TiO₂作為一種光催化劑廣泛應用于各種污染物的降解.但是它較大的寬禁帶(³.2 eV)導致其很難吸收可見光,因此尋找窄禁帶的具有可見光響應的半導體光催化劑成為近年來光催化研究的熱點.在眾多窄禁帶光催化劑中,純Ag₂S在降解污染物方面并不出色,但是作為一種窄禁帶的直接帶隙半導體,它在加快電子遷移和提高光量子效率方面表現(xiàn)出色.目前有許多高催化活性的Ag₂S異質結復合半導體光催化劑的報道,如Ag₂Mo₃O₁₀-Ag₂S,TiO₂-Ag₂S,ZnS-Ag₂S和NiO-Ag₂S等.Ag₂WO₄是一種具有新穎物理化學性質的半導體材料,在催化、傳感器、抗菌和光致發(fā)光等方面有著廣泛應用.但是,Ag₂WO₄的理論帶隙較寬,約為3.5 eV,而且光照下Ag

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