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H 2 O 2 濃度對等離子體電化學法制備銀納米顆粒的影響

發(fā)布時間:2025-02-11 20:45
   利用等離子體電化學法制備銀納米顆粒,通過局域等離子體共振(Localized Surface Plasmon Resonance,LSPR)吸收光譜實時監(jiān)測銀納米顆粒(Ag Nanoparticles,Ag-NPs)的生長過程,驗證了在不同放電電流條件下放電等離子體與溶液相互作用產(chǎn)生的過氧化氫(H2O2)對已生成的Ag-NPs的氧化刻蝕作用,進一步地觀察了反應結束后加入不同濃度的H2O2對Ag-NPs的氧化刻蝕程度.實驗結果表明:當放電電流較大時,溶液中產(chǎn)生的H2O2含量越多,會氧化溶液中生成的Ag-NPs,表現(xiàn)為LSPR吸收光譜的吸收峰強度下降;在放電結束后,加入的H2O2濃度越大,Ag-NPs的氧化刻蝕現(xiàn)象越明顯,表現(xiàn)為LSPR吸收光譜的吸收峰強度下降速率越大.探討反應體系中的H2O2濃度問題,可以為更好地使用此方法制備其他金屬納米顆粒提供思路.

【文章頁數(shù)】:5 頁

【文章目錄】:
1 實 驗
    1.1 等離子體電化學法制備Ag-NPs
    2.2 實驗裝置及試劑
2 實驗結果及分析
    2.1 不同電流條件下溶液中生成的H2O2對AgNO3的氧化作用
    2.2 放電結束后加入的H2O2濃度對生成Ag-NPs的影響
3 結 論



本文編號:4033829

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