發(fā)布時間：2017-08-21 02:01

  本文關(guān)鍵詞：碳納米管薄膜晶體管中的接觸電阻效應(yīng)

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【摘要】：利用不同功函數(shù)的金屬作為接觸電極,研究了網(wǎng)絡(luò)狀碳納米管薄膜晶體管(CNT-TFT)的接觸電阻效應(yīng)。研究表明金屬Pd與碳納米管薄膜形成良好的歐姆接觸,Au則形成近歐姆接觸,這兩種接觸的器件的開態(tài)電流和遷移率較高。Ti和Al都與碳納米管薄膜形成肖特基接觸,且Al接觸比Ti接觸的勢壘更高,接觸電阻也更大,相應(yīng)器件的開態(tài)電流和遷移率都較低。該結(jié)果表明對于CNT-TFT仍然可以通過接觸來調(diào)控器件的性能,這對CNT-TFT的實(shí)用化進(jìn)程具有重要的促進(jìn)作用。
【作者單位】： 北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院納米器件與物理化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;
【關(guān)鍵詞】： 碳納米管 薄膜晶體管 接觸電阻 歐姆接觸 肖特基勢壘
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61321001) 北京市科學(xué)技術(shù)委員會(Z141100003814006) 教育部(113003A)資助項(xiàng)目~~
【分類號】：TN321.5;O613.71
【正文快照】： 1引言近年來,利用網(wǎng)絡(luò)狀碳納米管薄膜制備薄膜晶體管受到越來越多的關(guān)注1-5。這主要有兩個方面的原因:(1)器件所需的碳納米管材料制備相對容易。隨著碳納米管純化技術(shù)的發(fā)展6-13,現(xiàn)在已經(jīng)可以大規(guī)模得到純度超過99%的半導(dǎo)體性碳納米管溶液。(2)器件制備工藝相對簡單。只需將基

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1 謝偉廣;晏夢龍;植秀佳;謝方艷;龔力;陳建;;溶液法制備的碳納米管薄膜的結(jié)構(gòu)分析與場致電子發(fā)射機(jī)理研究[J];分析測試學(xué)報;2013年04期

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4 ;[J];;年期

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 賀建;碳納米管薄膜液流傳感特性研究[D];重慶大學(xué);2007年

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本文編號：710139