基于聚集誘導(dǎo)發(fā)光的二氧化硅生長及表面修飾可視化監(jiān)測
發(fā)布時間:2023-10-22 12:26
二氧化硅(Si O2)作為研究最多的氧化物結(jié)構(gòu)材料之一,因其具有膠體穩(wěn)定性高、易加工、化學(xué)惰性好、孔隙率可控、光學(xué)透明等優(yōu)點(diǎn),而被廣泛應(yīng)用在涂料、藥物運(yùn)輸、催化劑載體和雜化材料等研究領(lǐng)域。但由于Si O2的表面能較高且表面富含羥基,使得Si O2在非極性介質(zhì)中不易均勻分散,通常需要對其進(jìn)行表面修飾來適應(yīng)更多的環(huán)境并賦予其特殊的功能性。無論是Si O2的合成還是對其表面進(jìn)行修飾,均需一定的表征手段對其進(jìn)行檢測。比如利用掃描電子顯微鏡(SEM)、動態(tài)光散射(DLS)等可以獲取Si O2的形貌、尺寸等信息;通過紅外光譜(FT-IR)、X射線光電子能譜分析(XPS)等能夠得到Si O2的表面基團(tuán)信息。然而,這些方法均需先從反應(yīng)系統(tǒng)中定期提取樣品,然后才能進(jìn)行分析。并且一些離線分析技術(shù)需要較長的分析周期,不能及時無創(chuàng)的監(jiān)測Si O2生長和表面修飾進(jìn)程。因此,本論文基于聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)技術(shù)開發(fā)了一種簡便快速的原位可視化監(jiān)測Si O...
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)
1.1.1 聚集誘導(dǎo)發(fā)光概述
1.1.2 聚集誘導(dǎo)發(fā)光機(jī)理的研究
1.1.3 聚集誘導(dǎo)發(fā)光技術(shù)的應(yīng)用
1.2 二氧化硅
1.2.1 二氧化硅的簡介
1.2.2 二氧化硅粒子的合成
1.2.3 St?ber法制備二氧化硅粒子的生長模型
1.2.4 二氧化硅粒子的應(yīng)用
1.3 二氧化硅的表面修飾
1.3.1 二氧化硅表面修飾的目的
1.3.2 二氧化硅表面修飾方法
1.3.3 硅烷偶聯(lián)劑法SiO2表面修飾的反應(yīng)機(jī)理
1.4 本課題的意義及研究內(nèi)容
1.4.1 本課題的意義
1.4.2 主要研究內(nèi)容
2 基于聚集誘導(dǎo)發(fā)光技術(shù)(AIE)的二氧化硅生長原位可視化監(jiān)測
2.1 引言
2.2 實(shí)驗部分
2.2.1 主要實(shí)驗原料
2.2.2 主要實(shí)驗儀器
2.2.3 具有AIE特性的熒光探針(APTS-TPE)的合成
2.2.4 基于St?ber法的熒光SiO2粒子制備
2.2.5 SiO2粒子生長的原位監(jiān)測
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 具有AIE特性的熒光探針(APTS-TPE)表征
2.3.2 二氧化硅粒子生長的原位可視化監(jiān)測
2.3.3 基于氨水濃度調(diào)控的二氧化硅粒子尺寸可視化監(jiān)測
2.3.4 基于正硅酸乙酯濃度調(diào)控的二氧化硅粒子尺寸可視化監(jiān)測
2.4 本章小結(jié)
3 基于聚集誘導(dǎo)發(fā)光技術(shù)(AIE)的二氧化硅表面修飾可視化監(jiān)測
3.1 引言
3.2 實(shí)驗部分
3.2.1 主要實(shí)驗原料
3.2.2 主要實(shí)驗儀器
3.2.3 二氧化硅粒子的合成
3.2.4 二氧化硅表面修飾APTS
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 二氧化硅表面修飾APTS的可視化監(jiān)測
3.3.2 表面修飾后的SiO2在不同溶劑中的熒光變化
3.4 本章小結(jié)
4 含AIE探針二氧化硅的應(yīng)用
4.1 引言
4.2 實(shí)驗部分
4.2.1 主要實(shí)驗原料
4.2.2 主要實(shí)驗儀器
4.2.3 以熒光SiO2作為穩(wěn)定劑制備Pickering乳液
4.2.4 AIE-SiO2摻雜的熒光水凝膠制備
4.2.5 超順磁Fe3O4@SiO2 納米粒子的制備
4.2.6 TPE-Fe3O4@SiO2 納米粒子的制備
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 熒光SiO2粒子在相分離中的應(yīng)用
4.3.2 AIE-SiO2 在水凝膠中的應(yīng)用
4.3.3 AIE-SiO2 在磁響應(yīng)光子晶體中的應(yīng)用
4.4 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
5.1 結(jié)論
5.2 展望
參考文獻(xiàn)
個人簡歷、在學(xué)期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果
致謝
本文編號:3856516
【文章頁數(shù)】:84 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)
1.1.1 聚集誘導(dǎo)發(fā)光概述
1.1.2 聚集誘導(dǎo)發(fā)光機(jī)理的研究
1.1.3 聚集誘導(dǎo)發(fā)光技術(shù)的應(yīng)用
1.2 二氧化硅
1.2.1 二氧化硅的簡介
1.2.2 二氧化硅粒子的合成
1.2.3 St?ber法制備二氧化硅粒子的生長模型
1.2.4 二氧化硅粒子的應(yīng)用
1.3 二氧化硅的表面修飾
1.3.1 二氧化硅表面修飾的目的
1.3.2 二氧化硅表面修飾方法
1.3.3 硅烷偶聯(lián)劑法SiO2表面修飾的反應(yīng)機(jī)理
1.4 本課題的意義及研究內(nèi)容
1.4.1 本課題的意義
1.4.2 主要研究內(nèi)容
2 基于聚集誘導(dǎo)發(fā)光技術(shù)(AIE)的二氧化硅生長原位可視化監(jiān)測
2.1 引言
2.2 實(shí)驗部分
2.2.1 主要實(shí)驗原料
2.2.2 主要實(shí)驗儀器
2.2.3 具有AIE特性的熒光探針(APTS-TPE)的合成
2.2.4 基于St?ber法的熒光SiO2粒子制備
2.2.5 SiO2粒子生長的原位監(jiān)測
2.3 結(jié)果與討論
2.3.1 具有AIE特性的熒光探針(APTS-TPE)表征
2.3.2 二氧化硅粒子生長的原位可視化監(jiān)測
2.3.3 基于氨水濃度調(diào)控的二氧化硅粒子尺寸可視化監(jiān)測
2.3.4 基于正硅酸乙酯濃度調(diào)控的二氧化硅粒子尺寸可視化監(jiān)測
2.4 本章小結(jié)
3 基于聚集誘導(dǎo)發(fā)光技術(shù)(AIE)的二氧化硅表面修飾可視化監(jiān)測
3.1 引言
3.2 實(shí)驗部分
3.2.1 主要實(shí)驗原料
3.2.2 主要實(shí)驗儀器
3.2.3 二氧化硅粒子的合成
3.2.4 二氧化硅表面修飾APTS
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 二氧化硅表面修飾APTS的可視化監(jiān)測
3.3.2 表面修飾后的SiO2在不同溶劑中的熒光變化
3.4 本章小結(jié)
4 含AIE探針二氧化硅的應(yīng)用
4.1 引言
4.2 實(shí)驗部分
4.2.1 主要實(shí)驗原料
4.2.2 主要實(shí)驗儀器
4.2.3 以熒光SiO2作為穩(wěn)定劑制備Pickering乳液
4.2.4 AIE-SiO2摻雜的熒光水凝膠制備
4.2.5 超順磁Fe3O4@SiO2 納米粒子的制備
4.2.6 TPE-Fe3O4@SiO2 納米粒子的制備
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 熒光SiO2粒子在相分離中的應(yīng)用
4.3.2 AIE-SiO2 在水凝膠中的應(yīng)用
4.3.3 AIE-SiO2 在磁響應(yīng)光子晶體中的應(yīng)用
4.4 本章小結(jié)
5 結(jié)論與展望
5.1 結(jié)論
5.2 展望
參考文獻(xiàn)
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致謝
本文編號:3856516
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