SiC晶須合成方法的研究進展
本文關鍵詞:SiC晶須合成方法的研究進展 出處:《耐火材料》2016年05期 論文類型:期刊論文
【摘要】:從氣-固-液合成法、氣-固合成法和液相法三方面綜述了Si C晶須合成的反應機制及最新進展,并在此基礎上展望了Si C晶須合成方法的發(fā)展方向,指出未來合成Si C晶須的研究重點應集中在催化劑的原位合成、納米催化和復合催化方面。
【作者單位】: 武漢科技大學省部共建耐火材料與冶金國家重點實驗室;河南科技大學高溫材料研究院;
【基金】:國家自然科學基金面上項目(51472184)資助
【分類號】:TQ163.4
【正文快照】: Si C晶須具有密度低,熔點高,強度高,彈性模量高,熱膨脹率低及耐腐蝕等優(yōu)良特性[1-5],是金屬基、陶瓷基和高聚物基等先進復合材料的優(yōu)良增強增韌相[6-7],已廣泛應用于機械、電子、化工、能源、航空航天及環(huán)保等眾多領域[8-9]。研究表明,在氧化鋁基材料中加入20%(φ)的Si C晶須,
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,本文編號:1316825
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