本文關(guān)鍵詞：大尺寸高質(zhì)量GaSb單晶研究

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【摘要】：采用垂直布里奇曼法(VB法)生長2英寸GaSb單晶,分析了GaSb多晶產(chǎn)生的原因,即GaSb原料與覆蓋劑中殘留水分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鎵殘?jiān)?殘?jiān)皆谯釄鍍?nèi)壁導(dǎo)致GaSb多晶形成。通過增加覆蓋劑除水工藝,成功生長出2英寸高質(zhì)量GaSb單晶。此外,研究了單晶內(nèi)部位錯(cuò)分布特點(diǎn),結(jié)果顯示GaSb晶體具有較低的位錯(cuò)密度,EPD≤500 cm~(-2);同時(shí),對晶體進(jìn)行XRD搖擺曲線測試,其FWHM值為27arcsec,表明晶體質(zhì)量較高;此外,對晶體進(jìn)行了電學(xué)性能測試,結(jié)果顯示制備的GaSb晶體呈P型導(dǎo)電,晶體遷移率為610 cm~2/V·s,載流子濃度達(dá)到了1.68×10~(17)cm~(-3)。
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【關(guān)鍵詞】： GaSb 垂直布里奇曼法 位錯(cuò)密度 覆蓋劑
【分類號】：O78
【正文快照】： (Received 21 November 2015,accepted 29 February 2016)1引言Ga Sb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為0.72 e V。由于它的晶格常數(shù)很好地與其它Ⅲ-Ⅴ族合金以及三元、四元含銻化合物相匹配,因而,Ga Sb是一種優(yōu)良的電子和光電子器件襯底材料�？梢杂糜诔Ц窦t外探測器[

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本文編號：933160