β-Ga₂O₃單晶材料由于其優(yōu)異的性能得到了廣泛關(guān)注,但是對于其摻雜、能級、電學(xué)性能等方面的研究仍然比較欠缺。采用導(dǎo)模法分別制備了非故意摻雜β-Ga₂O₃單晶和Si/Mg/Fe摻雜的β-Ga₂O₃單晶,對樣品進(jìn)行了拉曼光譜測試和電學(xué)性能測試,研究不同摻雜元素對拉曼光譜的影響。對β-Ga₂O₃單晶的聲子譜進(jìn)行計算,并通過拉曼光譜測試進(jìn)行了驗證,對摻雜元素的取代位置進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,摻雜元素會對拉曼峰強(qiáng)度產(chǎn)生顯著影響,Si、Mg、Fe均傾向于取代Ga_ⅡO₆八面體中心的Ga_Ⅱ原子。根據(jù)電學(xué)性能測試結(jié)果,Si摻雜會使β-Ga₂O₃單晶呈n型導(dǎo)電,Mg或Fe摻雜會使β-Ga₂O₃單晶呈半絕緣態(tài)。 

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 導(dǎo)模法制備的2英寸β-Ga2O3單晶及晶片
    2.2 非故意摻雜與Si/Mg/Fe摻雜β-Ga2O3單晶的電學(xué)性能
    2.3 拉曼光譜
3 結(jié)論



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