由于制藥廢水的排放及廣譜抗生素在水產(chǎn)和家畜領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,水體中廣譜抗生素污染已經(jīng)危害對(duì)人類身體健康及自然環(huán)境的造成威脅,而石墨相C₃N₄（g-C₃N₄）由于其無(wú)毒和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,以及表現(xiàn)出一定的可見光響應(yīng)能力,在光催化降解污染物領(lǐng)域具有巨大的潛力;針對(duì)其存在可見光利用率低,電子-空穴對(duì)易復(fù)合等問題,本研究首先采用熱聚合法制備g-C₃N₄,然后采用水熱法和超聲水浴法制備了二元（MoS₂/g-C₃N₄、NiS/g-C₃N₄）和三元復(fù)合半導(dǎo)體（NiS/MoS₂/g-C₃N₄）;同時(shí)采用不同前驅(qū)體原料通過熱聚合法制得了 g-C₃N₄/g-C₃N₄同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體。在制備二元及三元復(fù)合半導(dǎo)體過程中,通... 

【文章頁(yè)數(shù)】：78 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
致謝
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 g-C_3N_4的概述
        1.1.1 g-C_3N_4的結(jié)構(gòu)
        1.1.2 g-C_3N_4的光催化機(jī)理
        1.1.3 g-C_3N_4的制備
    1.2 g-C_3N_4的修飾改性
        1.2.1 g-C_3N_4修飾改性的必要性
        1.2.2 g-C_3N_4基復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)計(jì)理念
        1.2.3 g-C_3N_4基復(fù)合半導(dǎo)體的種類
            1.2.3.1 非金屬/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
            1.2.3.2 貴金屬/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
            1.2.3.3 單金屬(氧化物/硫化物)/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
            1.2.3.4 多金屬氧化物/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
            1.2.3.5 復(fù)雜體系/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
    1.3 選題的意義及主要內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)部分
    2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
    2.2 實(shí)驗(yàn)儀器和設(shè)備
    2.3 樣品的制備
        2.3.1 g-C_3N_4的制備
        2.3.2 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
            2.3.2.1 MoS_2的制備
            2.3.2.2 MoS_2納米片與g-C_3N_4的復(fù)合
        2.3.3 NiS/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體和NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
            2.3.3.1 NiS與g-C_3N_4的復(fù)合
            2.3.3.2 MoS_2與NiS/g-C_3N_4化合物的復(fù)合
    2.4 樣品的結(jié)構(gòu)和形貌的表征
        2.4.1 X射線衍射分析(XRD)
        2.4.2 X射線光電子能譜分析(XPS)
        2.4.3 掃描電鏡分析(SEM)
        2.4.4 透射電鏡分析(TEM)
        2.4.5 能譜分析(EDS)
        2.4.6 傅里葉紅外光譜分析(FT-IR)
        2.4.7 紫外-可見光譜分析(UV-Vis)
    2.5 樣品的光催化性能檢測(cè)
第三章 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
    3.1 引言
    3.2 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 晶體結(jié)構(gòu)及微觀形貌表征
        3.3.2 光吸收性能
        3.3.3 光催化性能
        3.3.4 光催化機(jī)理
    3.4 本章總結(jié)
第四章 NiS/g-C_3N_4及NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
    4.1 引言
    4.2 NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 晶體結(jié)構(gòu)及微觀形貌表征
        4.3.2 光吸收性能
        4.3.3 光催化性能
        4.3.4 光催化機(jī)理
    4.4 本章總結(jié)
第五章 g-C_3N_4/g-C_3N_4同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
    5.1 引言
    5.2 g-C_3N_4/g-C_3N_4同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體的制備
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 結(jié)構(gòu)表征
        5.3.2 光催化性能
        5.3.3 光催化機(jī)理
    5.4 本章總結(jié)
第六章 全文總結(jié)與展望
    6.1 全文總結(jié)
    6.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]陽(yáng)極TiO2/g-C3N4與陰極WO3/W納米催化劑之間擴(kuò)大的異質(zhì)結(jié)自偏壓系統(tǒng)去除污染物（英文）[J]. 于婷婷,柳麗芬,楊鳳林.  催化學(xué)報(bào). 2017(02)
[2]g-C3N4光催化性能的研究進(jìn)展[J]. 楚增勇,原博,顏廷楠.  無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(08)



本文編號(hào)：3718115