,忽略CVD層濃度分布時的平均沉積厚度簡化模型和沉積質(zhì)量簡化模型。
[Abstract]:The reduction process of Si-CVD generation of the intrinsic kinetics model based method has been derived in SIEMENS hydrogen trichlorosilane, with Bell reduction basic flow characteristics of gas phase material in the furnace and transfer - reaction process of -CVD, using the classical method of reaction engineering, the key components are analyzed in the concentration distribution of cylindrical silicon core surface CVD layer, are derived the concentration distribution of differential equations (zero order Bessel equation) and integral equation (zero order Bessel function), established the deposition rate of the Si model, which consider the CVD layer concentration distribution model and the average deposition thickness of CVD layer deposition quality model, ignoring the average deposition thickness when the concentration distribution of the simplified model and the simplified model of the quality of the deposit.
【作者單位】： 銀川能源學(xué)院;
【基金】：寧夏高等學(xué)校優(yōu)勢特色專業(yè)建設(shè)項目(寧教高2012348) 銀川能源學(xué)院科研基金資助項目(2012年度)~~
【分類號】：TQ127.2
【正文快照】： 多晶硅(EG)是電子信息產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,具有極其重要的戰(zhàn)略地位;多晶硅(SG)又是太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,是具有重要戰(zhàn)略地位的新能源材料。改良西門子法是當(dāng)今生產(chǎn)高純多晶硅的主流技術(shù)。我國的多晶硅產(chǎn)業(yè)起步雖晚,但發(fā)展快,生產(chǎn)工藝主要系引進加吸收的改良西門子法,

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本文編號：1342409