SiC晶須合成方法的研究進(jìn)展
本文關(guān)鍵詞:SiC晶須合成方法的研究進(jìn)展 出處:《耐火材料》2016年05期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:從氣-固-液合成法、氣-固合成法和液相法三方面綜述了Si C晶須合成的反應(yīng)機(jī)制及最新進(jìn)展,并在此基礎(chǔ)上展望了Si C晶須合成方法的發(fā)展方向,指出未來合成Si C晶須的研究重點(diǎn)應(yīng)集中在催化劑的原位合成、納米催化和復(fù)合催化方面。
【作者單位】: 武漢科技大學(xué)省部共建耐火材料與冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;河南科技大學(xué)高溫材料研究院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目(51472184)資助
【分類號】:TQ163.4
【正文快照】: Si C晶須具有密度低,熔點(diǎn)高,強(qiáng)度高,彈性模量高,熱膨脹率低及耐腐蝕等優(yōu)良特性[1-5],是金屬基、陶瓷基和高聚物基等先進(jìn)復(fù)合材料的優(yōu)良增強(qiáng)增韌相[6-7],已廣泛應(yīng)用于機(jī)械、電子、化工、能源、航空航天及環(huán)保等眾多領(lǐng)域[8-9]。研究表明,在氧化鋁基材料中加入20%(φ)的Si C晶須,
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,本文編號:1316825
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