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鎢氧化物的缺陷工程調(diào)控與催化性能研究

發(fā)布時(shí)間:2022-01-02 06:44
  近幾十年來,基于納米技術(shù)而開發(fā)的具有納米尺寸的催化劑,為解決當(dāng)前日益嚴(yán)重的能源和環(huán)境問題提供了新的契機(jī)。因納米級(jí)尺寸所帶來的量子限域效應(yīng),納米催化劑展現(xiàn)出塊材所不具備的物理化學(xué)特性,從而體現(xiàn)出特異的催化性質(zhì)。氧化物納米催化劑本身不僅可以作為催化劑來驅(qū)動(dòng)各類化學(xué)反應(yīng),還可以作為金屬催化劑的基底形成金屬-載體間強(qiáng)相互作用,受到了研究人員的廣泛關(guān)注。但是由于氧化物本身電子結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)半導(dǎo)體或絕緣體特性,電荷傳輸能力差,同時(shí)表面缺少有效的催化活性位點(diǎn),往往導(dǎo)致其催化效率不盡如意。通過缺陷工程對(duì)催化劑進(jìn)行調(diào)控,不僅可以產(chǎn)生高效的催化活性位點(diǎn),還可以提供電荷和能量轉(zhuǎn)移的通道,是一種提高催化劑性能的有效手段。本論文旨在探索在納米氧化物催化劑上構(gòu)筑并調(diào)控缺陷的狀態(tài),進(jìn)而提高催化劑在不同反應(yīng)中的催化性能。論文中以鎢氧化物為研究對(duì)象,通過先進(jìn)表征和理論模擬相結(jié)合,嘗試在分子和原子層面上理解催化劑缺陷的構(gòu)筑和調(diào)控對(duì)分子吸附和活化、電子和能量轉(zhuǎn)移的影響,建立催化劑的催化性能與缺陷之間的構(gòu)效關(guān)系。本論文的研究結(jié)果對(duì)理解缺陷在催化劑中的作用以及設(shè)計(jì)高效催化位點(diǎn)具有很好的借鑒作用。本論文所取得的主要研究成果如下:1.我... 

【文章來源】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:149 頁

【學(xué)位級(jí)別】:博士

【部分圖文】:

鎢氧化物的缺陷工程調(diào)控與催化性能研究


圖1.1全球近30年來的能源消耗[1】

內(nèi)缺陷,晶體


在實(shí)際的晶體材料中,特別是納米尺寸的材料,由于材料的合成手段、生長(zhǎng)??過程以及表面構(gòu)筑等多方面的原因,使得缺陷的存在是必然的。而缺陷往往以多??種形式存在于材料晶格內(nèi),如圖1.2所示[2'?—般情況下,我們可以將缺陷分成??三種類型,即點(diǎn)缺陷、線缺陷以及面缺陷【25,26]。??Substitution?impurity?Stacking?fault??Vacancy?^?Grain?boundary?*?<??、次人人aJa人y?J認(rèn)人人入J??Dislocation?^?Twin?boundary?y??Interstitial?impurity?Transition?lattice?(coherent)??圖1.2晶體內(nèi)缺陷的各種存在形式[24]。??點(diǎn)缺陷是最簡(jiǎn)單的晶體缺陷,在尺度上不超過幾個(gè)原子直徑,主要包括空位、??間隙原子和置換原子三種(圖1.3)。晶格內(nèi)的原子離開原來的位置時(shí),即會(huì)形成??空位,當(dāng)原子遷移到晶體表面或直接脫離晶體時(shí),體系內(nèi)電中性不平衡,稱之為??2??

晶格,不同點(diǎn),缺陷,點(diǎn)缺陷


在實(shí)際的晶體材料中,特別是納米尺寸的材料,由于材料的合成手段、生長(zhǎng)??過程以及表面構(gòu)筑等多方面的原因,使得缺陷的存在是必然的。而缺陷往往以多??種形式存在于材料晶格內(nèi),如圖1.2所示[2'?—般情況下,我們可以將缺陷分成??三種類型,即點(diǎn)缺陷、線缺陷以及面缺陷【25,26]。??Substitution?impurity?Stacking?fault??Vacancy?^?Grain?boundary?*?<??、次人人aJa人y?J認(rèn)人人入J??Dislocation?^?Twin?boundary?y??Interstitial?impurity?Transition?lattice?(coherent)??圖1.2晶體內(nèi)缺陷的各種存在形式[24]。??點(diǎn)缺陷是最簡(jiǎn)單的晶體缺陷,在尺度上不超過幾個(gè)原子直徑,主要包括空位、??間隙原子和置換原子三種(圖1.3)。晶格內(nèi)的原子離開原來的位置時(shí),即會(huì)形成??空位,當(dāng)原子遷移到晶體表面或直接脫離晶體時(shí),體系內(nèi)電中性不平衡,稱之為??2??

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]全無機(jī)鹵素鈣鈦礦中的量子限域效應(yīng)(英文)[J]. 蔡波,李曉明,顧宇,Moussab Harb,李建海,謝美秋,曹菲,宋繼中,張勝利,Luigi Cavallo,曾海波.  Science China Materials. 2017(09)



本文編號(hào):3563683

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