本文關(guān)鍵詞：ZnO和ZnS本征點缺陷的理論研究

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【摘要】：基于第一性原理和熱動力學(xué)方法,通過模擬計算分析了不同溫度和分壓下ZnS和ZnO晶體本征點缺陷的性質(zhì).振動熵的計算結(jié)果表明,在高溫條件下,振動熵對缺陷形成能的貢獻不能忽略.對比分析2種晶體本征點缺陷隨環(huán)境條件變化的規(guī)律,結(jié)果表明,2種晶體的主導(dǎo)缺陷均為空位型.氧空位(V_O)在ZnO中更易形成,富氧和低溫條件有利用于ZnO的p型本征摻雜.而鋅空位(V_(Zn))在ZnS中形成能最低,因此ZnS比ZnO更容易形成p型摻雜.研究還發(fā)現(xiàn)2種晶體的肖特基缺陷都不穩(wěn)定,而弗倫克爾缺陷比較穩(wěn)定.除ZnS反弗倫克爾缺陷外,有價態(tài)的缺陷對的形成能均比中性缺陷對的形成能低.
【作者單位】： 上海理工大學(xué)理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 密度泛函理論 點缺陷 熱力學(xué) 氧化鋅 硫化鋅
【基金】：滬江基金項目(批準(zhǔn)號:B14004)資助~~
【分類號】：O641.1
【正文快照】： Zn S和Zn O均為鋅基Ⅱ-Ⅵ族化合物直接寬帶隙半導(dǎo)體,是非常重要的發(fā)光半導(dǎo)體材料,均包含立方(閃鋅礦)和六方(纖鋅礦)2種晶體結(jié)構(gòu).Zn O通常以六方結(jié)構(gòu)存在,而Zn S通常為立方結(jié)構(gòu).Zn O的激子束縛能較大(≈60 me V),透明度高,廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管、熒光材料、光催化及太陽能光伏

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本文編號：629804