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Bi 2 O 3 /RGO的制備及其光催化還原CO 2 性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2022-01-19 16:29
  利用氨沉淀法制備Bi2O3粉體,采用改進(jìn)的Hummers法制備GO,將Bi2O3加入一定量的GO分散液中,采用紫外還原法制備Bi2O3/RGO復(fù)合光催化劑,通過(guò)XRD、SEM、EDS、BET等技術(shù)手段對(duì)催化劑進(jìn)行表征,并考察其在紫外光下催化還原CO2的性能。結(jié)果表明,GO在紫外照射過(guò)程中被有效地還原為RGO,與晶粒尺寸約為49nm的單斜晶系Bi2O3顆粒在紫外照射下共同攪拌,形成Bi2O3/RGO復(fù)合物,其Bi2O3的主要衍射峰發(fā)生輕微寬化,石墨烯碎片、絮狀物質(zhì)附著在Bi2O3表面;隨著GO含量的增加,Bi2O3表面附著的石墨烯碎片、絮狀物質(zhì)增加,復(fù)合催化劑的比表面積增大;在紫外光照射下,Bi2O... 

【文章來(lái)源】:功能材料. 2016,47(10)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】:6 頁(yè)

【部分圖文】:

Bi 2 O 3 /RGO的制備及其光催化還原CO 2 性能的研究


圖2GO與RGO的XRD圖譜Fig2XRDpatternsofGOandRGO

能譜圖,能譜分析,比表面積,數(shù)據(jù)


說(shuō)明石墨烯碎片附著在Bi2O3顆粒表面。圖5Bi2O3/RGO的EDS能譜圖Fig5EDSpatternsofBi2O3/RGOcomposites表1Bi2O3/RGO的能譜分析數(shù)據(jù)Table1Energyspectrumanalysis(EDS)analysisda-taofBi2O3/RGO能譜元素量比質(zhì)量比/%原子比/%1C9.2837.82O14.4944.33Bi76.2217.852C10.5638.95O16.4745.58Bi72.9715.463C11.8640.30O18.0546.02Bi70.0913.682.4BET分析Bi2O3和不同GO含量的Bi2O3/RGO催化劑的比表面積如表2所示。由表2可知,Bi2O3的比表面積為5.449m2/g,隨著GO含量的增加,復(fù)合催化劑的比表面積顯著增大,主要是因?yàn)槭⿹碛芯薮蟮谋缺砻娣e。表2Bi2O3/RGO的比表面積Table2BETofBi2O3/RGOcomposites樣品Bi2O3BG-1BG-2BG-3比表面積/m2·g-15.4499.81312.61817.8232.5光催化還原CO2的實(shí)驗(yàn)不同GO含量的Bi2O3/RGO光催化還原CO2的性能實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖6所示。由圖6可以看出,Bi2O3為催化劑,在紫外光照8h后,CO2與H2O反應(yīng)生成CH4的量為0.515μmo

光催化還原,石墨


H4的產(chǎn)量明顯提高。隨著GO含量的增加,CH4的產(chǎn)量也隨之增加,BG-2的CH4產(chǎn)量達(dá)到了1.012μmol/g,繼續(xù)增加GO含量,CH4的產(chǎn)量反而降低了,這說(shuō)明適量的石墨烯可以增強(qiáng)Bi2O3的光催化性能。將反應(yīng)后的催化劑Bi2O3/RGO(BG-2)回收后進(jìn)行光催化還原CO2的重復(fù)性實(shí)驗(yàn),結(jié)果如圖7所示?梢钥闯,重復(fù)使用4次,BG-2光催化還原CO2產(chǎn)生CH4的量并沒(méi)有減少。圖6Bi2O3/RGO光催化還原CO2的性能實(shí)驗(yàn)Fig6PerformanceofphotocatalyticreductionofCO2overBi2O3/RGO圖7BG-2光催化還原CO2的重復(fù)性實(shí)驗(yàn)Fig7Repetitiveexperimentsofphotocatalyticreduc-tionofCO2overBG-2SEM顯示,石墨烯以小碎片的形式附著于Bi2O3顆粒表面。當(dāng)足夠能量的光子照射在Bi2O3表面時(shí),價(jià)帶電子被激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶,同時(shí)價(jià)帶上產(chǎn)生空穴,形成電子-空穴對(duì),石墨烯優(yōu)良的電子傳導(dǎo)能力能使產(chǎn)生的電子迅速遷移到Bi2O3表面,有效地抑制光生電子-空穴對(duì)的復(fù)合機(jī)率。鑒于石墨烯擁有巨大的比表面積,因此,可以吸附更多的CO2參與光催化過(guò)程。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,加入一定量的石墨烯可以提高光催化還原CO2的CH4產(chǎn)量,但是過(guò)量的石墨烯反而不利,這是因?yàn)樯倭康氖└街诖呋瘎┍砻鏁r(shí),有助于光生電子的遷移,也可以吸附更多的反應(yīng)物質(zhì)

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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本文編號(hào):3597190

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