本文關(guān)鍵詞：芳香化合物親核、親電反應(yīng)活性的理論預(yù)測(cè)和實(shí)驗(yàn)反應(yīng)速率的相關(guān)性研究

  更多相關(guān)文章： 反應(yīng)速率 原子電荷 靜電勢(shì) 平局局部離子化能 軌道成分分析

【摘要】：選擇自然布局分析(NPA)電荷、Hirshfeld電荷、分子范德華表面1.6?處的靜電勢(shì)、最低未占據(jù)軌道(LUMO)成分、分子范德華表面1.6?處的平均局部離子化能、簡縮福井函數(shù)和簡縮雙描述符來預(yù)測(cè)芳香族化合物親核加成、親核取代和親電反應(yīng)的活性位點(diǎn),并分析理論預(yù)測(cè)結(jié)果和實(shí)驗(yàn)反應(yīng)速率之間的相關(guān)性.發(fā)現(xiàn)這些方法都能準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)反應(yīng)的活性位點(diǎn).還發(fā)現(xiàn)不管對(duì)親核反應(yīng)還是對(duì)親電反應(yīng),體現(xiàn)局部電子硬度的方法,如Hirshfeld電荷和分子范德華表面1.6?處的靜電勢(shì),其預(yù)測(cè)結(jié)果的大小能較好地反映實(shí)驗(yàn)反應(yīng)速率的相對(duì)大小,而體現(xiàn)局部電子軟度的方法,簡縮福井函數(shù)和簡縮雙描述符,其預(yù)測(cè)結(jié)果和實(shí)驗(yàn)反應(yīng)速率的相關(guān)性較小.
【作者單位】： 北京科技大學(xué)化學(xué)與生物工程學(xué)院化學(xué)與化學(xué)工程系;
【關(guān)鍵詞】： 反應(yīng)速率 原子電荷 靜電勢(shì) 平局局部離子化能 軌道成分分析
【基金】：國家自然科學(xué)基金(Nos.21173020,21473008)資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：O621.25
【正文快照】： 親核和親電反應(yīng)是兩類常見的有機(jī)化學(xué)反應(yīng),在有機(jī)合成中有著重要的應(yīng)用[1~3].在親核和親電反應(yīng)中,有兩個(gè)問題是不可忽略的,一是親核(親電)試劑進(jìn)攻反應(yīng)物的可能位置,即反應(yīng)的活性位點(diǎn);二是在相同條件下不同分子進(jìn)行相同類型反應(yīng)時(shí)反應(yīng)速率的相對(duì)大小.對(duì)這兩個(gè)問題原則上可以通

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本文編號(hào)：945250