β-Ga₂O₃晶體是一種新型寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料,本征導(dǎo)電性差。為了在調(diào)控導(dǎo)電性能的同時兼顧高的透過率和結(jié)晶性能,離子摻雜是一種有效的途徑。采用光學(xué)浮區(qū)法生長出f8 mm×50 mm藍(lán)色透明In:Ga₂O₃晶體,晶體具有較高的結(jié)晶完整性。In³⁺離子摻雜后,β-Ga₂O₃晶體在紅外波段出現(xiàn)明顯的自由載流子吸收,熱導(dǎo)率稍有減小。室溫下,In:Ga₂O₃晶體的電導(dǎo)率和載流子濃度分別為4.94×10^-4S/cm和1.005×1016 cm^-3,其值高于β-Ga₂O₃晶體約1個數(shù)量級。In:Ga₂O₃晶體電學(xué)性能對熱處理敏感,1200℃空氣氣氛和氬氣氣氛退火后電導(dǎo)率降低。結(jié)果表明,In³⁺離子摻雜能夠調(diào)控β-Ga₂O

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
1 實驗方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 晶體生長和物相分析
    2.2 吸收光譜
    2.3 熱學(xué)性能
    2.4 電學(xué)性能
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]光學(xué)浮區(qū)法生長摻錫氧化鎵單晶及性能研究[J]. 張小桃,謝建軍,夏長泰,張曉欣,肖海林,賽青林,戶慧玲.  人工晶體學(xué)報. 2015(09)
[2]Ti摻雜β-Ga2O3電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理計算[J]. 郭艷蕊,嚴(yán)慧羽,宋慶功,陳逸飛,郭松青.  材料導(dǎo)報. 2015(08)
[3]GaN基發(fā)光二極管襯底材料的研究進(jìn)展[J]. 陳偉超,唐慧麗,羅平,麻尉蔚,徐曉東,錢小波,姜大朋,吳鋒,王靜雅,徐軍.  物理學(xué)報. 2014(06)
[4]W摻雜對β-Ga2O3導(dǎo)電性能影響的理論研究[J]. 鄭樹文,范廣涵,何苗,趙靈智.  物理學(xué)報. 2014(05)
[5]Single crystal β-Ga2O3: Cr grown by floating zone technique and its optical properties[J]. ZHANG JunGang1, 2, LI Bin3, XIA ChangTai1, XU Jun1, DENG Qun4, XU XiaoDong1, WU Feng1, XU WuSheng4, SHI HongSheng4, PEI GuangQing1, 2 ＆ WU YongQing1,2 1 Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China; 2 Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China; 3 Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China; 4 GE (China) Research and Development Center Co. Ltd., Shanghai 201203, China.  Science in China（Series E:Technological Sciences）. 2007(01)



本文編號：3696054