二維原子晶體的外延生長(zhǎng)調(diào)控是二維材料研究和應(yīng)用中的一個(gè)重要課題�，F(xiàn)有的調(diào)控方式包括改變前驅(qū)體、載氣、襯底表面結(jié)構(gòu)、生長(zhǎng)溫度等參數(shù)。我們提出利用襯底表面下的次表層物種進(jìn)行二維原子晶體外延生長(zhǎng)的調(diào)控。論文結(jié)合原位成像技術(shù)-光發(fā)射電子顯微鏡（Photoemmision Electron Microscopy,PEEM）/低能電子顯微鏡（Low Energy Electron Microscopy,LEEM）、原位譜學(xué)技術(shù)-X射線光電子能譜（X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS）和密度泛函理論（Density Functional Theory,DFT）計(jì)算,研究次表層物種對(duì)二維原子晶體外延生長(zhǎng)的調(diào)控及其微觀作用機(jī)理。主要得到以下研究結(jié)果:（1）次表層物種對(duì)二維原子晶體外延生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)和形貌的調(diào)控。原位研究了在不同溫度條件下六方氮化硼（h-BN）在Ru（0001）表面和含有次表層Ar的Ru（0001）表面上的形貌變化,觀察到隨溫度升高發(fā)生反常的“緊實(shí)-分形”（Compact-to-Fratal）形貌轉(zhuǎn)變過(guò)程。h-BN在兩種表面上的生長(zhǎng)均遵循“反應(yīng)控制聚集”（R... 

【文章來(lái)源】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)安徽省 211工程院校 985工程院校

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１石墨烯的制備方法

?ｉｎｋｓ，?ｅｎｅｒｇｙ?ｓｔｏｒａｇｅ，??＾?＾?＾?ｂｉｏ，?ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ?ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ?ｌａｙｅｒｓｌ?＾??Ｐｒｉｃｅ?（ｆｏｒ?ｍａｓｓ?ｆ？＊ｏｄｕ＃簦簦澹睿?崳?圖１．１石墨烯的制備方法。??Ｆｉｇｕｒｅ?１．１?Ｔｈｅ?ｍｏｔｈｏｄｓ?ｏｆ?ｇｒａｐｈｅｎｅ?ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ［５４］．??持石墨烯的完整性。機(jī)械剝離法是最先用于獲得薄層石墨烯的方法，由Ａ．Ｋ．?Ｇｅｉｍ??和Ｋ．Ｓ．?Ｎｏｖｏｓｅｌｏｖ共同提出，即用膠布粘在高定向裂解石墨（Ｈ〇ＰＧ）上，然后直??接撕裂剝離得到石墨烯［１〇］。這是一種非常簡(jiǎn)單的方法，可以獲得厚度為單層至??十幾層的石墨烯，但可控性差，無(wú)法獲得大面積且均勻性良好的石墨烯層。液相??２??

?卿Ｉ?ｌ＂ｌ：ａ指Ｉ?Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ??圖１．２基于Ｃｕ－Ｎｉ合金的ＣＶＤ方法合成ｈ－ＢＮ的過(guò)程。??Ｆｉｇｕｒｅ?１．２?Ｔｈｅ?ｐｒｏｃｅｓｓ?ｏｆ?ｈ－ＢＮ?ｇｒｏｗｔｈ?ｏｎ?Ｃｕ－Ｎｉ?ａｌｌｏｙ?ｂｙ?ＣＶＤ?ｍｅｔｈｏｄ［２］??３??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Ni（111）表面上偏析生長(zhǎng)外延石墨烯的原位表面成像研究（英文）[J]. 楊陽(yáng),傅強(qiáng),魏偉,包信和.  Science Bulletin. 2016(19)
[2]Oxygen intercalation under hexagonal boron nitride（h-BN）on Pt（111）[J]. Yanhong Zhang,Mingming Wei,Qiang Fu,Xinhe Bao.  Science Bulletin. 2015(18)
[3]解說(shuō)低能量/光電子顯微鏡（LEEM/PEEM）[J]. 郭方準(zhǔn).  物理. 2010(03)
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