納米粒子由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和尺寸效應(yīng)等特性,已成為提高樹脂基復(fù)合材料機(jī)械性能及其他功能性的有效增強(qiáng)體之一。但納米粒子對(duì)復(fù)合材料的增強(qiáng)效果取決于其在基體相中的分散狀態(tài)。因而,高效定量地表征納米粒子在復(fù)合材料中的分散性是制備高性能復(fù)合材料亟待解決的一大問題。本文以零維二氧化硅(SiO2)、一維碳納米管(MWCNTs)與二維氧化石墨烯(GO)為三種代表性納米粒子,將熒光分子羅丹明B(RhoB)、異硫氰酸熒光素(FITC)、氨基香豆素(NH2-COUR)分別引入相應(yīng)維度納米粒子表面,制得熒光二氧化硅(SiO2-RhoB)、熒光碳納米管(MWCNTs-FITC)與熒光氧化石墨烯(GO-COUR),在此基礎(chǔ)上系統(tǒng)研究了三維空間下不同維度納米粒子在復(fù)合材料中分散性的影響規(guī)律,同時(shí)探究了納米粒子分散性對(duì)復(fù)合材料熱機(jī)械性能和熒光成像穩(wěn)定性的影響規(guī)律。主要工作如下:結(jié)合原子轉(zhuǎn)移自由基聚合法(ATRP)和熒光標(biāo)記法成功合成了 SiO2-RhoB、MWCNTs-FITC和GO-COUR。紅外光譜(FTIR)、X射線光電子能譜(XPS)和熱失重(TGA)等測(cè)試手段表明熒光分子成功接枝到納米粒子表面。熒光光譜(FS...

【文章頁(yè)數(shù)】：96 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１電弧法裝置示意圖??Ｆｉｇ．１－１?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ａｎ?ａｒｃ?ｄｉｓｃｈａｒｇｅ?ｓｅｔｕｐ．??

的ＳＷＣＮＴ組成，且層與層之間有一定間隔。碳納米管是較為特殊的且具有代表性的??一維納米粒子，其徑向長(zhǎng)度是納米級(jí)別，最低可以達(dá)到ｌｎｍ，而軸向長(zhǎng)度則是微米級(jí)??別。碳納米管自問世以來(lái)便得到學(xué)術(shù)界的高度關(guān)注，其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)以及優(yōu)良的力學(xué)性??能、熱性能、光電性能為材料與化學(xué)等領(lǐng)域開辟....

圖１－２熱ＣＶＤ裝置示意圖??Ｆｉｇ．１－２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ＣＶＤ?ａｐｐａｒａｔｕｓ??

碳納米管的生長(zhǎng)呈??現(xiàn)多樣性，可以是纏結(jié)排列或是直的排列，但ＭＷＣＮＴｓ的結(jié)晶度較低。Ｎｉｋｏｌａｅｖ等??人［２３］基于ＣＶＤ法，分別使用Ｃ０和Ｆｅ（ＣＯ）５作為碳源和催化劑制備ＳＷＣＮＴ，ＳＷＣＮＴ??的產(chǎn)率超過７０?％，并且其直徑可控制在０．７?ｎｍ。Ｓｈａｈ等人［２４］發(fā)....

圖１－３激光燒蝕裝置示意圖??Ｆｉｇ．１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ｌａｓｅｒ?ａｂｌａｔｉｏｎ?ｄｅｖｉｃｅ??

?第一章緒論???ｒ??爾＾而Ｔ??Ｈｈｔ＊＾?—??＞ＳＰ？論?一??ｌ＊？＊ｗ?｜ｆ？ｂ？?Ｆｅｌｌ?｜?Ｐｍｓｗｉ＾ｆ??：？?／ｍ＾?一??，（??圖１－３激光燒蝕裝置示意圖??Ｆｉｇ．１－３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ｌａｓｅｒ?ａｂｌａｔｉｏｎ?ｄｅｖｉｃｅ??１．２....

圖１＊４氧化石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇ．?１－４?Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ?ｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎ?ｏｆ?ＧＯ??下面具體介紹氧化石墨的制備方法：??（１）?Ｂｒｏｄｉｅ?法??

?第一章緒論???及羥基等親水性含氧官能團(tuán)分布在ＧＯ的邊緣，使得其親水性增強(qiáng)，能夠在水溶液中??較好分散；而疏水性環(huán)氧官能團(tuán)則隨機(jī)分布在ＧＯ的片層上。由此分布可知，ＧＯ的??片層邊緣至中央是由親水性向疏水性的過渡，因而Ｇ？具有兩親性『５４，５５１??ＨＯＯＴ?ＣＯＯＨＣＯＯＨＯＨ....

本文編號(hào)：3963624