采用水相法合成了Cu摻雜CdTe量子點,并用CdS殼層進行包覆,得到了Cu∶CdTe/CdS核殼結構量子點。采用熒光發(fā)射光譜(FL)、紫外可見吸收光譜(UV-Vis)、透射電鏡(TEM)以及能譜儀(EDS)等手段對CdTe量子點和Cu∶CdTe/CdS核殼量子點進行了表征。研究了不同Cu摻雜濃度、CdS殼層生長時間以及Cd/硫脲物質(zhì)的量比對Cu∶CdTe摻雜量子點光學性能的影響,并采用人成骨肉瘤細胞(MG-63細胞)對樣品做了細胞毒性分析。研究結果表明:通過摻雜和包殼的步驟,合成的Cu∶CdTe/CdS核殼量子點在CdTe量子點的基礎上實現(xiàn)了熒光發(fā)射紅移,熒光強度提高,以及細胞毒性降低。

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
    1.1 試劑及儀器
    1.2 實驗過程
        1.2.1 MPA包裹的CdTe量子點的制備
        1.2.2 Cu∶CdTe量子點的制備
        1.2.3 Cu∶CdTe/CdS核殼量子點的制備
        1.2.4 CdTe和Cu∶CdTe/CdS量子點的MTT測試
2 結果與討論
    2.1 CdTe與Cu∶CdTe/CdS量子點的分析
        2.1.1 光譜結果分析
        2.1.2 TEM結果分析
        2.1.3 EDS結果分析
    2.2 不同Cu摻雜濃度對Cu∶CdTe量子點光學性質(zhì)的影響
    2.3 CdS殼層生長過程中Cu∶CdTe/CdS量子點光學性質(zhì)的變化
    2.4 Cd/硫脲物質(zhì)的量比對Cu∶CdTe/CdS核殼量子點光學性質(zhì)的影響
    2.5 細胞毒性檢測
3 結論



本文編號：3795855