類石墨相C 3 N 4 與MoS 2 /NiS/C 3 N 4 復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能研究
發(fā)布時(shí)間:2022-12-11 04:09
由于制藥廢水的排放及廣譜抗生素在水產(chǎn)和家畜領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,水體中廣譜抗生素污染已經(jīng)危害對(duì)人類身體健康及自然環(huán)境的造成威脅,而石墨相C3N4(g-C3N4)由于其無(wú)毒和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,以及表現(xiàn)出一定的可見光響應(yīng)能力,在光催化降解污染物領(lǐng)域具有巨大的潛力;針對(duì)其存在可見光利用率低,電子-空穴對(duì)易復(fù)合等問題,本研究首先采用熱聚合法制備g-C3N4,然后采用水熱法和超聲水浴法制備了二元(MoS2/g-C3N4、NiS/g-C3N4)和三元復(fù)合半導(dǎo)體(NiS/MoS2/g-C3N4);同時(shí)采用不同前驅(qū)體原料通過熱聚合法制得了 g-C3N4/g-C3N4同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體。在制備二元及三元復(fù)合半導(dǎo)體過程中,通...
【文章頁(yè)數(shù)】:78 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 g-C_3N_4的概述
1.1.1 g-C_3N_4的結(jié)構(gòu)
1.1.2 g-C_3N_4的光催化機(jī)理
1.1.3 g-C_3N_4的制備
1.2 g-C_3N_4的修飾改性
1.2.1 g-C_3N_4修飾改性的必要性
1.2.2 g-C_3N_4基復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)計(jì)理念
1.2.3 g-C_3N_4基復(fù)合半導(dǎo)體的種類
1.2.3.1 非金屬/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.2 貴金屬/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.3 單金屬(氧化物/硫化物)/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.4 多金屬氧化物/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.5 復(fù)雜體系/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.3 選題的意義及主要內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)部分
2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.2 實(shí)驗(yàn)儀器和設(shè)備
2.3 樣品的制備
2.3.1 g-C_3N_4的制備
2.3.2 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
2.3.2.1 MoS_2的制備
2.3.2.2 MoS_2納米片與g-C_3N_4的復(fù)合
2.3.3 NiS/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體和NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
2.3.3.1 NiS與g-C_3N_4的復(fù)合
2.3.3.2 MoS_2與NiS/g-C_3N_4化合物的復(fù)合
2.4 樣品的結(jié)構(gòu)和形貌的表征
2.4.1 X射線衍射分析(XRD)
2.4.2 X射線光電子能譜分析(XPS)
2.4.3 掃描電鏡分析(SEM)
2.4.4 透射電鏡分析(TEM)
2.4.5 能譜分析(EDS)
2.4.6 傅里葉紅外光譜分析(FT-IR)
2.4.7 紫外-可見光譜分析(UV-Vis)
2.5 樣品的光催化性能檢測(cè)
第三章 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
3.1 引言
3.2 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 晶體結(jié)構(gòu)及微觀形貌表征
3.3.2 光吸收性能
3.3.3 光催化性能
3.3.4 光催化機(jī)理
3.4 本章總結(jié)
第四章 NiS/g-C_3N_4及NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
4.1 引言
4.2 NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 晶體結(jié)構(gòu)及微觀形貌表征
4.3.2 光吸收性能
4.3.3 光催化性能
4.3.4 光催化機(jī)理
4.4 本章總結(jié)
第五章 g-C_3N_4/g-C_3N_4同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
5.1 引言
5.2 g-C_3N_4/g-C_3N_4同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體的制備
5.3 結(jié)果與討論
5.3.1 結(jié)構(gòu)表征
5.3.2 光催化性能
5.3.3 光催化機(jī)理
5.4 本章總結(jié)
第六章 全文總結(jié)與展望
6.1 全文總結(jié)
6.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]陽(yáng)極TiO2/g-C3N4與陰極WO3/W納米催化劑之間擴(kuò)大的異質(zhì)結(jié)自偏壓系統(tǒng)去除污染物(英文)[J]. 于婷婷,柳麗芬,楊鳳林. 催化學(xué)報(bào). 2017(02)
[2]g-C3N4光催化性能的研究進(jìn)展[J]. 楚增勇,原博,顏廷楠. 無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(08)
本文編號(hào):3718115
【文章頁(yè)數(shù)】:78 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
致謝
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 g-C_3N_4的概述
1.1.1 g-C_3N_4的結(jié)構(gòu)
1.1.2 g-C_3N_4的光催化機(jī)理
1.1.3 g-C_3N_4的制備
1.2 g-C_3N_4的修飾改性
1.2.1 g-C_3N_4修飾改性的必要性
1.2.2 g-C_3N_4基復(fù)合半導(dǎo)體設(shè)計(jì)理念
1.2.3 g-C_3N_4基復(fù)合半導(dǎo)體的種類
1.2.3.1 非金屬/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.2 貴金屬/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.3 單金屬(氧化物/硫化物)/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.4 多金屬氧化物/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.2.3.5 復(fù)雜體系/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體
1.3 選題的意義及主要內(nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)部分
2.1 實(shí)驗(yàn)試劑
2.2 實(shí)驗(yàn)儀器和設(shè)備
2.3 樣品的制備
2.3.1 g-C_3N_4的制備
2.3.2 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
2.3.2.1 MoS_2的制備
2.3.2.2 MoS_2納米片與g-C_3N_4的復(fù)合
2.3.3 NiS/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體和NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
2.3.3.1 NiS與g-C_3N_4的復(fù)合
2.3.3.2 MoS_2與NiS/g-C_3N_4化合物的復(fù)合
2.4 樣品的結(jié)構(gòu)和形貌的表征
2.4.1 X射線衍射分析(XRD)
2.4.2 X射線光電子能譜分析(XPS)
2.4.3 掃描電鏡分析(SEM)
2.4.4 透射電鏡分析(TEM)
2.4.5 能譜分析(EDS)
2.4.6 傅里葉紅外光譜分析(FT-IR)
2.4.7 紫外-可見光譜分析(UV-Vis)
2.5 樣品的光催化性能檢測(cè)
第三章 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
3.1 引言
3.2 MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
3.3 結(jié)果與討論
3.3.1 晶體結(jié)構(gòu)及微觀形貌表征
3.3.2 光吸收性能
3.3.3 光催化性能
3.3.4 光催化機(jī)理
3.4 本章總結(jié)
第四章 NiS/g-C_3N_4及NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
4.1 引言
4.2 NiS/MoS_2/g-C_3N_4復(fù)合半導(dǎo)體的制備
4.3 結(jié)果與討論
4.3.1 晶體結(jié)構(gòu)及微觀形貌表征
4.3.2 光吸收性能
4.3.3 光催化性能
4.3.4 光催化機(jī)理
4.4 本章總結(jié)
第五章 g-C_3N_4/g-C_3N_4同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體的制備及光催化性能的研究
5.1 引言
5.2 g-C_3N_4/g-C_3N_4同質(zhì)復(fù)合半導(dǎo)體的制備
5.3 結(jié)果與討論
5.3.1 結(jié)構(gòu)表征
5.3.2 光催化性能
5.3.3 光催化機(jī)理
5.4 本章總結(jié)
第六章 全文總結(jié)與展望
6.1 全文總結(jié)
6.2 工作展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]陽(yáng)極TiO2/g-C3N4與陰極WO3/W納米催化劑之間擴(kuò)大的異質(zhì)結(jié)自偏壓系統(tǒng)去除污染物(英文)[J]. 于婷婷,柳麗芬,楊鳳林. 催化學(xué)報(bào). 2017(02)
[2]g-C3N4光催化性能的研究進(jìn)展[J]. 楚增勇,原博,顏廷楠. 無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2014(08)
本文編號(hào):3718115
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/huaxue/3718115.html
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