本文關(guān)鍵詞：影響LYSO∶Ce晶體余輝強(qiáng)度的幾個(gè)主要因素

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【摘要】：探究了LYSO∶Ce晶體的余輝現(xiàn)象,以及在不同曝光時(shí)間、光照強(qiáng)度下,余輝計(jì)數(shù)率隨時(shí)間的變化規(guī)律。同時(shí)探究了溫度對晶體余輝強(qiáng)度的影響,發(fā)現(xiàn)加熱晶體可以快速縮短余輝持續(xù)時(shí)間,這一發(fā)現(xiàn)為日常的晶體檢測和應(yīng)用帶來一定便利。
【作者單位】： 成都理工大學(xué);中國科學(xué)院高能物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 余輝 硅酸釔镥(LYSO∶Ce) 加熱
【分類號】：O734
【正文快照】： 1引言 硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體是一種綜合性能優(yōu)異的無機(jī)閃爍晶體,它的發(fā)光衰減時(shí)間短,閃爍光產(chǎn)額高,對γ射線具有較強(qiáng)的阻止本領(lǐng),同時(shí)物化性能穩(wěn)定,在空氣中不潮解,已被廣泛應(yīng)用于核醫(yī)學(xué)成像、核輻射測量、安全檢查等領(lǐng)域[1]。為提高晶體的閃爍光產(chǎn)額,在晶體制備中通常會摻，

本文編號：667391