采用分子束外延（MBE）技術(shù)在GaAs襯底上生長Al_0.26Ga_0.74As外延層,并在相同的退火條件下,分別退火0,10,20,40 min。利用掃描隧道顯微鏡對(duì)不同退火時(shí)間下Al_0.26Ga_0.74As/GaAs樣品表面進(jìn)行了掃描,得出不同退火時(shí)間Al_0.26Ga_0.74As/GaAs表面形貌特點(diǎn)。在40 min的熱退火后,Al_0.26Ga_0.74As/GaAs表面完全熟化。本文采用基于熱力學(xué)理論的半平臺(tái)擴(kuò)散理論模型估測獲得平坦Al_0.26Ga_0.74As/GaAs薄膜表面所需退火時(shí)間,根據(jù)理論模型計(jì)算得到Al_0.26Ga_0.74As/GaAs平坦表面的退火時(shí)間和實(shí)驗(yàn)獲得平坦表面所需退火時(shí)間一致。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論
    2.1 原子有效擴(kuò)散長度的計(jì)算
    2.2 原子遷移速率的計(jì)算
3 結(jié)論



本文編號(hào)：4016862