本文關(guān)鍵詞：納米SiC陶瓷的氧化特性的研究

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【摘要】：采用差示掃描量熱DSC研究了在不同的升溫條件下的聚碳硅烷PCS熱解產(chǎn)物納米Si C粉末在空氣環(huán)境中的氧化反應(yīng)動(dòng)力學(xué),并結(jié)合X射線衍射和拉曼光譜技術(shù)探討其氧化特性。結(jié)果表明:升溫速度對(duì)PCS熱解產(chǎn)物納米Si C粉末的氧化過(guò)程有較大的影響,隨著升溫速度的增加,1100℃左右的放熱氧化峰向高溫方向偏移。動(dòng)力學(xué)研究表明微米Si C氧化活化能為115.90 k J/mol,PCS熱解產(chǎn)物納米Si C粉末氧化活化能為485.73 k J/mol,表明PCS熱解產(chǎn)物納米Si C粉末具有較好的抗氧化性能。
【作者單位】： 武漢理工大學(xué)材料研究與測(cè)試中心;
【關(guān)鍵詞】： SiC 聚碳硅烷PCS 動(dòng)力學(xué) 氧化 DSC
【基金】：湖北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(2013CFB340)
【分類號(hào)】：TQ174.1
【正文快照】： 0引言碳化硅陶瓷以其獨(dú)特的高溫強(qiáng)度、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性、超硬耐磨、抗熱沖擊性以及膨脹系數(shù)低等優(yōu)異性能,成為熱機(jī)、高溫環(huán)境和化學(xué)工程等工業(yè)領(lǐng)域的理想材料。在碳化硅陶瓷材料的各種制備工藝中,陶瓷前驅(qū)體轉(zhuǎn)化法是制備先進(jìn)陶瓷材料的新方法,它采用有機(jī)先驅(qū)體為原料,通過(guò)高

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1 王奎玉,郝玉福,蘇俊林,徐英第;火焰爐內(nèi)金屬氧化特性的試驗(yàn)研究[J];節(jié)能技術(shù);1992年04期

2 ;[J];;年期

，

本文編號(hào)：1024895