本文關(guān)鍵詞：金納米棒表面配體修飾及其對組裝模式的影響

  更多相關(guān)文章： 金納米棒 分步修飾 陣列組裝

【摘要】：金納米棒作為納米材料的研究熱點之一,其組裝技術(shù)更是備受關(guān)注�，F(xiàn)行的組裝方法多為微米級或局部有序結(jié)構(gòu),阻礙了金納米棒陣列結(jié)構(gòu)在科研和生活中的實際應(yīng)用。同時金納米棒陣列結(jié)構(gòu)中棒的緊密排列程度決定了其近場耦合效應(yīng)中熱點的密集程度,為了使組裝體的效果得到更好的發(fā)揮,我們希望得到棒與棒間距更小的陣列結(jié)構(gòu)。種子生長法合成的金納米棒端部和側(cè)壁對表面配體分子結(jié)合能力不同為金納米棒的分步修飾提供了可能。表面配體修飾對靜電作用力、范德華力具有較大影響,同時可以調(diào)節(jié)金納米棒的親疏水作用和棒與相界面的表面張力。通過選擇合適的配體分子分別修飾金納米棒的端部和側(cè)壁有望可以有效提高金棒組裝陣列的規(guī)整度。同時配體修飾完成后因表面配體的長度改變可以調(diào)節(jié)兩個棒之間的間距,從而使陣列結(jié)構(gòu)中的棒排列更緊密。本論文的研究內(nèi)容從以下幾個方面展開:1、了解金納米棒表面化學狀態(tài)及其體系的穩(wěn)定性。原始金納米棒溶液中金棒CTAB雙分子層包覆致密,修飾較為困難;CTAB濃度的降低使配體修飾變的容易但是體系的穩(wěn)定性也隨之降低。保證足夠量的配體分子引入體系中用于配體置換且不破壞體系的穩(wěn)定性,對金納米棒表面化學狀態(tài)和體系穩(wěn)定性的了解對做好配體修飾前的準備工作尤為重要。2、對表面配體修飾的準確條件進行探索。影響配體修飾的條件包括溫度、配體分子濃度、金棒溶液中CTAB的濃度等因素。分步修飾的關(guān)鍵在于第一步實現(xiàn)配體對金棒端部的修飾,并且只修飾端部,即確定端部和側(cè)壁修飾的節(jié)點。端部修飾完成以后在同樣的反應(yīng)體系中使用置換能力更強的配體或者更利于配體置換進行的條件,實現(xiàn)另外一種配體對側(cè)壁的修飾,這時就完成金納米棒的分步修飾。3、對配體修飾后的金納米棒用于陣列組裝做初步的嘗試。配體置換使原始金納米棒表面的CTAB雙分子層變?yōu)閱螌拥呐潴w分子,有效的調(diào)節(jié)了棒與棒之間的距離,進而影響到范德華力。棒間距的減小可以增強兩個棒之間的作用力,使在組裝過程中更容易形成陣列結(jié)構(gòu)。同時近場耦合效應(yīng)隨兩個表面等離子體共振激元的距離減小增強,較短的配體分子修飾金納米棒可以使陣列中棒的排列更為緊密。
【關(guān)鍵詞】：金納米棒 分步修飾 陣列組裝
【學位授予單位】：河南大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TB383.1;O641.4
【目錄】：

• 摘要4-6
• ABSTRACT6-10
• 第一章 緒論10-34
• 1.1 等離子激元材料10-12
• 1.2 金納米棒的光學性質(zhì)及應(yīng)用12-21
• 1.2.1 表面等離子共振吸收和散射12-15
• 1.2.2 表面等離子共振線寬及壽命15-17
• 1.2.3 近場發(fā)射技術(shù)用于等離子電子密度分布成像17-18
• 1.2.4 近場效應(yīng)與耦合18-21
• 1.3 金納米棒陣列的制備21-25
• 1.3.1 多孔氧化鋁模板制備金納米棒垂直陣列21-22
• 1.3.2 蒸發(fā)誘導(dǎo)組裝22-24
• 1.3.3 界面誘導(dǎo)組裝24-25
• 1.4 配體修飾對金納米棒組裝趨勢的影響25-26
• 1.5 本文研究的主要內(nèi)容、目標和意義26-27
• 參考文獻27-34
• 第二章 金納米棒表面化學特性及其體系穩(wěn)定性探索34-48
• 2.1 引言34
• 2.2 實驗部分34-37
• 2.2.1 試劑與實驗儀器34-35
• 2.2.2 測試儀器35-36
• 2.2.3 實驗步驟36-37
• 2.3 實驗結(jié)果與討論37-44
• 2.3.1 合成金納米棒的表征37-39
• 2.3.2 金納米棒長徑比的調(diào)控39-40
• 2.3.3 CTAB溶液的電導(dǎo)率測定40
• 2.3.4 金納米棒表面CTAB分子吸附脫附狀態(tài)討論40-42
• 2.3.5 巰基配體分子在不同溶劑中的溶解特性42-43
• 2.3.6 巰基配體對金納米棒溶液體系穩(wěn)定性的影響43-44
• 2.4 本章小結(jié)44-46
• 參考文獻46-48
• 第三章 金納米棒穩(wěn)定體系下的表面配體修飾48-64
• 3.1 引言48-49
• 3.2 實驗部分49-50
• 3.2.1 試劑與實驗儀器49
• 3.2.2 測試儀器49
• 3.2.3 實驗步驟49-50
• 3.3 結(jié)果與討論50-61
• 3.3.1 金納米棒端部修飾條件的控制50-54
• 3.3.2 金納米棒的分步修飾54-56
• 3.3.3 單一配體分子修飾56-58
• 3.3.4 配體修飾對于金納米棒陣列參數(shù)影響58-59
• 3.3.5 分步修飾的金納米棒用于金納米棒垂直陣列的制備59-61
• 3.4 本章小結(jié)61-62
• 參考文獻62-64
• 第四章 結(jié)論與展望64-66
• 4.1 總結(jié)64
• 4.2 展望64-66
• 碩士期間已完成的工作66-68
• 致謝68-69

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 魏飛;張強;騫偉中;徐光輝;項榮;溫倩;王W，

本文編號：743458