新型的二維層狀材料憑借著其優(yōu)異的機械、光學、電學等獨特性能受到研究者廣泛關注,二維層狀材料如石墨烯、過渡金屬硫族化合物等在柔性器件等領域具有潛在的應用前景,逐漸成為了現階段研究熱點之一;然而,應用的前提是高質量的二維材料大面積可控制備,如何制備形貌較好,尺寸較大的二維材料是亟待解決的問題。已經有初步的研究證明,反應過程中反應參數的變化對二維材料的制備形貌有明顯的影響。對此,本文以二硫化鉬(MoS2)作為研究對象,進一步研究不同反應參數對二維二硫化鉬生長的影響。通常將不同材料相結合形成異質結體系可以彌補單一材料的不足,獲得協同互補效應,新型二維材料與有機半導體形成異質結也受到越來越多的關注,二者的結合展現出與個體材料不同的光學電學特性。之前,有工作報道了一些有機半導體與二維二硫化鉬的結合,但對有機/無機異質結體系的熒光性能研究較少。因此,有必要研究二維材料與有機半導體復合前后體系熒光性能的變化。論文第一章主要介紹過渡金屬二硫族化合物二維材料的基本性質和常見的制備方法,以及二維材料與不同有機物結合在不同領域中的應用。論文的第二章考察了不同反應溫度和不同硫濃度對二維二硫化鉬生長的影響。不同反應...

【文章頁數】：82 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１基于ＩＶ族和ＩＩＩ－Ｖ族的ＭＸ２化合物的穩(wěn)定性和半導體性能的概括圖

器件以及生物探測等多種領域％１１］。??過渡金屬硫族化合物是一類具有ＭＸ２層狀結構的材料，其中Ｘ代表硫族元素，Ｍ代??表在元素周期表內位于第四族到第十族之間的過渡金屬元素。圖１．１為基于ＩＶ族和ＩＩＩ－Ｖ??族的ＭＸ２化合物的穩(wěn)定性和半導體性能的概括圖，從圖中可知較為常見的可以制....

圖１．２?（ａ）層狀Ｍ〇Ｓ２的原子結構；（ｂ）層狀ＭｏＳ２的蜂窩狀點陣結構俯視圖

二硫化鑰（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｄｉｓｕｌｆｉｄｅ，?Ｍ０Ｓ２）作為一種較為典型的過渡金屬二硫族化合物??逐漸成為研究熱點。與零帶隙石墨烯相比較，二硫化鉬作為一種半導體材料具有間接帶隙，??且?guī)秾挒椋保玻?ｅＶ［１２］：硫化鉬的結構為六方晶體層狀結構（圖１．２），圖１．２ａ為層....

圖１．４?（ａ）機械剝離法得到的單層、雙層ＭｏＳ２片層的熒光光譜，插圖為１層到６層ＭｏＳ２??片層的熒光量子產率；（ｂ）?ＭｏＳ２的能帶結化示，ＥＭｏＳ２

及特殊的光學特性主要與形成ＭｏＳ２導帶與價帶的ｄ電子軌道有關［１８］。當Ｍ０Ｓ２為塊狀時，??電子躍遷從價帶頂ｒ處躍遷到位于Ｋ／ｒ之間的導帶底；當Ｍ〇ｓ２為單層時，能帶結構由間??接帶隙轉變?yōu)橹苯訋�，如圖１．４ｂ所不。??（ａ），＿＿■一一?＿■???（ｂ）Ｈ＿＿＂???Ｈ??....

圖１．５?（ａ）?Ｓｉ／Ｓｉ０２表面生長單層ＭｏＳ２的拉曼光譜；（ｂ）?Ｓｉ〇２表面生長單層ＭｏＳ２的熒光??光譜

第一章緒論??單層二硫化鉬的結構性能表征也是一大研究熱點，比較常用的為拉曼光譜表征和熒光??光譜表征。圖１．５ａ為單層ＭｏＳ２的拉曼光譜，在波數為３８５?ｃｍ－１和４０５?〇１＾附近出現兩個??拉曼特征峰，可分別歸于Ｍｏ－Ｓ的面內振動Ｅ、峰和面內振動八１８峰［２（）］。一般通過兩....

本文編號：4030407