溶膠-凝膠法制備離子印跡聚合物及其用于選擇性吸附重金屬離子的綜述
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【部分圖文】:
圖4表面印跡法制備離子印跡聚合物示意圖
表1溶膠-凝膠法制備離子印跡聚合物的工藝特點(diǎn)Table1Characteristicsofsol-gelmethodforpreparingIIPsPreparationprocessAdvantagesDisadvantagesEmbedding....
圖3共聚法制備Hg-IIPs過(guò)程的示意圖[32]
共聚法制備IIPs的基本合成過(guò)程(以Hg-IIP合成為例[32])如圖3所示。通過(guò)共聚法制備的印跡材料表面較為粗糙,同時(shí)具有較大的比表面積,有利于所形成的空腔對(duì)模板離子的捕獲與吸附。該方法的制備過(guò)程中,對(duì)功能單體有較高要求,功能單體與模板離子間具有較強(qiáng)的親和力,從而能形成穩(wěn)定絡(luò)合....
圖2包埋法制備Cd-IIPs過(guò)程示意圖[28]
Li等[28]通過(guò)包埋法,一步合成Cd(Ⅱ)印跡-介孔二氧化硅(Cd-IMS)。模板離子Cd2+在雙氨基官能團(tuán)的配體固定下與TEOS在超純水中均勻混合,經(jīng)水解、縮聚,最終獲得一種六角形、通道壁上布滿(mǎn)印跡位點(diǎn)的介孔硅材料,具體合成過(guò)程如圖2所示。該制備方法通過(guò)調(diào)節(jié)原料的配比,可“一....
圖1離子印跡過(guò)程示意圖[24]
該制備方法的優(yōu)勢(shì)主要在于:(1)反應(yīng)條件溫和,容易進(jìn)行摻雜實(shí)驗(yàn)[23];(2)結(jié)構(gòu)功能可控,通過(guò)改變化學(xué)組分與計(jì)量,可制備復(fù)雜組分或結(jié)構(gòu)的聚合物。本文將重點(diǎn)介紹離子印跡聚合物的溶膠-凝膠法制備;闡述溶膠-凝膠法所制備的典型重金屬離子印跡聚合物的選擇性識(shí)別性能;最后指出該方法現(xiàn)階段....
本文編號(hào):3947253
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