含硅分子的高分辨激光光譜研究
發(fā)布時間:2021-11-26 10:50
含硅分子是星際碳硅塵埃的形成的前驅(qū)體分子,開展含硅分子的高分辨光譜研究是深入理解其化學結(jié)構和成鍵性質(zhì)的基礎,為星際硅化學的研究提供直接的數(shù)據(jù)支持。本博士論文的主要內(nèi)容包括:搭建一套狹縫射流等離子體-腔衰蕩(Slit Jet Plasma Cavity Ring-Down,SJP-CRD)光譜實驗裝置,利用該裝置和原有的激光誘導熒光裝置開展若干含硅小分子(Si2、r-Si4、SiC2以及l(fā)-Si2C2等)的高分辨激光光譜研究。1.狹縫射流等離子體-腔衰蕩(SJP-CRD)光譜實驗裝置的搭建。搭建了一套用于瞬態(tài)自由基分子高靈敏高分辨吸收光譜研究的狹縫射流等離子體-腔衰蕩(SJP-CRD)光譜實驗裝置。裝置包括用于高效制備振轉(zhuǎn)冷卻的自由基分子的超聲射流離子體(SJP)和高靈敏的腔衰蕩(CRD)吸收光譜探測系統(tǒng)兩個部分。超聲射流離子體(SJP)是采用狹縫(30 mm×0.2 mm)射流結(jié)合高功率氣體脈沖放電產(chǎn)生的。我們利用1%C2H2/Ar等離子體射流中的C6H自由基對裝置進行了測試,可以產(chǎn)生濃度高達1012分子/cm3的C6H自由基,其振轉(zhuǎn)溫度可以冷卻至<40K。進而利用該裝置對Si4...
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:160 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖2.1腔衰蕩光譜技術原理示意圖
?第2章實驗技術及原理???為了更好地驗證SJP技術在瞬態(tài)分子的高效率制備以及高分辨光譜研究中??的適用性,我們將SJP技術與腔衰蕩(CRD)光譜技術結(jié)合,利用染料激光的二階??配置輸出激光(激光線寬?0.035?cnr1)開展光譜測試。實驗中記錄了狹縫放電噴嘴??和針孔放電噴嘴測試C6H瞬態(tài)分子的CRD吸收光譜,如圖2.2和2.3分別為狹??縫放電噴嘴和針孔放電噴嘴的結(jié)構示意圖。其中狹縫放電噴嘴的電極夾角為40°,??針孔放電噴嘴的錐角也為40°。圖2.4給出了兩種放電噴嘴開展C6H分子〇g帶躍??遷的吸收光譜。在實驗記錄的光譜中,兩種技術產(chǎn)生的瞬態(tài)分子光譜強度相當。??但是,狹縫放電噴嘴的光譜線寬好于0.05CHV1,而針孔放電噴嘴的光譜線寬大約??0.1?cm'線寬明顯大于激光線寬,這主要是多普勒展寬造成的譜線加寬。因此狹??縫放電噴嘴在開展高分辨光譜上可以明顯地抑制多普勒展寬。??C6H:/7,,2?—X:773/2??Ai/a\??彳丨“?\?\?Silt?nozzle:??/?\?\?Linewidth?<?0.05?cm'1??(v/?\?Pin?hole?nozzle:??廣Linewidth?0.1?cm"1??18982?18984?18986?18988??Frequency/cm?1??圖2.4狹縫放電噴嘴和針孔放電噴嘴兩種技術記錄的C6H分子2/73/2?-?X2/73/20g帶光譜。??紅色和黑色譜線分別為狹縫射流和針孔放電噴嘴條件下的光譜,激光線寬?0.035?cnr1。??實驗中,我們采用的脈沖放電電源主要分為兩種:方波脈沖放電技術和射頻??脈沖電源。方波脈沖放電
'T?丨?W?〇?;??。P^_r?4^4?V-gjC=H^I?f=c^db??_。^?-?t?,=□:,hl?1????1〇5v?—.丨?‘????mpul?I?一一」-一^??工?-HV?(pulsed}?RF?? ̄?GND?output?output2??r^soq?R2=5〇n?R3=20〇n?R4=50Q?R5=10??C,=?C2=2.2/ir?C3=10nF?C4=220p/'?C5=50pF??L,=17/i//?L2=38.2^//??圖2.5高功率脈沖電源設計原理示意圖。??2.?3狹縫射流等離子體-腔衰蕩(SjP-CRD)光譜實驗裝置??為了開展含硅分子的高分辨激光光譜,我們選擇可以實現(xiàn)瞬態(tài)分子高效率制??備和高靈敏探測的脈沖狹縫射流等離子體-腔衰蕩(Slit?jet?plasma?cavity?ring-down,??SJP-CRD)光譜技水,它不僅可以實現(xiàn)瞬態(tài)分f的高戎敏探測,I丨lj且吸收光譜的探??測僅僅與分子的吸收截面相關。不需要考慮分子的上能級是否存在預解離或系間??穿躍等快速的動力學過程,也不需要考慮分子激發(fā)到上態(tài)所福射的熒光壽命長短。??由于我們實驗研究的體系為反應活性極高的瞬態(tài)分子,實驗中所制備的分子不能??存儲,大量制備的瞬態(tài)分子存在單分子反應或者與其他分子反應的損耗。實驗中??我們通過脈沖放電技術制備高濃度的瞬態(tài)分子(?1〇12?molecules/cm3),然后采用脈??沖SjP-CRD光譜技術探測。因此,我們搭建了一套脈沖SjP-CRD光譜實驗裝置,??如圖2.6所示。包括真空腔體系統(tǒng)、光衰蕩腔系統(tǒng)、激光光源系統(tǒng)、時序控制系??統(tǒng)、射流冷卻的瞬
【參考文獻】:
期刊論文
[1]沉積盆地“源-匯”系統(tǒng)研究新進展[J]. 徐長貴,杜曉峰,徐偉,趙夢. 石油與天然氣地質(zhì). 2017(01)
本文編號:3519995
【文章來源】:中國科學技術大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:160 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖2.1腔衰蕩光譜技術原理示意圖
?第2章實驗技術及原理???為了更好地驗證SJP技術在瞬態(tài)分子的高效率制備以及高分辨光譜研究中??的適用性,我們將SJP技術與腔衰蕩(CRD)光譜技術結(jié)合,利用染料激光的二階??配置輸出激光(激光線寬?0.035?cnr1)開展光譜測試。實驗中記錄了狹縫放電噴嘴??和針孔放電噴嘴測試C6H瞬態(tài)分子的CRD吸收光譜,如圖2.2和2.3分別為狹??縫放電噴嘴和針孔放電噴嘴的結(jié)構示意圖。其中狹縫放電噴嘴的電極夾角為40°,??針孔放電噴嘴的錐角也為40°。圖2.4給出了兩種放電噴嘴開展C6H分子〇g帶躍??遷的吸收光譜。在實驗記錄的光譜中,兩種技術產(chǎn)生的瞬態(tài)分子光譜強度相當。??但是,狹縫放電噴嘴的光譜線寬好于0.05CHV1,而針孔放電噴嘴的光譜線寬大約??0.1?cm'線寬明顯大于激光線寬,這主要是多普勒展寬造成的譜線加寬。因此狹??縫放電噴嘴在開展高分辨光譜上可以明顯地抑制多普勒展寬。??C6H:/7,,2?—X:773/2??Ai/a\??彳丨“?\?\?Silt?nozzle:??/?\?\?Linewidth?<?0.05?cm'1??(v/?\?Pin?hole?nozzle:??廣Linewidth?0.1?cm"1??18982?18984?18986?18988??Frequency/cm?1??圖2.4狹縫放電噴嘴和針孔放電噴嘴兩種技術記錄的C6H分子2/73/2?-?X2/73/20g帶光譜。??紅色和黑色譜線分別為狹縫射流和針孔放電噴嘴條件下的光譜,激光線寬?0.035?cnr1。??實驗中,我們采用的脈沖放電電源主要分為兩種:方波脈沖放電技術和射頻??脈沖電源。方波脈沖放電
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【參考文獻】:
期刊論文
[1]沉積盆地“源-匯”系統(tǒng)研究新進展[J]. 徐長貴,杜曉峰,徐偉,趙夢. 石油與天然氣地質(zhì). 2017(01)
本文編號:3519995
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