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石墨烯的化學(xué)氣相沉積法合成研究

發(fā)布時(shí)間:2022-01-12 21:56
  石墨烯,一種由單層sp2雜化的碳原子構(gòu)成的穩(wěn)定的二維材料,由于其在電子學(xué)、光學(xué)和光電子領(lǐng)域的應(yīng)用潛力而吸引了廣泛的關(guān)注。高質(zhì)量石墨烯的低成本合成是實(shí)現(xiàn)石墨烯廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)和關(guān)鍵之所在。到目前為止,化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)被普遍認(rèn)為是低成本合成大面積高質(zhì)量石墨烯的有效方法之一,其中,CVD生長(zhǎng)的石墨烯質(zhì)量和性能其中,CVD跟生長(zhǎng)條件密切相關(guān),如基底、碳源、溫度、壓力等。在本論文中,我們針對(duì)石墨烯的可控CVD生長(zhǎng)問(wèn)題,探索了不同生長(zhǎng)條件對(duì)石墨烯的形貌、微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)性能和電學(xué)性能等方面影響,主要內(nèi)容包括以下三個(gè)方面:1.采用液態(tài)環(huán)己烷為前驅(qū)體,通過(guò)低壓CVD方法,在一種新型三元合金(Cu2NiZn)表面生長(zhǎng)出了具有優(yōu)異電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量單層石墨烯。拉曼光譜(Raman)、拉曼mapping、原子力顯微鏡(AFM)、透射電子顯微鏡(TEM)和可見光透過(guò)率光譜等表征結(jié)果表明,相對(duì)于銅和銅鎳合金基底,三元合金Cu2NiZn表面合成的石墨烯具有更好的形貌均勻度、單層性和更高的光學(xué)透過(guò)率。通過(guò)微納加工手段在不同基底生長(zhǎng)的石墨烯上制作了背柵場(chǎng)效應(yīng)... 

【文章來(lái)源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】:70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

石墨烯的化學(xué)氣相沉積法合成研究


圖4.3單晶石墨巧的SEM圖像??4.?3.?3拉曼光譜??圖4.2b中的樣品的拉曼光譜結(jié)果如圖4.4所示,激光波長(zhǎng)為532nm

拉曼光譜圖,光學(xué)圖像,拉曼光譜,單晶


1000°C下生長(zhǎng)出的石墨稀薄膜層數(shù)也非常厚,推測(cè)常壓下生長(zhǎng)的石墨爍會(huì)有多??層化的趨勢(shì)。??此外,我們發(fā)現(xiàn)在某些單晶表面上會(huì)生長(zhǎng)新的單晶,如圖4.5a所示,最底??下一整層(位置1所在的那層)均為石墨蹄,然后在單晶表面上有好幾層單晶堆??查生長(zhǎng)(單晶2,3,4,5).這5個(gè)單晶表面的拉曼光譜如圖4.化,可W看到,最底??下一層的單晶石墨締(單晶1)的2D峰比G峰高不少,為單層石墨賄,而其他??四個(gè)單晶的拉曼譜均表現(xiàn)出了多層石墨巧的特性,并且從下往上(從2到5)Ig/I2d??逐漸增大,很顯然,這與越往上單晶層數(shù)越多的事實(shí)相吻合。??■薩\,理?LJ?J??野,?誦暑???',?W?一!?^??

單晶石墨,柵極電壓,線性關(guān)系,尺寸


?‘??在生長(zhǎng)出了不同尺寸的單晶后,我們忽然想到,單晶的大小對(duì)載流子遷移率??和面電阻有何影響?為了弄清這個(gè)問(wèn)題,我們將其制作成了背柵巧T?(圖4.?7a)??(方法見第二章),在真空的探針臺(tái)內(nèi)進(jìn)行了測(cè)試。??(?)??紙?I—???J?V*-2V???W.?^?0W4??心一巧種’仇??-?\??2,w".?\??-4*〇〇1???-10?—?\??W?.?^?S?‘w.?\??Jr?-*-30?Mil,.?、???-MW?■?奪??"?■'SO??4??,???1?>4??<M?????40?M??v*(V)?V.(V)??困4.7?30jim單晶石里巧FET?(a)實(shí)物西(b)輸出曲線(c)傳輸特性??圖4.7b顯示的是尺寸30^un的單晶石墨。疲牛缘模保矗喊耍蓿;輸出曲線,在不同??的柵極電壓(-50-50V)下,Ids和Vds保持著相對(duì)良好的線性關(guān)系,說(shuō)明單晶和??金屬電極之間的歐姆接觸還不錯(cuò)。通過(guò)圖4.7c的傳輸曲線,我們計(jì)算出3(Him單??晶的載流子濃度大約為655cm2/Vs

【參考文獻(xiàn)】:
博士論文
[1]環(huán)己烷及其單烷基衍生物燃燒反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的實(shí)驗(yàn)和模型研究[D]. 王占東.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2014
[2]石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及其特性研究[D]. 馮婷婷.清華大學(xué) 2014
[3]碳化硅、藍(lán)寶石與銅箔表面石墨烯的生長(zhǎng)和表征研究[D]. 康朝陽(yáng).中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2012



本文編號(hào):3585512

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