二維二硫化鉬/PTCDA異質結的制備及熒光性能的研究
【文章頁數】:82 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1基于IV族和III-V族的MX2化合物的穩(wěn)定性和半導體性能的概括圖
器件以及生物探測等多種領域%11]。??過渡金屬硫族化合物是一類具有MX2層狀結構的材料,其中X代表硫族元素,M代??表在元素周期表內位于第四族到第十族之間的過渡金屬元素。圖1.1為基于IV族和III-V??族的MX2化合物的穩(wěn)定性和半導體性能的概括圖,從圖中可知較為常見的可以制....
圖1.2?(a)層狀M〇S2的原子結構;(b)層狀MoS2的蜂窩狀點陣結構俯視圖
二硫化鑰(molybdenumdisulfide,?M0S2)作為一種較為典型的過渡金屬二硫族化合物??逐漸成為研究熱點。與零帶隙石墨烯相比較,二硫化鉬作為一種半導體材料具有間接帶隙,??且?guī)秾挒椋保玻?eV[12]:硫化鉬的結構為六方晶體層狀結構(圖1.2),圖1.2a為層....
圖1.4?(a)機械剝離法得到的單層、雙層MoS2片層的熒光光譜,插圖為1層到6層MoS2??片層的熒光量子產率;(b)?MoS2的能帶結化示,EMoS2
及特殊的光學特性主要與形成MoS2導帶與價帶的d電子軌道有關[18]。當M0S2為塊狀時,??電子躍遷從價帶頂r處躍遷到位于K/r之間的導帶底;當M〇s2為單層時,能帶結構由間??接帶隙轉變?yōu)橹苯訋,如圖1.4b所不。??(a),__■一一?_■???(b)H__"???H??....
圖1.5?(a)?Si/Si02表面生長單層MoS2的拉曼光譜;(b)?Si〇2表面生長單層MoS2的熒光??光譜
第一章緒論??單層二硫化鉬的結構性能表征也是一大研究熱點,比較常用的為拉曼光譜表征和熒光??光譜表征。圖1.5a為單層MoS2的拉曼光譜,在波數為385?cm-1和405?〇1^附近出現兩個??拉曼特征峰,可分別歸于Mo-S的面內振動E、峰和面內振動八18峰[2()]。一般通過兩....
本文編號:4030407
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