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CuO@CuS元件的制備及其對H 2 S的氣敏機理研究

發(fā)布時間:2024-04-13 01:44
  采用簡單的一步溶液法制備出了形貌較好的氧化銅納米片,并通過對氧化銅進行硫化氫鈍化的方式,制備出了室溫工作溫度下能重復(fù)檢測硫化氫的氣敏元件。研究結(jié)果顯示,制備的CuO@CuS元件在室溫工作溫度下對硫化氫表現(xiàn)出較好的選擇性、響應(yīng)靈敏度高且響應(yīng)時間短。室溫工作溫度下對1ppm、5ppm、10ppm、15ppm濃度硫化氫的響應(yīng)靈敏度為3.0、4.9、6.2、8.0,對應(yīng)的響應(yīng)時間為30s、10s、7s、5s。

【文章頁數(shù)】:3 頁

【文章目錄】:
前言
1 氧化銅納米片的制備及表征
    1.1 氧化銅納米結(jié)構(gòu)的制備
    1.2 氧化銅納米片的表征
2 氣敏元件的制備及性能分析
    2.1 氣敏元件的制備
    2.2 氣敏性能測試
3 機理分析
4 總結(jié)



本文編號:3952289

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