無籽固相生長工藝制備KNN基無鉛壓電單晶
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【摘要】:采用無籽固相生長技術(shù),成功制備了低含量LiBiO_3(LB)摻雜的K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3(KNN)單晶,并系統(tǒng)地研究LB的摻雜量和燒結(jié)工藝(燒結(jié)溫度、保溫時間)對KNN晶體生長行為的影響。研究結(jié)果表明:在較窄的燒結(jié)溫度范圍內(nèi),通過在KNN基陶瓷中引入微量的LB,可以從基體中成功獲得大的KNN單晶顆粒;當在同一燒結(jié)溫度和相同保溫時間條件下,隨著LB摻雜量的增加,KNN陶瓷基體的晶體異常長大的轉(zhuǎn)化面積逐漸減少;當樣品的成分和燒結(jié)溫度相同時,延長保溫時間,晶?梢岳^續(xù)長大。所生長的鈮酸鉀鈉單晶最大一維尺寸達到厘米級。摻雜量為0.45at%的KNN晶體的結(jié)構(gòu)和電學性能被測試分析,結(jié)果表明:所制備的KNN晶體的綜合性能高于目前大部分采用的布里奇曼法、頂部籽晶生長法、浮區(qū)法等溶液/熔體法生長的KNN晶體,具有極大的潛在應(yīng)用價值。
【作者單位】: 桂林電子科技大學廣西信息材料重點實驗室;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(51562004,61571142,51102056) 廣西自然科學基金資助項目(2015GXNSFAA139276,2012GXNSFGA060002,2011GXNSFB018008) 中國科學院無機功能材料和器件重點實驗室開放課題(KLIFMD) 廣西信息科學實驗中心研究基金資助項目(20130309) 廣西高校優(yōu)秀人才支持計劃項目
【分類號】:TQ174.6
【正文快照】: 隨著人類對保護環(huán)境的要求與日俱增,無鉛壓電陶瓷逐漸成為國內(nèi)外該領(lǐng)域的研究熱點[1-2]。在所報道的眾多無鉛壓電陶瓷中,K0.5Na0.5Nb O3(KNN)系無鉛壓電陶瓷因具有密度小、居里溫度高、電學性能好等特點,被認為是最有可能替代鉛基壓電陶瓷的體系之一[3-4]。一般認為,壓電單晶
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,本文編號:1219156
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