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離子輻照對石墨烯熱導(dǎo)率的影響

發(fā)布時間:2017-10-08 09:35

  本文關(guān)鍵詞:離子輻照對石墨烯熱導(dǎo)率的影響


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【摘要】:石墨烯作為典型的二維納米材料,具有優(yōu)異的力、熱、光、電、磁等特性,自2004年成功制備以來,一直是凝聚態(tài)物理和材料領(lǐng)域最受關(guān)注的材料之一。石墨烯的性質(zhì)可以通過施加外場、應(yīng)力、量子剪裁和納米復(fù)合等多種手段進(jìn)行調(diào)制,基于各種調(diào)制手段對其性能的提升是其研究的重要方向。其中,通過缺陷即所謂的缺陷工程來調(diào)制石墨烯的電熱等性質(zhì)是凝聚態(tài)領(lǐng)域研究的熱點。本文采用非平衡態(tài)分子動力學(xué)方法,重點研究了缺陷對石墨烯熱學(xué)性質(zhì)的調(diào)制作用。首先采用離子輻射的方式,形成缺陷結(jié)構(gòu),研究了缺陷形成的力學(xué)規(guī)律,在此基礎(chǔ)上研究了缺陷對石墨烯熱導(dǎo)率的影響,并進(jìn)一步建立輻照離子能量、劑量、入射角度與熱導(dǎo)率之間的調(diào)制規(guī)律。主要開展了如下工作:(1)輻照能量與石墨烯缺陷的形成關(guān)系。首先采用單個離子輻照石墨烯,隨著入射離子能量的改變,模擬產(chǎn)生四個隨機事件:吸附、反彈、缺陷和穿透,通過對大量入射事件的統(tǒng)計研究,得到四個事件的發(fā)生概率與入射離子能量之間的關(guān)系。(2)輻照離子劑量對石墨烯熱導(dǎo)率的影響。結(jié)果顯示,在任一確定的入射離子能量下,石墨烯條帶的熱導(dǎo)率隨著入射離子劑量的增大而減小。并且隨著入射離子能量的增加,不同離子劑量對石墨烯熱導(dǎo)率的影響非常類似,熱導(dǎo)率的升高或者降低與吸附原子及缺陷的數(shù)目密切相關(guān)(其中反彈和穿透事件對石墨烯條帶熱導(dǎo)率不產(chǎn)生影響),計算結(jié)果還表明無論是吸附原子還是空位缺陷,熱導(dǎo)率都隨著缺陷或吸附原子的濃度增加先迅速降低,而后緩慢降低,且在相同的濃度下,空位對石墨烯熱導(dǎo)率的抑制作用要明顯強于吸附原子。(3)輻照離子入射角度對石墨烯熱導(dǎo)率的影響。研究了不同入射角度與熱導(dǎo)率的關(guān)系,隨離子入射角度的增大,石墨烯中缺陷的數(shù)目增加,熱導(dǎo)率緩慢降低,且這種降低呈現(xiàn)出非線性特性。當(dāng)角度大于60°時,缺陷的數(shù)目逐漸減少,熱導(dǎo)率呈快速上升趨勢。通過缺陷形成概率與入射離子能量和入射角度之間的關(guān)系,揭示了石墨烯的熱導(dǎo)率與入射離子能量和入射角度之間的內(nèi)在機制。
【關(guān)鍵詞】:分子動力學(xué) 石墨烯 輻照損傷 熱導(dǎo)率
【學(xué)位授予單位】:湘潭大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:O613.71
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-9
  • 第1章 引言9-18
  • 1.1 石墨烯的出現(xiàn)9
  • 1.2 石墨烯的基本結(jié)構(gòu)及制備9-11
  • 1.2.1 石墨烯的基本結(jié)構(gòu)9-10
  • 1.2.2 石墨烯的主要制備方法10-11
  • 1.3 石墨烯的主要性質(zhì)11-15
  • 1.3.1 石墨烯的電學(xué)性質(zhì)11-13
  • 1.3.2 石墨烯的力學(xué)性質(zhì)13-14
  • 1.3.3 石墨烯的熱學(xué)性質(zhì)14
  • 1.3.4 石墨烯的其他性質(zhì)14-15
  • 1.4 石墨烯熱輸運性質(zhì)的研究現(xiàn)狀及進(jìn)展15-17
  • 1.4.1 缺陷對石墨烯熱輸運的影響15-17
  • 1.4.2 離子輻照17
  • 1.5 本文研究的目的及內(nèi)容17-18
  • 第2章 分子動力學(xué)方法18-25
  • 2.1 分子動力學(xué)方法簡介18-19
  • 2.2 分子動力學(xué)方法分類19-25
  • 2.2.1 平衡態(tài)分子動力學(xué)方法19-21
  • 2.2.2 非平衡態(tài)分子動力學(xué)模擬21-25
  • 第3章 離子輻照對石墨烯熱導(dǎo)率的分子動力學(xué)模擬25-36
  • 3.1 模擬方案設(shè)計25-28
  • 3.1.1 模擬計算初始設(shè)置25-26
  • 3.1.2 勢函數(shù)的選擇26-28
  • 3.2 模擬結(jié)果與討論28-36
  • 3.2.1 輻照能量與石墨烯缺陷的形成關(guān)系28-30
  • 3.2.2 石墨烯熱導(dǎo)率隨輻照離子劑量的關(guān)系30-32
  • 3.2.3 石墨烯熱導(dǎo)率隨輻照離子入射角度的關(guān)系32-36
  • 第4章 總結(jié)與展望36-38
  • 4.1 總結(jié)36-37
  • 4.2 展望37-38
  • 參考文獻(xiàn)38-43
  • 致謝43-44
  • 個人簡歷、在學(xué)期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果44
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本文編號:993296

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